基于扩展卡尔曼滤波的动中通低成本姿态估计

针对动中通系统低成本姿态估计问题,提出了一种基于扩展卡尔曼滤波的姿态估计算法。该算法以四元数作为状态变量,通过融合陀螺、加速度计以及单基线GPS位置和速度信息估计载体的姿态信息。针对载体机动加速度的影响,通过单基线GPS提供的速度信息对载体的机动加速度进行初步补偿;当载体发生转弯时,利用侧滑角补偿法进一步校正。实验结果表明,该算法成功融合了陀螺的短时精确性、加速度计的长时稳定性和GPS精确的测速和定位功能,系统的动态估计精度在±0．5°内,满足了动中通的应用要求。     

AGBE-TBV型10KW全固态电视发射机原理

AGBE-TBV/10KW全固态电视发射机是鞍山通用广播电视设备有限公司生产的一种新型发射机。鹤壁市第二电视转播台于2006年投入使用了该发射机用于河南卫视的覆盖。经过近几年的运行,发射机工作稳定,安全可靠。有效确保了发射台的安全优质播出和有效覆盖。1.工作原理1.1基本组成及工作原理AGBE-TBV/10KW型全固态电视发射机采用模块化设计,技术先进、接口齐全     

从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用

总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能，以Pb(Ti，Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考，分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外，还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。     

室温下稳定工作的多波长掺铒光纤激光器

对多波长掺铒光纤激光器进行了实验研究。通过在环形腔掺铒光纤激光器中引入一个全光纤相位调制器,在双折射光纤长度约为4．1m时,实现了室温下16个波长的稳定输出,波长间隔为0．8nm,满足ITU信道标准。而且通过改变双折射光纤的长度,可实现相邻时长间隔的精确调节。激射波长线宽小于0．1nm。功率谱比较平坦,在近12nm的谱宽内功率起伏小于dB。     

工作在L波段的多波长Er3 /Yb3 共掺光纤激光器

采用Er^3 ／Yb^3 共掺双包层光纤(EYDF)作为增益介质，利用一段标准的多模光纤作为空间梳状滤波器，于室温下实现了5个波长的稳定输出。通过调节偏振控制器的状态，可以实现对波长振荡个数和波长间隔的控制。腔中不加任何的稳定装置，在激光输出功率高于207mw时，仍能够得到多波长的稳定振荡，单一波长的线宽窄于0．15nm，边模抑制比大于32dB。通过优化单模光纤与多模光纤的熔接，选择更加合适的多模光纤，可实现更多波长个数的稳定的多波长输出。     

自动监视和告警系统中红外弱小目标的识别

红外弱小目标识别一直是自动监视和告警系统中的一项关键技术。成像跟踪识别系统的算法研究需要分析特定应用环境中的背景和目标特点,本文第一部分对此进行了分析。接下来,在对应用环境进行分析的基础上,对远距离红外小目标的探测、识别和跟踪算法进行了介绍。最后,针对视频环境下的红外跟踪,介绍了为提高跟踪稳定性而进行的一系列实验及其原理装置。     

柴达木盆地七个泉地区渐新世沉积特征与隐蔽油藏预测

在油气开发的后期阶段,特别是构造油气藏已经不能满足生产需要的时候,利用层序精细划分和沉积微相分析等方法来寻找隐蔽油藏就显得尤为重要。通过对三维地震、钻井岩心、测井曲线等资料进行综合分析,利用三维地震资料控制沉积相空间展布,利用钻井和录井资料划分砂体小层,并将两者结合起来对柴达木盆地七个泉地区沉积相和层序进行精细刻画,同时在沉积相带内和层序格架之下研究砂体的连通性和空间展布。结果表明,在SSC5—SSC3沉积时期,研究区沉积主要以退积为主,在SSC2沉积时期经历了一次快速的水退过程之后,SSC2—SSC1沉积时期沉积基准面持续下降,后期主要以扇三角洲沉积为主。研究区渐新世下干柴沟组下段主要发育湖泊—扇三角洲和辫状河三角洲沉积。辫状河三角洲沉积发育水下分流河道、水下分流河道间、河口坝和席状砂沉积微相;扇三角洲发育扇三角洲平原和扇三角洲前缘亚相。通过对砂体展布和砂体孔渗性以及试油结果的研究,并依据沉积相与层序格架分析,预测在七32井区附近发育的斜坡带砂岩透镜体和上倾尖灭砂体是岩性油藏勘探的重点目标。     

具有多重焦点的波带透镜的设计

本文提出了一种新型的具有多重焦点的波带透镜的概念及其设计方法。可提供某些特定的光场分布,而且具有性能稳定、微型化和可实际制作等特点。     

双面印制板焊接质量的生产控制

印制板焊接质量问题的发生是从设计，制造、元器件存放管理及焊接各生产环节质量问题的集中反映。本文着重从双面印制板制造方面对可能产生此问题的各工序进行系统分析，并提出相应的对策。     

AIN、GaN立方晶体的静态性质和AIN/GaN异质结的价带偏移

采用LMTO能带从头计算方法,计算了闪锌矿（立方）结构AIN和GaN的静态性质;用平均键能方法,预言了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN／GaN应变层异质结的△Ev值;最后,采用超原胞（AIN）n（GaN）n（001）,（n=1,3,5）界面自洽计算方法,考察了超晶格中平均键能Em的“对齐”程度和验证了价带偏移△Ev计算结果的准确性。