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利用多年系列的降雨和蒸发资料,以平原区降雨产流机制为基础,建立地下水多年逐旬调节计算模型。并对安徽省淮北地区22个县市在满足一定经济技术和水文地质条件下的地下水资源作了计算,为水行政主管部门的水资源管理和区域地下水资源的开发利用规划提供科学依据。 相似文献
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介绍了一种适用于砷化镓数字电路的Bp—SAG工艺。在该工艺基础上研制的GaAs数字二分频电路,最大工作频率达到2.25GHz,等效门延迟为92ps。 相似文献
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用改进的遗传算法精确提取GaAs MESFET小信号等效电路参数 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了一种改进的遗传算法 ,应用于提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 .改进的算法采用浮点编码连续突变 ,多种遗传操作合作运行 ,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象 ,该算法可快速搜索到全局最优解而不受初始值限制 .在 0 .1~ 1 0 GHz范围内实现了精确、快速地提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 ,并可合理外推至 2 0 GHz,整个过程无需人工干预 .算法用 Matlab语言实现 ,可方便地应用于 HBT和HEMT以及无源元件电容、电感的参数提取 相似文献
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对瑞士布勒公司,英国西蒙公司,意大利奥克利姆公司和高尔菲物公司等数条专用粉生产线中平筛的使用量,负荷量和筛路安排进行了综合对比分析。并由此提出了专用粉生产中平筛的使用方法。 相似文献
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本文主要讨论了四表远程抄表系统中采集器后备电源的设计,此后备电源能维持采集器在市电停电时继续工作且连续工作时间不少于48 h,后备电源在市电上电时能适时充电,以备下次启用,且能对后备电池工作异常现象进行自动检测,能够发出告警灯信号等功能,充分保证系统能够正常完成计量工作。 相似文献
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热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段。系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO2/SiO2/Si结构中电荷分布的影响,给出了不同退火条件下SiO2/Si和HfO2/SiO2界面的界面电荷密度、HfO2的体电荷密度以及HfO2/SiO2界面的界面偶极子的数值。研究结果表明,在氨气和氧气氛围中退火会使HfO2/SiO2界面的界面电荷密度减小、界面偶极子增加,而SiO2/Si界面的界面电荷密度几乎不受退火影响。最后研究了不同退火氛围对电容平带电压的影响,发现两种不同的退火条件都会导致TiN/HfO2/SiO2/Si电容结构平带电压的正向漂移,基于退火对其电荷分布的影响研究,此正向漂移主要来源于退火导致的HfO2/SiO2界面的界面偶极子的增加。 相似文献
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