JTDK—PC—01型交流提升机可编程电控系统

ＪＴＤＫ－ＰＣ－０１型交流提升机可编程电控系统是用可编程控制器作为主要控制器件，配以真空接触器，晶闸管整流电源等，构成了新一代交流提升机电控系统。分析讨论了该电控系统方案确定的原则和组成，介绍了应用效果。     

JTDK－PC－01型交流提升机可编程电控系统

ＪＴＤＫ－ＰＣ－０１型交流提升机可编程电控系统是用可编程控制器作为主要控制器件，配以真空接触器、晶闸管整流电源等，构成了新一代交流提升机电控系统．分析讨论了该电控系统方案确定的原则和组成，介绍了应用效果．     

充填抑爆材料油箱的烤燃性能

为研究烤燃对不填充和填充球形抑爆材料燃油箱的破坏效应,正确评估抑爆球的阻燃抑爆效果,模拟车辆、飞机的燃油箱受到炙烤的场景,对盛装-10号柴油(-10PD)、喷气燃料(RP-5)的油箱进行烤燃实验,并采用摄像机、高速照相机、红外热成像仪和热通量计等分别记录和测量了油箱的烤燃过程及其产生的喷射火球尺寸、表面温度和热辐射参数。结果表明:油箱在烤燃过程中将产生喷射火,甚至发生蒸气云爆炸,其破坏效应主要表现为喷射火球的热效应。对于填充抑爆球的-10PD、RP-5油箱,其油料受热初始燃烧的时间分别延迟了48 s和121 s,喷射火球的最大截面积分别减小了65.72%、42.44%,表面最高温度分别减小了26.13%、12.66%,其热通量伤害后果也明显减小。     

磁场中准二维强耦合磁极化子的性质

采用线性组合算符和改进的LLP变分法,研究了磁场中无限势垒量子阱内电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合系统的基态,得到了磁极化子的振动频率和自陷能随量子阱宽和磁场变化的规律.对CdF2/AgCl量子阱进行了数值计算,结果表明,磁极化子的振动频率和自陷能随阱宽的增加而减小,随磁场的增加而增大,但不同支声子与电子和磁场相互作用对磁极化子的振动频率和自陷能的贡献大不相同.此外,对以上现象进行了分析和解释.     

基于长周期光纤光栅的折射率传感器

长周期光纤光栅具有制作成本低、无背向反射、结构紧凑等优点,且对外界折射率变化有较高的敏感性,特别适用于折射率传感．简要概括了长周期光纤光栅折射率传感的基本原理,介绍了基于长周期光纤光栅的折射率传感器的研究进展,目前的研究重点集中在克服温度交叉干扰、提高传感精度以及拓宽传感范围的方面,比较了各种方案的优缺点．     

单偏振双波长非保偏有源掺杂光纤激光器

利用宽带保偏光纤光栅(PFBG)、普通有源光纤和窄带普通光纤光栅构成独立的谐振腔,且窄带普通光纤光栅的中心波长分别与保偏光纤光栅的一个反射峰波长对准,可以输出稳定的双波长/单波长的单偏振激光.利用这一思想,制成了基于非保偏有源掺杂光纤的单偏振双波长光纤激光器.实验结果表明,双波长同时激射时的激光消光比为46.7 dB,单波长激光的消光比为59.6 dB,滤波出单波长测量其偏振度为98.5%.这种激光器在微波光子领域可用于在光域产生微波.     

晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内表面磁极化子自陷能的影响

采用Huybrechts的线性组合算符法和变分法 ,研究了晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内电子与表面光学 (SO)声子强耦合、与体纵光学 (LO)声子弱耦合体系的影响 ,得到了作为距离晶体表面的深度、磁场和温度函数的表面磁极化子的自陷能 .对AgCl晶体进行了数值计算 ,结果表明 ,不同支声子与电子相互作用对表面磁极化子自陷能的贡献以及它们随距离晶体表面的深度、磁场和温度变化的情况大不相同 .     

卫星与地面移动通信系统综合环境下的一种位置管理策略

提出了一种在卫星与地面移动系统综合环境下的位置管理方案，即把两系统相重叠的小区设置为边界位置区(BLA)，漫游用户在BLA中进行位置更新，呼叫到达时，BLA中的位置寄存器配合系统进行寻呼。通过计算和数值分析证明该方案不仅可以使原有两系统结构不发生变化，并且能有效减小位置更新与寻呼造成的系统开销。     

晶格热振动对极性半导体膜中电子—表面声子强耦合极化子自陷能的影响

采用Huybrechts线性组合算符和变分法,讨论了晶格热振劝对极性半导体膜中电子－表面光学（SO）声子强耦合和电子－体纵光学（LO）声子弱耦合体系的影响,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律,对CdF2半导体膜进行了数值计算,结果表明,CdF2极性半导体膜中光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用。并且发现CdF2半导体膜小的中不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小,这表明晶格热振动将削弱电子－声子耦合。     

晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面声子强耦合极化子自陷能的影响

采用 Huybrechts线性组合算符和变分法 ,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子 -表面光学 (SO)声子强耦合和电子 -体纵光学 (L O)声子弱耦合体系的影响 ,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律 ,对 Cd F2半导体膜进行了数值计算 ,结果表明 ,Cd F2 极性半导体膜中表面光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用 .并且发现 Cd F2 半导体膜中的不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献 ,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小 ,这表明晶格热振动将削弱电子 -声子耦合