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41.
提出了深亚微米SOIGCHT电流模型.不同于普通MOSFET短沟模型的处理,计及受栅电压及基极电压同时控制的可动电荷的影响,采用准二维分析及抛物线近似,求出沟道长度及漏端电压对源端表面势的影响,较好地反映了电荷共享效应及DIBL效应,并定量计算出与漏电压和栅电压同时相关的动态阈值电压漂移量.模型中同时考虑了速度饱和效应、迁移率下降效应和沟道长度调制效应等.该模型具有清晰的物理意义,从理论上解释了GCHT具有较小的短沟效应及较高的阈值电压稳定性等物理现象.模型计算结果与数值模拟及实验结果吻合良好,较好地描述了短沟GCHT的物理特性. 相似文献
42.
Characterized back interface traps of SOI devices by the Recombination-Generation (R-G) curren: has been analyzed numerically with an advanced semiconductor simulation tool,namely DESSiS-ISE. The basis of the principle for the R-G current's characterizing the back interface traps of SOI lateral p+p-n+ diode has been demonstrated. The dependence of R-G cur rent on interface trap characteristics has been examined, such as the state density, surface recombination velocity and the trap energy level. The R-G current proves to be an effective tool for monitoring the back interface of SOI devices. 相似文献
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49.
MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。 相似文献
50.
电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化理论 总被引:4,自引:0,他引:4
通过对临界击穿电场近似得出的穿通限制击穿电压的分析 ,提出了电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化设计解析理论 :对于电导调制功率器件用的各种穿通结构 ,只要其耐压基区的厚度选择为同衬底浓度突变结击穿时的耗尽层宽度的最佳分割长度 ,即穿通因数 F等于4,就可使外延基区的厚度为最小 .同时 ,该耐压基区的击穿电压为最大 .运用该理论的结果 ,得出了此类应用的基区优化设计公式 ,并将计算结果与一些文献的设计值进行了比较 ,纠正了先前计算的不准确性 . 相似文献