2-■唑啉化合物的合成与应用

1．前言2一呼唤琳化合物是一类含有C、N、O及一C二N双键的五员杂环化合物。目前研究报导最多的是活性最大的2．嘴哩晰化合物。该化合物可分为单一2一阳吐琳和双一2一嗯哩批。二者的通式如下：式中R为烷基或脂烯基，2一晚峻琳化合物相当活泼，在一定温度下能与坡酸、酸酥、氨基、卤素、环氧基、流基、异氰酸酯等进行反应。所以含有阳哩琳的聚合物是一种反应性聚合物，可起相溶剂的作用，是聚合物合金工业重要材料之一。目前关于合成2一阳叹批的方法较多，但是国内研究报导较少。现在分别介绍美国道化学公司、日本大日本油墨化学工业公司和…     

用电流加热粘胶

对粘胶的加热是强化制备粘胶过程的方法之一。但对粘胶加热的方法,主要是通过对热交换器表面加热的过程,尤其是列管式热交换器,这就不能保证制得高质量的粘     

一个描述硅原子团簇退火行为的模型

在考虑硅原子团簇的尺寸对其俘获半径的影响的基础上提出了一个改进的模型,来描述团簇的退火行为,并给出了点缺陷的表面复合速率的表达式.为了验证此模型,给出了动力学蒙特卡洛方法的模拟结果,模拟结果与实验结果相吻合.通过表面复合速率的模拟结果和模型的对比,模型得到了验证.分析表明团簇尺寸对其退火行为有明显的影响.     

PBT纤维引人注目

一、在PBT纤维领域中新的生产公司增俱PBT纤维(聚对笨二甲酸丁二酯)目前在日本国内市场正引起人们的注意。日本第一个生产PBT纤维的是帝人公司,从1979年起开始用商标“Finecell”销售PBT纤维连裤袜。三年之后,可乐丽公司紧接着在这个领域里用商品名“Artlon”进行销售。1983年     

Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化

针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作，利用器件主要的性能参数，详细分析了UTB结构的交流特性．通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响，对器件结构进行了优化．最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法，从而实现了结构参数的优化选取，使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛．     

纳米尺度MOSFETs中低场迁移率及输运机理质变研究

本文利用流量散射方法研究了纳米尺度MOSFETs中载流子的输运特性,重点分析了低场迁移率和输运机理质变。针对不同器件结构的MOSFETs,我们给出了一个相同的闭合形式的低场迁移率表达式,它对于漂移扩散输运和准弹道输运都是有效的。基于实验测试结果,我们首先提取了长沟低场迁移率和低场平均自由程,进而从实验和理论上分析了载流子输运机理质变。我们发现,尽管MOSFET中迁移率随沟长缩小而降低,但是低场平均自由程几乎是个常量,它可以作为器件是否实现准弹道输运的尺度判据,并有效地表征载流子的输运机理从漂移扩散输运向准弹道输运的质变。     

50nm SOI-DTMOS器件的性能

利用二维器件模拟软件ISE对50nm沟道长度下SOI-DTMOS器件性能进行了研究,并与常规结构的SOI器件作了比较.结果表明,在50nm沟长下,SOI-DTMOS器件性能远远优于常规SOI器件.SOI-DTMOS器件具有更好的亚阈值特性,其亚阈值泄漏电流比常规SOI器件小2～3个数量级,从而使其具有更低的静态功耗.同时,SOI-DTMOS器件较高的驱动电流保证了管子的工作速度,并且较常规SOI器件能更有效地抑制短沟道器件的穿通效应、DIBL及SCE效应,从而保证了在尺寸进一步减小的情况下管子的性能.对SOI-DTMOS器件的物理机制进行了初步分析,揭示了其性能远优于常规结构的物理本质,同时也指出了进一步研究的方向.     

亚100nm SOI器件的结构优化分析

分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区.在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处,阈值电压的漂移有一个峰值,在器件设计时应避免选用这一交界区.此外,随着硅膜厚度的减小,器件的泄漏电流随着沟道掺杂浓度的不同,有一个极小值.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的SOI器件     

近代粘胶纤维生产新技术

在化纤发展史上,粘胶纤维历史最长,纺织用纤维中它曾作为主要的化纤原料。随着合纤的兴起,以及粘胶纤维生产尚存在对