改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURFLDMOS晶体管

本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管新结构.用二维器件软件MEDICI对具有线性变化掺杂漂移区的RESURF LDMOS晶体管的性能进行了数值分析并由实验对其结果进行了验证.结果表明:在相同的漂移区长度下,该新结构较之于优化的常规RESURF LDMOS晶体管,它的击穿电压可由178V提高到234V,增加了1.5倍,而比导通电阻却从7.7mΩ·cm²下降到5mΩ·cm²,减小了30%,显示了很好的击穿电压和导通电阻折中性能.实验结果也证实了数值分析的预言.     

粘胶纤维设备开发与应用学术讨论会在南平市召开

中国纺织工程学会、纺织机械器材专业委员会于1986年11月17～23日在福建南平市召开第一次全国粘胶纤维设备开发与应用学术讨论会。会议由中国纺织机械总公司主持,参加会议的有来自全国有关纺机厂、粘胶纤维厂、科研单位、大专院校和航天工业部、电子部、水电部等有关单     

在双组份凝固浴中纺制粘胶纺织丝

目前主要是采用含有硫酸锌的凝固浴来生产粘胶纺织丝。由于锌有毒而又是一种紧缺的金属,因此选用无锌凝固浴纺制粘胶纺织丝问题,具有特殊的现实意义。试验指出,在粘胶溶解阶段向粘胶中加尿素可以制得性能满意的粘胶纤维。现在一为研究用含有硫酸和硫酸钠的低酸性凝固浴纺制粘胶纺织丝的可能     

日本聚合物合金技术概况

日本聚合物合金技术概况黄如注（北京市化工研究院）从１９９０年９月至１９９３年１０月，共有２７家公司在日本塑料杂志上发表了关于聚合物合金技术的文章，其中有２３家是树脂厂，一家是复合物厂，３家是注射成型厂及树脂厂。一、对各公司聚合物合金技术的总评述１．生...     

粘胶长丝高速纺丝

粘胶纤维长丝在化纤发展史上曾是产量最大的产品。本世纪来,由于各类合成纤维如雨后春笋先后问世,以及它本身三废严重、利润低、缺乏高生产能力的设备等而使发展受到影响。但粘胶纤维长丝具有良好的染色性和吸湿性,其织物色泽鲜艳美观,柔软而舒适等都是合成纤维所望尘莫及的。因此     

垂直沟道器件的研究与进展

介绍了垂直沟道器件的常见结构和工艺，分析了垂直沟道器件的最新进展以及垂直沟道器件制作工艺中的最新技术，详细讨论了垂直沟道器件的性能，并分析了垂直沟道器件的优点以及存在的问题。     

供需失衡问题持续困扰 行业亟待新质生产力提升——中国玻璃纤维及制品行业2023年度发展报告

<正>2023年是三年新冠疫情防控转段后经济恢复发展的第一年,也是中国玻璃纤维及制品行业发展历程中极不寻常、极不容易的一年。受房地产下行、地方债务危机等问题影响,各大玻纤应用细分市场需求增长普遍不及预期,供需失衡问题持续困扰行业。在此背景下,2023年我国规模以上玻璃纤维及制品制造企业主营业务收入同比降低9.6%,利润总额同比下降51.4%,行业亟待新质生产力提升,转型发展之路任重道远。     

基于SOI衬底的射频电感优化设计

比较了SOI RF电感与体硅电感的性能,并根据模拟结果分析了电感中空面积,电感形状结构,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则.以往射频集成电感性能的比较并不固定电感值,而文中全部参数的变化都是在电感值相同的情况下进行比较.     

近存/存内计算专题简介

高性能计算和数据处理芯片是软件算法功能实现的硬件载体,软件算法和高性能计算芯片有着相互依存、相互促进的关系.近年来,集成电路蓬勃发展带来的算力提升对基于深度神经网络的智能应用取得巨大成功有着不可磨灭的贡献.同时,大数据和人工智能时代的来临也给传统的计算/存储分离的硬件架构带来了的存储墙及功耗墙挑战.为了降低计算和存储单...     

氮注入多晶硅栅对超薄SiO_2栅介质性能的影响

p+ 多晶硅栅中的硼在 Si O2 栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化 ,在多晶硅栅内注入 N+ 的工艺可抑制硼扩散 .制备出栅介质厚度为 4 .6 nm的 p+栅 MOS电容 ,通过 SIMS测试分析和 I- V、C- V特性及电应力下击穿特性的测试 ,观察了多晶硅栅中注 N+工艺对栅介质性能的影响 .实验结果表明 :在多晶硅栅中注入氮可以有效抑制硼扩散 ,降低了低场漏电和平带电压的漂移 ,改善了栅介质的击穿性能 ,但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块电阻增大 ,需要折衷优化设计 .