掺钡白钨矿型CaWO4:Ba2+荧光材料的制备与表征

以氯化钙、氯化钡和硝酸钠为原料,采用沉淀法制备出纯CaWO4、BaWO4粉体,采用固相反应法制备出CaWO4:Ba2+(CaxBa1-xWO4)粉体,研究了钡离子的掺杂量对CaWO4:Ba2+荧光材料的发光性能的影响.通过XRD、FT-IR对样品的晶体尺寸进行表征,以及PL分析了样品的发光特性.研究结果表明:掺杂后钨酸盐中的晶胞参数随Ba2+的掺杂量增加而增大,且晶体结构中WO2-4四面体构型发生畸变;钨酸钙的在370 cm-1、430 cm-1附近有明显发光,当钡离子掺入量较低时,CaWO4:Ba2+的发光强度增加,但当钡离子掺入量增加时,发光强度却下降.     

利用不同成孔剂制备堇青石质多孔陶瓷

以高岭土、滑石、工业氧化铝为原料,分别用煤粉和淀粉作为成孔剂,采用压制成型工艺,在1 200℃温度下烧成,制得了具有一定气孔率的堇青石质多孔陶瓷,并将两种样品的理化性能和微观结构做了对比研究.研究表明,以淀粉为成孔剂的样品的孔分布比较均匀,孔隙率较高,但烧结强度低于以煤粉为成孔剂的样品.     

掺Eu^3＋，Tb^3＋钨酸钙的共沉淀法制备及表征

采用共沉淀法成功制得了稀土Eu^3＋、Tb^3＋掺杂的CaWO4三原色荧光粉体,利用XRD表征产物的晶体结构,研究表明：由于Eu^3＋、Tb^3＋离子半径与Ca^2＋大小相当,稀土掺杂CaWO4的晶体结构并未引起其晶体结构的较大变化。荧光光谱仪测定样品的发光特性,结果表明：纯CaWO4产生430nm波长蓝光,CaWO4：Tb^3＋产生543nm波长绿光,而CaWO4：Eu^3＋则产生616nm波长红光。     

不同粒径碳化硅粉体的复合烧结与表征

以氮化硅为烧结助剂,聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为黏结剂,通过重结晶烧结法制备了纯碳化硅（SiC）陶瓷。采用X射线衍射、扫描电子显微镜和阿基米德定律对产物的结构、形貌和相对密度进行了表征,主要研究了SiC细粉的质量分数对SiC晶粒形貌的影响。结果表明,SiC细粉质量分数的变化对烧结样品的晶粒尺寸与形貌及其相对密度有较大影响。细粉质量分数由0%增加至60%,SiC晶粒的形貌由等轴状晶粒过渡为六方片状晶粒,晶粒尺寸非线性增加,样品的相对密度则呈先增加后降低的趋势,当细粉的质量分数为40%时,SiC陶瓷的相对密度最高。因SiC高温（2 000 ℃以上）蒸发与凝聚的烧结作用,当SiC细粉的质量分数为60%时,重结晶普遍发生,且SiC粗粉晶粒尺寸急剧增大,形成六方片状。     

钠离子交换法从黑云母中提钾及水钠云母的电化学性能

为了解决我国钾资源短缺的问题,从难溶性钾矿物中提取可溶性钾元素的技术需要被进一步研究。以钾含量相对较高的黑云母为研究对象,通过钠离子交换法从黑云母中提取出可溶性钾元素并制备出水钠云母负极材料。在80 ℃的水热反应温度下,钾离子与钠离子发生交换,通过过滤反应液从滤液中获取可溶性钾盐并得到水钠云母负极材料。X-射线衍射结果表明:反应后的云母层状硅酸盐结构未被破坏,8 h内提钾率高达92.3%。通过电化学工作站测定黑云母及提钾后水钠云母的电化学性能,在0.4 A/g电流密度下进行恒流充放电,测得水钠云母负极材料的首次放电比电容为9.8 F/g,较黑云母原矿的电化学性能有明显的提高。     

Sr和Nd掺杂对La9.33（SiO4）6O2电解质性能的影响

采用尿素-硝酸盐燃烧法对磷灰石型LSO电解质进行了三价稀土元素Nd和二价碱土元素Sr的La位掺杂,对合成样品进行XRD、SEM分析表征,并测试和分析了样品的电导率.结果表明:Sr、Nd掺杂对LSO的晶体结构、物相和形貌产生的影响很小,而适量的掺杂可有效提高LSO的氧离子传输性能.当掺杂x=0.3时,La9.33Mx(SiO4)6O2+δ(M=Sr、Nd)具有最高离子电导率,La9.33M0.3(SiO4)6O2+δ在500℃时的电导率分别为7.248×10-3S.cm-1、1.782×10-2S.cm-1.Nd掺杂不仅可以提高电导率,还可以降低传导活化能,相比于Sr掺杂更有利于LSO在中低温SOFCs中的应用.实验认为,Sr、Nd掺杂的LSO属于间隙氧传导机制,掺杂可以提高间隙氧的数量,间隙氧相比阳离子空位对LSO电导率的影响更大.     

均相沉淀法制备AACHH阻燃晶须

以硫酸铝和尿素为原料,山梨醇为模板剂,利用均相沉淀法在高压釜中反应合成了NH4Al(OH)3.24(CO3)0.38.H2O(AACHH)阻然晶须,研究了CO2相对浓度对合成产物及形貌的影响.XRD、FT-IR、PM和TG/DTA分析结果表明:在通入10 min的CO2的条件下可以制备出形状完好的AACHH晶须,晶须长径比为10~20,晶须释放阻燃气体为NH3、CO2和H2O,完全分解其失重量为57.9%.     

羟基磷灰石晶须的控制合成与机理探讨

采用均相沉淀法控制合成了羟基磷灰石（HAP）晶须，并采用SEM、FT-IR和XRD对样品进行了表征，从晶体热力学性质和晶体生长动力学两个方面分析了模板对羟基磷灰石晶须形貌的影响，探讨了羟基磷灰石晶须的生长机理．     

氯羟磷灰石固溶体的XRD研究

采用固相法合成一系列氯羟磷灰石固溶体,通过XRD表征手段进行晶体化学分析,结果发现：随着Cl^-含量增加,晶胞参数a增大,c减小．且二者呈线性关系：a=0．1494x＋9．4336,c=-0．0628x＋6．9026,符合Vegard定律．南Vegard定律计算的晶胞参数,与实测值比较发现,a与Cl^-含量更符合理论关系,而c相差较大,说明通道离子的半径、位置和电负性对晶胞参数a影响较小、c影响较大．     

水热法合成13X型沸石的相变转化机理

以偏铝酸钠、九水硅酸钠、氢氧化钠和蒸馏水为原料,采用水热法合成13X沸石,为探究其相变转化机理,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、红外(FT-IR)光谱分析和拉曼(Raman)光谱分析等测试手段,对不同反应时间合成的样品进行了物相、显微形貌及骨架结构演变的分析.结果表明,13X型沸石的硅铝酸阴离子骨架在反应初期就已形成,其晶化过程是不同类型13X沸石的物相演化过程,对应于沸石骨架中硅铝原子比的不断修正.随着沸石骨架中硅铝原子比先减小后增大,13X沸石的相变过程经历了一个先正相变后逆相变的过程,总相变式为:13X型沸石(Ⅰ)(Na1.84[(Al2Si4)O11.92]·7H2O)→13X型沸石(Ⅱ)(Na2[Al2Si3.3O10.6]·7H2O)和13X型沸石(Ⅲ)(Na2.06Al2Si3.8O11.63·8H2O)→13X型沸石(Ⅳ)(Na2Al2Si2.5O9·6.2H2O)→13X型沸石(Ⅱ)和13X型沸石(Ⅲ)→13X型沸石(Ⅰ)和13X型沸石(Ⅲ).