高密度电法在探测某隧道路段土石方量中的应用

为了完成对某隧道起始路段的岩层划分以及土石方量估测,利用高密度电法对其进行探测,运用合理观测方式,结合高密度反演软件处理解释并且对其探测结果采用少量钻孔进行验证。通过探测为该路段土石方开采提供了依据。相比其他方法而言,高密度电法具有有效、快速、准确的特点,不失为一种值得大力推广的好方法。     

计及多因素的配电网电容器优化配置研究

对配电网电容器优化配置进行研究,计及多因素建立了以系统的有功网损费用、电容器投资费用、电容器维护费用和预期中断费用之和为最小的目标函数,采用改进粒子群算法对该问题进行求解.在改进算法中采用自适应惯性权重,并对粒子群速度进行了变异操作,提高了粒子群算法的全局寻优能力.仿真结果表明,该方法使补偿后支出总费用较补偿前降低22.50%;并使得电压质量得到明显改善,各节点的故障率明显减小,其平均故障率可降低13.44%,系统的整体可靠性能得到改善.     

计及阀点效应负荷经济分配的杂交粒子群算法

提出了一种用于求解复杂的非凸、非线性具有阀点效应的火电有功负荷经济分配问题的杂交粒子群算法(HPSO).HPSO通过粒子追随自己找到的最优解和整个群的最优解来完成优化,并在此基础上将遗传算法的杂交思想引入到PSO算法当中,使其避免局部最优.算例的仿真结果表明:本文的算法有效、可行,可望应用于更广泛的优化问题.     

电力市场环境下基于深度强化学习的微网能量管理系统实时自动控制算法

作为多类分布式能源的集成者,微网在促进清洁低碳能源发展方面有巨大潜力.然而,可再生能源出力的不确定性给微网的管理带来了挑战,同时也将这种不确定因素带给外部电网.文章基于实时市场,构建了一个包含新能源机组、传统机组和需求响应资源的微网环境,并采用了能够利用环境信息的深度确定性策略梯度算法,这种无模型(Model-free)的强化学习算法有助于充分利用累积的数据信息,能够更好地适应不确定环境,在连续的状态空间和动作空间中进行学习提升.仿真结果表明,所提算法能够有效应对微网中的不确定因素,降低微网运行成本.     

电厂一次调频控制策略的分析及优化

为保证供电质量,保持电网频率稳定尤为重要。目前,机组一次调频有DCS侧与DEH侧控制2种方式,这2种一次调频方式会使汽机调门朝相反方向调整,造成机组调节过于频繁,引起系统振荡。因此,有必要对DCS侧一次调频控制进行优化改进。通过对一次调频闭锁增、减逻辑的重新设定,使得2种一次调频方式可单独使用或联合使用。     

地区高压配电网无功规划分析和应用

配电网无功补偿可以有效地降低网络的有功损耗,提高系统的电压合格率,降低网络运行费用,提高供电质量.配电网无功规划就是在已确定网架的基础上,合理地规划无功补偿装置的容量,减小配电网无功功率流动,保证配电网安全、优质、经济地向用户供电.文章介绍了一种实用的高压配电网无功规划优化方法及其具体实施步骤,对某市高压配电网进行了实际的无功规划分析应用,获得了显著效果,为其他地区高压配电网的无功规划提供了实际参考.     

硫酸新霉素废水活性污泥的微生物群落结构解析

对硫酸新霉素废水处理中的好氧、厌氧活性污泥进行16S V3-V4扩增区域的微生物分类测序,采用宏基因组技术解析活性污泥的微生物群落结构.结果表明,从门水平而言,好氧活性污泥中的微生物主要为相对丰度为34.3％的变形菌门和相对丰度为11.5％ 的拟杆菌门,厌氧活性污泥中的微生物主要为相对丰度为42.7％ 的厚壁菌门、相对...     

架空输电线路外绝缘配置方式及发展方向

回顾架空输电线路外绝缘配置的发展过程,从污闪、风偏、雷击、鸟害、不明原因闪络、绝缘子老化等角度全面分析、比较现有线路外绝缘配置方式及产品。提出在防污闪涂料综合性能全面提高的前提下,发展由传统绝缘子(无机材质)与高质量防污闪涂料(有机材质)相结合的复合化玻璃(瓷)绝缘子产品,并实现工厂化、规模化生产,以有效提高线路外绝缘配置的综合质量,为特高压线路配置提供更合理的选择。     

电极材料对电渗过程作用机理的试验研究

分别采用铁、石墨、铜和铝电极开展室内电渗试验,从宏观和微观层面对试验结果进行了分析,比较了电势损失和离子迁移过程对电渗效果的贡献,并基于微观机理对电渗宏观规律作出了合理解释,其结论为:Fe2+和Cu2+迁移能力较差,大多聚集在阳极附近无法移动,Al 3+迁移能力较强,在电场作用下易运移到阴极随水排出;电极材料通过电极反应生成离子进入土壤对电渗的促进甚小,其主要作用在于通过电极腐蚀、钝化、氧化以及电极与土体部分脱离引起电势损失,这是不同电极材料电渗效果差异的根本原因,同时也表明电渗排水依赖于土壤中其他离子类型;电能利用率与土体本身性质息息相关,受电极材料影响不大.该研究可进一步揭示电渗机理,为电渗法的工程应用提供指导.     

基片温度对纳米金刚石薄膜掺硼的影响

采用微波等离子体化学气相沉积法,以氢气稀释的乙硼烷为硼源进行了纳米金刚石(NCD)薄膜的生长过程掺硼,研究了基片温度对掺硼NCD薄膜晶粒尺寸、表面粗糙度、表面电阻和硼原子浓度的影响.利用扫描电子显微镜和原子力显微镜观察NCD薄膜的表面形貌,并通过Imager软件对原子力显微镜数据进行分析获得薄膜的表面粗糙度及平均晶粒尺寸信息;采用四探针测量掺硼NCD薄膜的表面方块电阻,利用二次离子质谱仪对掺杂后NCD薄膜表面区域的硼原子浓度进行测量.实验结果表明,较高的基片温度有利于提高薄膜的导电能力,但随着基片温度的提高,NCD薄膜的平均晶粒尺寸和表面粗糙度逐渐增大;此外,当反应气体中的乙硼烷浓度一定时,掺杂后NCD薄膜的表面硼原子浓度随基片温度升高存在一个饱和值.在所选乙硼烷浓度为0.01%的条件下,基片温度在700℃左右可以在保证薄膜表面电性能的基础上保持较好的表面形貌.