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991.
Silicon - Ceramic composites are extremely sensitive to the surrounding environment. Their tribological performance may degrade drastically if they are polluted by some external agent. The present... 相似文献
992.
Silicon - In this study, an attempt was made to enhance the mechanical and microstructural properties of aluminium (Al) based FGM with the influence of silicon carbide (SiC) elements. The five... 相似文献
993.
Silicon - The hybrid metal matrix composite is developed through stir casting process. In theAl7075 aluminium matrix material, two different combination of reinforcements are used to make hybrid... 相似文献
994.
Zeraati Malihe Abbasi Hossein Safinejad Moosareza Kazemzadeh Parya Chauhan Narendra Pal Singh Sargazi Ghasem 《SILICON》2022,14(13):7633-7642
Silicon - Metal-assisted chemical etching (MACE) of silicon is used in this study to fabricate silicon nanowire arrays (SiNWs) of different length. This method was modeled using gene expression... 相似文献
995.
Singh Lokendra Agrawal Niteshkumar Saha Chinmoy Singh Brij Mohan Singh Taresh 《SILICON》2022,14(13):7819-7828
Silicon - Fiber grating based sensors demonstrate great potential especially for the refractive index (RI) based sensing. However, a meticulous effort is still required to improve the sensitivity... 相似文献
996.
Ajith Kumar K. K. Srinivasan A. Pillai U. T. S. Pai B. C. Chakraborty M. 《SILICON》2022,14(15):9499-9515
Silicon - The present work aims at understanding the microstructure and mechanical property correlation of hypo (Mg-0.5, 0.7, 1.15 wt% Si) and hyper (Mg-2, 4, 6, 8 and 10 wt% Si) eutectic binary... 相似文献
997.
Silicon - Silicon (Si) and silver (Ag) doped amorphous carbon (a-C) thin film were deposited on chrome nitrided 316 LVM stainless steel using filtered cathodic vacuum arc (FCVA) deposition... 相似文献
998.
Silicon - Accumulation of trap charges at the semiconductor and oxide interface is the most dominating factor and cannot be neglected as it degrades device performance and reliability. This... 相似文献
999.
Silicon - Today, Fin shaped Field Effect Transistors (FinFETs) are the framework of the sub-nanometer technology node. The leading semiconductor industry deploys it in low-power (LP) and... 相似文献
1000.
Gupta Vidyadhar Awasthi Himanshi Kumar Nitish Pandey Amit Kumar Gupta Abhinav 《SILICON》2022,14(6):2989-2997
Silicon - This present article interprets the analytical models of central channel potential, the threshold voltage, and subthreshold current for Graded-Doped Junctionless-Gate-All-Around... 相似文献