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281.
Miguel A. Contreras Andrew M. Gabor Andrew L. Tennant Sally Asher John Tuttle Rommel Noufi 《Progress in Photovoltaics: Research and Applications》1994,2(4):287-292
This communication reports an MgF2/ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2/Mo/glass polycrystalline solar cell with a confirmed total-area conversion efficiency of 16.4%. the thin-film Cu(In,Ga)Se2 absorber was fabricated by computer-controlled physical vapor deposition (PVD) from the elemental sources. the resulting absorber has a Gal/In compositional grading that we refer to as a notch. Capacitance-voltage (C-V) measurements also reveal a graded doping profile in the region near the electronic p-n junction. the enhanced device performance is characterized by an open-circuit voltage (Voc) of 660 mV and a particularly high fill factor (FF) of 78.7%. 相似文献
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