首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   200501篇
  免费   2336篇
  国内免费   614篇
电工技术   3479篇
综合类   155篇
化学工业   29158篇
金属工艺   8064篇
机械仪表   6091篇
建筑科学   4849篇
矿业工程   1303篇
能源动力   5173篇
轻工业   17208篇
水利工程   2305篇
石油天然气   4055篇
武器工业   8篇
无线电   23157篇
一般工业技术   40160篇
冶金工业   37273篇
原子能技术   5090篇
自动化技术   15923篇
  2021年   1659篇
  2019年   1605篇
  2018年   2607篇
  2017年   2683篇
  2016年   2813篇
  2015年   1818篇
  2014年   3109篇
  2013年   9003篇
  2012年   5085篇
  2011年   7082篇
  2010年   5627篇
  2009年   6385篇
  2008年   6478篇
  2007年   6536篇
  2006年   5604篇
  2005年   5256篇
  2004年   5030篇
  2003年   4901篇
  2002年   4529篇
  2001年   4663篇
  2000年   4586篇
  1999年   4732篇
  1998年   11384篇
  1997年   8127篇
  1996年   6414篇
  1995年   4681篇
  1994年   4278篇
  1993年   4078篇
  1992年   3228篇
  1991年   3078篇
  1990年   2871篇
  1989年   2954篇
  1988年   2831篇
  1987年   2398篇
  1986年   2308篇
  1985年   2718篇
  1984年   2506篇
  1983年   2345篇
  1982年   2091篇
  1981年   2204篇
  1980年   2032篇
  1979年   2125篇
  1978年   2120篇
  1977年   2366篇
  1976年   3190篇
  1975年   1833篇
  1974年   1761篇
  1973年   1773篇
  1972年   1443篇
  1971年   1339篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
41.
Pre-metal-deposition reactive ion etching (RIE) was performed on an Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructure in order to improve the metal-to-semiconductor contact resistance. An optimum AlGaN thickness for minimizing contact resistance was determined. An initial decrease in contact resistance with etching time was explained in terms of removal of an oxide surface layer and/or by an increase in tunnelling current with the decrease of the AlGaN thickness. The presence of a dissimilar surface layer was confirmed by an initial nonuniform etch depth rate. An increase in contact resistance for deeper etches was experienced. The increase was related to depletion of the two-dimensional (2-D) electron gas (2-DEG) under the ohmics. Etch depths were measured by atomic force microscopy (AFM). The contact resistance decreased from about 0.45 Ωmm for unetched ohmics to a minimum of 0.27 Ωmm for 70 Å etched ohmics. The initial thickness of the AlGaN layer was 250 Å. The decrease in contact resistance, without excessive complications on device processing, supports RIE etching as a viable solution to improve ohmic contact resistance in AlGaN/GaN HEMTs  相似文献   
42.
43.
44.
45.
46.
Phase transformations in particles of ultrafine powders of graphite, hexagonal boron nitride, and quartz during rapid heating and cooling by passage through a laser beam were investigated. A continuous infrared laser with a wavelength of 10.6 μm was used as a heat source through which the powders were recycled several times. Methods of concentrating the product phases are described. Particles of diamond, carbides, cubic boron nitride, koesite and stishovite were obtained in the mixed products.  相似文献   
47.
Summary The equilibrium water contents of linear poly(acrylic acid) sodium salts with different degrees of neutralisation were found to be dependent on temperature and relative humidity. An octahedral model for the primary hydration of poly(acrylic acid) sodium salts (HIRAOKA and YOKOYAMA 1980) was critically evaluated in the light of these findings and an anomaly in the water uptake versus neutralisation curve at approximately 33% neutralisation was explained by the counterion condensation theory. (MANNING 1979).  相似文献   
48.
49.
Lenin Dnepropetrovsk Pipe Plant. Translated from Metallurg, No. 8, p. 39, August, 1989.  相似文献   
50.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号