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101.
为了研究多路激光体布喇格光栅光谱合成的合成特性,采用建立多路反射式体布喇格光栅光谱合成系统物理模型的方法,得到了具有不同谱宽的光束的衍射效率曲线,以及体布喇格光栅材料的吸收系数和通道间的串扰对总的合成效率的影响曲线。结果表明,在入射光束中心频率不变的情况下,随着光束光谱宽度的增大,衍射效率逐渐减小;随着光束中心频率与光栅中心频率之间偏移量的增加,衍射效率逐渐减小;当光束谱宽与光栅光谱选择宽度大约相等,并且通道之间的间距较小时,通道之间由于发生串扰而损失的衍射效率需考虑,随着合成路数的增加,总的合成效率受体布喇格光栅材料吸收系数的影响越来越大,而受串扰的影响则几乎保持不变。 相似文献
102.
103.
为研究喷射沉积沉积态合金的显微组织及第二相种类,利用喷射沉积技术制备了Al-12Zn-2.4Mg-1.1Cu-0.5Ni铝合金.使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和X射线能谱仪对沉积态合金进行了研究.研究结果表明:沉积态合金的晶粒尺寸只有15μm左右,第二相主要有Mg(Zn,Cu)2相、L12-Al3Zr相和Al-Fe-Ni相,且Mg(Zn,Cu)2相易在Al-Fe-Ni相周围形核长大.沉积态试验合金抗拉强度最大值为360.3 MPa,延伸率为2.1%,断口分析表明合金的断裂方式主要为沿晶脆性断裂.该研究结果确定了沉积态合金中第二相的分布规律和L12-Al3Zr相与基体的取向关系,为后续变形加工及热处理提供了依据. 相似文献
104.
105.
106.
综合孔径技术已被广泛应用于被动式毫米波成像.由于成像系统的电路需要对天线收到的电信号进行长时间的处理以得到足够多的数据来重建图像,因此成像速度慢是这种方法的主要限制.通过电光幅度调制技术把毫米波调制到激光载波上,带有图像信息的光信号通过光纤传输后再经过透镜可以直接成像.本文从原理上比较了新的电光成像系统和原系统的异同,对于提出的新系统,采用10GHz的微波调制信号,载波波长为1550nm的激光进行一维点源成像仿真.成像结果说明了新的电光系统可以得到含有源辐射强度和方向信息的图像,但由于光纤间距远大于光波长,图像的角度范围大大缩小.仿真结果说明新的成像系统可以快速成像,并且通过增加孔径个数可以提高图像的分辨率. 相似文献
107.
为了研究复合Nd:YAG激光晶体棒在端面抽运下的温度分布及热透镜效应,采用数值分析法得到了端面抽运激光晶体棒内温度场的数值解,当抽运光功率为18W、光斑半径0.2mm时,吸收系数为3.5/cm的复合晶体内最大温度为73.8℃;同时还得到了径向梯度折射率引起的轴向传播光相位延迟分布ΔΦt(r),并与相同条件下的普通晶体作了比较.结果表明,采用复合晶体可以大幅度降低激光晶体内的温升,并减小端面变形导致的透镜效应;复合晶体内的相位延迟分布ΔΦt(r)与普通晶体的相似,且不满足对半径r的二次方关系;热透镜和参考球面镜透镜的相位延迟分布之间存在畸变Δφ,在r较小(rp)时,相位延迟分布ΔΦt(r)可近似等效于一球面透镜,其等效焦距fGRIN值与普通晶体的接近,在r较大(r>wp)时,畸变Δφ随r增大而急剧增大. 相似文献
108.
109.
三相全控桥式整流电路实验装置的研制 总被引:1,自引:1,他引:1
介绍了开发三相全控桥式整流电路实验装置的背景;叙述了TC787芯片的内部结构、工作原理、特点及芯片的各个管脚的功能;详细介绍了该实验装置的触发电路的设计思路、设计结果和工作原理;介绍了该实验装置的主电路部分的结构和特点。该实验装置性能可靠,符合本科生实验要求。 相似文献
110.
Yangyang Sun Lingbo Zhu Hongjin Jiang Jiongxin Lu Wei Wang C.P. Wong 《Journal of Electronic Materials》2008,37(11):1691-1697
Carbon nanotube (CNT) arrays/films were transferred onto copper substrates via eutectic tin/lead (SnPb) solder pastes. The
morphologies, thermal stabilities, adhesion to substrates, and electrical properties of the as-transferred CNT arrays were
studied. The CNT arrays generated negligible expansion or contraction below 250°C. The adhesion of CNT arrays to the substrate
was significantly improved by the transfer process. An ohmic contact was formed between the transferred CNT arrays and the
Sn-Pb solder. Four-probe electrical measurements yielded the resistance of the as-transferred CNT films under the electrode
to be around 0.0056 Ω, from which the resistivity of each individual CNT tube was calculated to be 2.44 × 10−4 Ω cm. 相似文献