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991.
A highly linear electrooptic modulator has been designed, fabricated, and evaluated. The design of this modulator consists of only a simple modification to the directional coupler. Two-tone testing has demonstrated that, for an optical modulation depth of 30% per channel, the third-order intermodulation distortion is more than 30 dB lower than that of the conventional directional coupler or Mach-Zehnder modulators. This improvement was not observed to be accompanied by any increase in second harmonic distortion. Also included are results of two-tone computer simulations which predict the improvement in linearity of this device for a range of modulation depths.<> 相似文献
992.
A design-for-testability scheme for detecting CMOS analog faults was reported by Favalli et al. (see ibid., vol.25, no.5, p.1239-46, 1990). The authors propose two alternative designs, one for small circuits and another for large circuits, which require significantly less area overhead (about 1/4 to 1/3) than that of Favalli's design. With the proposed modification in the first design, the untestable problem, which occurred in Favalli's design, can be alleviated. Furthermore, the proposed schemes are also fit to be implemented in VLSI circuits 相似文献
993.
994.
从油气勘探、开发投资的特性出发,正确选择投资绩效评价指标,是保证评价科学性以及进行中外对比研究的前提条件。 相似文献
995.
随着深亚微米集成电路技术的发展,集成电路的规模越来越大,工作频率越来越高,并正朝着系统集成的方向发展,因而在模拟速度,模拟精度和可模拟的电路规模等各个方面对电路仿真技术提出了新的要求。近年来,各种新的电路仿真方法和仿真系统用相继脱颖百出,并将取代那些传统的,已经无法适应深亚微米技术发展的电路仿真器。 相似文献
996.
南哨水电站位于雷公山暴雨中心区, 洪水峰高量大, 水库基本无滞洪削峰, 由于坝址处河床深切而狭窄, 溢洪道作拱坝坝身表孔溢流短鼻坎挑流的布置。为使溢洪道既有较好的挑流消能效果, 又能达到控制大坝工程投资的双重目的, 将混凝土拱坝体型作了一反常规的设计布置, 即河床部分悬臂梁的上部向水库倒悬呈负坡, 岸边悬臂梁渐变为竖直呈正坡; 水平拱圈曲率由高到低逐渐变小, 而曲率半径则逐渐加大。拱坝的体型适应了溢洪道作高落差挑流鼻坎的布置, 使其溢洪舌远离坝脚, 经运行13 年来多次洪水的检验, 在下游不做消能防冲工程措施的情况下, 保证了大坝和下游两岸岩体的稳定安全, 而大坝和溢洪道运行状态良好。 相似文献
997.
三维漫射体真彩色合成似狭缝彩虹全息术 总被引:1,自引:0,他引:1
采用合成似狭缝彩虹全息术记录三维漫射体真彩色彩虹全息图,用单波长激光逆光路再现。在记录过程中,不同波长的参考光具有不同的入射角,从而使透镜孔径的有效利用率达到最高,并给出了理论分析和实验结果. 相似文献
998.
The authors report on the fabrication and characteristics of a unipolar, three-terminal, resonant-tunneling transistor. The operating principle of this new transistor is based on the fact that the quantum mechanical resonant-tunneling probability of hot electrons between the emitter and the collector is switched almost completely on and off, when either the base or the collector bias is swept. The emitter injects hot electrons to the second lowest subband of a thin (100 Å in this work) GaAs quantum well. Subsequently, the hot electrons will either resonantly tunnel to the collector, or relax to the lowest subband and contribute to the base current. As a result of resonant transmission, at 77 K the current-voltage characteristics of the transistor display negative differential resistance with extremely large (4691) peak-to-valley ratio. Furthermore, when biased near resonance, a maximum DC current gain of ~1.2 and a maximum AC current gain of ~11.9 were observed. The first use of a new `tunneling-in and tunneling-out' scheme in contacting a thin quantum well is also demonstrated 相似文献
999.
本文介绍了全球N-ISDN的商用情况和B-ISDN的发展趋势,展示出N-ISDN走了低谷、B-ISDN迈向市场的美好前景。 相似文献
1000.
The authors derive and verify the concept of antenna focusing by a planar 'microstrip reflectarray' antenna. Experimental results from schematically distributed patch radiators with microstrip delay lines are consistent with the simulation results. The advantages and disadvantages of such an antenna are described. The measured overall antenna efficiency is approximately 48% at scan angles up to 30 degrees . These results demonstrate the feasibility of such an antenna.<> 相似文献