平衡纵剖面数值试验及其对防洪的影响研究

本文采用一维非恒定流非均匀沙的水沙数学模型，以长江中游螺山汉口河段为背景，进行了根化数值模拟试验，分析了该概化河段平衡纵剖面的变化规律及其与上游来水来沙条件的关系，并和相应的理论公式进行了比较。在此基础上，对水沙条件发生较在变化时的平衡纵比降以及带来的对长江中下游防洪的影响进行了分析。     

混合结构楼房爆破拆除倒塌范围的确定

通过对混合结构楼房爆破倾倒过程特点的分析,提出了楼房在倾倒过程中的运动计算模型,并应用体积平衡原理,得到这类楼房爆破爆堆参数计算公式,用该公式计算的结果与实例中爆堆实测数据相比较,相对误差不超过11%.     

OSEK/VDX——汽车电子系统的开放式平台

介绍了当前在国际汽车工业界日益占据主导地位的汽车电子系统开放式平台--OSEK/VDX体系.详细地论述了这种体系的由来、运行机制和最新的发展动向,以及它对汽车电子技术发展的深远影响.     

A new family of yeast genes implicated in ergosterol synthesis is related to the human oxysterol binding protein

We have identified three yeast genes, KES1, HES1 and OSH1, whose products show homology to the human oxysterol binding protein (OSBP). Mutations in these genes resulted in pleiotropic sterol-related phenotypes. These include tryptophan-transport defects and nystatin resistance, shown by double and triple mutants. In addition, mutant combinations showed small but apparently cumulative reductions in membrane ergosterol levels. The three yeast genes are also functionally related as overexpression of HES1 or KES1 alleviated the tryptophan-transport defect in kes1Δ or osh1Δ mutants, respectively. Our study implicates this new yeast gene family in ergosterol synthesis and provides comparative evidence of a role for human OSBP in cholesterol synthesis.     

Ti-23Al-14Nb-3V合金氩弧焊接头的显微组织及其力学性能

研究了预热对Ｔｉ－２３Ａｌ－１４Ｎｂ－３Ｖ合金焊接性，特别是对消除氩弧焊冷裂纹的作用以及对接头显微组织和力学性能的影响。结果表明，焊前预热可有效降低该合金的冷裂倾向。经预热处理后，焊缝区的结晶层状线消失，热影响区的硬度峰得到缓和，整个焊缝的显微硬度分布趋于均匀，但焊缝区的枝晶发生粗化，热影响区有所扩大。焊件接头的拉伸试验表明，预热可使焊缝区的接头强度系数增加，但无论预热与否，接头强度均低于母材强度，且不显示宏观塑性。     

中国香港电信盈科公司近期经营业绩分析

中国香港电信与盈科数码动力有限公司合并以后更名为电信盈科。它由一家以技术为主的电信公司转型为亚太地区、特别是两岸三地的商界及个人客户提供服务的综合通信服务供应商，主要提供电话服务、互联网、商企电贸服务、数据中心、客户联络中心、环球通信服务和基建业务。分析了2001-2002年上半年其电信、商企电贸、基建以及与Telstra结盟等业务市场的经营情况。     

XML在机械CAD系统中的应用

分析了Internet上最新的XML技术的特点，通过实例用XML技术对机械CAD产生的各种文档信息进行了描述，并且构造了基于XML文档交换的分布式支持环境的体系结构。     

精密深孔表面环状硬挤条纹的产生机理与控制

本文建立了不同条件下环状硬挤条纹的生成模型,详细分析了其产生机理.用理论解析和试验验证了所建模型的可靠性,最后提出了控制其产生的方法.     

Monolithic SiGe Up‐/Down‐Conversion Mixers with Active Baluns

The purpose of this paper is to describe the implementation of monolithically matching circuits, interface circuits, and RF core circuits to the same substrate. We designed and fabricated on‐chip 1 to 6 GHz up‐conversion and 1 to 8 GHz down‐conversion mixers using a 0.8 µm SiGe hetero‐junction bipolar transistor (HBT) process technology. To fabricate a SiGe HBT, we used a reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) system to grow a base epitaxial layer, and we adopted local oxidation of silicon (LOCOS) isolation to separate the device terminals. An up‐conversion mixer was implemented on‐chip using an intermediate frequency (IF) matching circuit, local oscillator (LO)/radio frequency (RF) wideband matching circuits, LO/IF input balun circuits, and an RF output balun circuit. The measured results of the fabricated up‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 6 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz. Also, the down‐conversion mixer was implemented on‐chip using LO/RF wideband matching circuits, LO/RF input balun circuits, and an IF output balun circuit. The measured results of the fabricated down‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 8 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz.