基于软件无线电的突发模式8DPSK的全数字化实现

提出了一种软件无线电中频收发机的结构和突发模式 8DPSK解调的实现框架 ,在 8DPSK解调时采用了前向初始参数估计算法 ,并证实了该算法的可行性。     

基于偏振光干涉仪的Interleaver解复用器实验研究

为实现更窄信道间隔的密集波分复用 ,提出了一种基于偏振光干涉仪的新型Interleaver解复用器 ,分析了结构组成与基本工作原理 ,对其进行了初步的测试实验 ,该器件所分开的DWDM系统两组波长功率均衡 ,隔离度分别为 1 0 6dB和 1 4 6 4dB ,- 1dB带宽分别为 0 7nm和 0 4nm。     

唐钢一炼铁厂提高烧结矿质量的实践

介绍了唐钢第一炼铁厂近几年来围绕提高烧结矿质量 ,满足高炉冶炼需求所做的大量工作及成效 ,并提出了今后的打算     

水管理策略对土壤水盐动态和区域地下排水影响的模拟评价

以宁夏惠农灌区平罗试验区为对象，基于田间观测与灌溉试验结果，在田间尺度采用SWAP模型开展不同地下水调控深度与灌溉制度相结合的水管理方案下土壤水盐动态的模拟，在区域尺度采用MODFLOW模型进行不同水管理方案对区域地下排水量影响的模拟评价，据此分析土壤水盐动态过程和农田排水系统的作用，对拟定的各种水管理方案进行评价。结果表明，现状灌溉用水量虽有助于减少表土盐分积聚，但地下排水量占灌溉用水量的39．4％；现状灌溉用水量减少50％时，浅埋地下水位会加重表土积盐；现状灌溉用水量减少25％时，作物根区没有产生明显的积盐，地下排水量减少31．4％。因此，较为合理的水管理方案是将现状灌水量减少25％的同时将地下水埋深控制在70cm以下，才能达到节水、增产、改善农田水土环境的目标。     

基于BCM3540的高清晰度数字电视机顶盒的硬件设计

介绍一种基于BCM3540的高清晰度数字电视机顶盒的硬件设计方案,该方案采用1块主芯片BCM3540及1块协处理器BCM7411,能够处理MPEG-2高清、标清以及H.264高清、标清信号,可以直接支持PCMCIA接口实现机卡分离,并具有32位PCI总线,可以很方便地进行功能扩展。     

一种中温C/C复合材料抗氧化涂层的制备及其性能

制备了一种工作温度约1 173 K的C/C复合材料抗氧化复合涂层,它由磷酸盐过渡层和陶瓷相阻挡层构成,通过与单一陶瓷相涂层的对比试验研究了它的抗氧化机理。涂覆有该复合涂层的C/C复合材料试样,在空气中1 173 K时氧化10 h的失重率为11.25％,氧化失重率为9.84×10~(-5)g/(cm~2·min),而且其氧化失重率随氧化时间延长而降低;4 h内经过30次从1 173 K至室温急冷急热循环后,失重率为6.38％,涂层基本完好,说明涂层在温度不超过1 173 K时具有良好的抗氧化性和抗热震性。该种涂层适合于中温下C/C复合材料的抗氧化保护。     

宜兴抽水蓄能电站环保及水土保持工程的综合利用

介绍了宜兴抽水蓄能电站建设过程中对环保及水土保持工程综合利用的做法.项目利用实施4#拦渣坝环保及水土保持工程,根据所处区域的地形、地貌,通过对4#拦渣坝的设计优化,不但使其具有拦挡冲沟的泥沙进入下水库的功能,又利用改进坝型形成一定供水能力的小水库解决了可以提供符合标准的生活用水的难题,从而提升了4#拦渣坝的复合功能,实现了该电站环保及水土保持工程的综合利用.     

凯萨·布隆斯泰德和沃迪·凯威设计事务所

本文通过对主要设计成员凯萨·布隆斯泰德和沃迪·凯威的背景,以及对私人住宅、餐馆、办公楼、图书馆、精品屋等案例的阐释,向读者介绍了这家十分活跃的芬兰设计事务所,同时展现了北欧的室内设计风格。     

白酒中四大酸与酯平衡常数及其特定酒度下平衡比值的研究

白酒中酸与酯之间存在着动态平衡，低度白酒中由于在货架期内酸与酯之间重新平衡，对理化指标和口感质量都有较大影响。通过对酒中酸与酯的平衡常数及不同酒度下酸与酯的平衡比值的研究，为科学勾兑尤其是解决低度白酒在货架期内出现质量问题提供了理论依据，旨在把酸酯平衡问题引向理论研讨领域。     

High quality gate dielectrics formed by rapid thermal chemical vapor deposition of silane and nitrous oxide

In the present study, we have performed electrical characterization of oxides deposited via rapid thermal chemical vapor deposition using SiH₄ and N₂O. We have investigated the effect of temperature, pressure, and SiH₄ to N₂O ratio on the electrical and material properties of as-deposited films. We have found that as-deposited oxides deposited at low temperatures, low pressures, and with a low silane to nitrous oxide ratio of ～0.5% give good material and electrical properties. The as-deposited films are stoichiometric in nature and have high deposition rates. As-deposited films had very low D_it values, high breakdown fields, and excellent subthreshold swing. The leakage currents and metal oxide semiconductor field effect transistor current drive, although lower than thermal oxides, were found to be quite acceptable. We have also investigated the thickness dependence of the films and found that as the film thickness is reduced below 50Å, the reliability improves for all oxides including the silicon-rich deposited oxides.