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为了改善硅功率器件击穿电压性能以及改善IGBT电流的流动方向,提出了一种沟槽-场限环复合终端结构。分别在主结处引入浮空多晶硅沟槽,在场限环的左侧引入带介质的沟槽,沟槽右侧与场限环左侧横向扩展界面刚好交接。结果表明,这一结构改善了IGBT主结电流丝分布,将一部分电流路径改为纵向流动,改变了碰撞电离路径,在提高主结电势的同时也提高器件终端结构的可靠性;带介质槽的场限环结构进一步缩短了终端长度,其横纵耗尽比为3.79,较传统设计的场限环结构横纵耗尽比减少了1.48%,硅片利用率提高,进而减小芯片面积,节约制造成本。此方法在场限环终端设计中非常有效。 相似文献
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传统的手语识别方法基本都是利用离散的各帧静态图像进行识别,存在一定局限性,根据普通摄像头获得的视频图像,并采用方向直方图来获得单帧的静态特征矢量和各帧图像间的动态特征矢量.实现手语的识别.首先针对头两帧图像,通过手部边缘轮廓提取算法找到手的区域,然后从中提取出能表现手部形状的静态特征矢量.同时,对连续帧的图像做动作评估,获得手部移动的动态特征欠量.最后,将手部形状的静态特征与动态特征结合,采用使用欧氏距离作为矢量问匹配程度的度量算法以实现手语识别.实验对5个人的5种手语分别进行测试,均能正确识别,结果验证了该方法的有效性. 相似文献
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WANG Bo DING Peng FENG Ruize WANG Yanfu LIU Xiaoyu SUN Tangyou CHEN Yonghe LIU Xingpeng LI Qi LI Yue LIU Yingbo YIN Yihui ZHAO Hao ZHANG Wei LI Haiou JIN Zhi 《电子学报:英文版》2021,(6):1017-1021
In this paper, we investigated the electrical properties of the Metal-oxide-semiconductor gate stack of Ti/Al2O3/InP under different annealing conditions. A min... 相似文献
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循环冗余校验在TMS320C64x+DSP上的高效实现 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍循环冗余校验CRC在TMS320C64x+系列DSP上的软件实现。给出了该实现方法的理论推导过程并提供了相应的软件实现代码。 相似文献
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为了分析不同尺寸条件下扩底墩的承载机理,利用三维有限元,建立墩土接触模型,分析不同墩身长度、扩底直径以及扩大头锅底高度时扩底墩的承载性状.对不同墩身长度下侧阻与端阻的发展过程,以及扩底墩墩身长度、扩底直径和锅底高度对承载力和墩底压力的影响进行了分析.可以发现,随着扩底直径的增加,扩底墩承载力明显提高,基本成线性关系;扩大头锅底高度的增加对扩底墩承载力影响较小,但可以减小墩底边缘的应力集中,锅底高度与墩底直径之比宜控制在0.2~0.3. 相似文献
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