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152.
Band gaps and defect levels in functional oxides 总被引:2,自引:0,他引:2
Most ab-initio calculations of the electronic structure use the local density approximation, which gives good structural data but severely underestimates the band gaps of semiconductors and insulators. This paper presents calculations of the band structures and oxygen vacancy levels of some important oxide semiconductors and insulators, using density functional methods which do give more accurate band gaps. The materials SnO2, Cu2O, SrCu2O2, CuAlO2, SrTiO3, HfO2, ZrO2, La2O3, ZrSiO4, and SiO2 are covered. 相似文献
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154.
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
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156.
优化锰铁高炉配矿结构 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了通过优化高炉锰铁烧结矿原料结构,改善了烧结矿性能,使锰铁冶炼取得了增产、节焦、降成本的明显效果。 相似文献
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158.
Sihai Chen Xinjian Yi Hong Ma Tao Xiong Hongcheng Wang Caijun Ke 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》2004,25(1):157-163
This paper presents a method to make vanadium dioxide (VO2) crystallites on silicon substrates by reactive ion beam sputtering. The thickness of the thin film is about 100nm. The phase transition temperature of VO2 is 65°C. The transmittance of the semiconducting phase VO2 is about 50% and it is reduced to as low as 3% in metal phase at the infrared wavelenghth spectrum. The extinction ratio of the optical switches is 12dB. and the insertion loss is of 1-2dB. The switching time is about 1ms. 相似文献
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160.
叙述了Quilone试剂的合成,改性脲醛树脂的原理、实验方法、改性后脲醛树脂的抗水性、抗渗透性、耐化学药品性及其影响因素。 相似文献