Band gaps and defect levels in functional oxides

Most ab-initio calculations of the electronic structure use the local density approximation, which gives good structural data but severely underestimates the band gaps of semiconductors and insulators. This paper presents calculations of the band structures and oxygen vacancy levels of some important oxide semiconductors and insulators, using density functional methods which do give more accurate band gaps. The materials SnO₂, Cu₂O, SrCu₂O₂, CuAlO₂, SrTiO₃, HfO₂, ZrO₂, La₂O₃, ZrSiO₄, and SiO₂ are covered.     

新型细粒煤分选设备的研究及应用

提出了一种新的细粒煤分选设备,主要介绍了它的结构模型、数学模型、动力学分析以及在贵州老屋基、孝义东兴、山西五阳、黑龙江七台河矿务局等洗煤厂中在煤泥脱水回收作业中的应用,取得了较好的效果。尤其用于简易选煤厂,从煤泥水中回收低灰精煤,既解决了环保污染问题,又取得了较高的经济效益,因而倍受欢迎。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

数据挖掘技术在大坝安全决策支持系统中的应用

数据挖掘技术是一个新兴的，具有广阔应用前景和极富挑战性的研究领域。在充分研究大坝安全决策支持系统的基础上，结合数据挖掘技术的概念与方法等，对数据挖掘技术在大坝安全决策支持系统中的应用进行论述，与此同时，运用数据挖掘技术分析了某大坝垂直位移测值突变的物理成因。     

优化锰铁高炉配矿结构

介绍了通过优化高炉锰铁烧结矿原料结构，改善了烧结矿性能，使锰铁冶炼取得了增产、节焦、降成本的明显效果。     

添加CaF2-YF3的AlN陶瓷的热导率

用CaF2和YF3做添加剂，在1750℃制备了热导率高于170W/m.K的的AlN陶瓷，并用XRD和SEM研究了AlN陶瓷在烧结过程中的相组成，微结构以及晶格参数的变化，并讨论了其对热导率的影响，研究发现，当使用CaF2-YF3做添加剂时，微结构差异对AlN陶瓷热导率的影响很小，AlN陶瓷的热导率主要由AlN晶格氧缺陷浓度决定，由于CaF2-YF3能有效降低AlN颗粒表面的氧含量，从而有利于获得高的热导率。     

Phase Transition VO2 Thin Films for Optical Switches

This paper presents a method to make vanadium dioxide (VO₂) crystallites on silicon substrates by reactive ion beam sputtering. The thickness of the thin film is about 100nm. The phase transition temperature of VO₂ is 65°C. The transmittance of the semiconducting phase VO₂ is about 50% and it is reduced to as low as 3% in metal phase at the infrared wavelenghth spectrum. The extinction ratio of the optical switches is 12dB. and the insertion loss is of 1-2dB. The switching time is about 1ms.     

Quilone试剂改性脲醛树脂——新型防水涂料的制备

叙述了Quilone试剂的合成,改性脲醛树脂的原理、实验方法、改性后脲醛树脂的抗水性、抗渗透性、耐化学药品性及其影响因素。