全文获取类型
| 收费全文 | 525332篇 |
| 免费 | 8037篇 |
| 国内免费 | 1469篇 |
专业分类
| 电工技术 | 9562篇 |
| 综合类 | 526篇 |
| 化学工业 | 78697篇 |
| 金属工艺 | 19972篇 |
| 机械仪表 | 15202篇 |
| 建筑科学 | 12680篇 |
| 矿业工程 | 2270篇 |
| 能源动力 | 14523篇 |
| 轻工业 | 47117篇 |
| 水利工程 | 5220篇 |
| 石油天然气 | 9335篇 |
| 武器工业 | 37篇 |
| 无线电 | 60011篇 |
| 一般工业技术 | 101810篇 |
| 冶金工业 | 104054篇 |
| 原子能技术 | 10560篇 |
| 自动化技术 | 43262篇 |
出版年
| 2022年 | 3163篇 |
| 2021年 | 4890篇 |
| 2020年 | 3480篇 |
| 2019年 | 4556篇 |
| 2018年 | 7812篇 |
| 2017年 | 7610篇 |
| 2016年 | 7935篇 |
| 2015年 | 5571篇 |
| 2014年 | 9247篇 |
| 2013年 | 24088篇 |
| 2012年 | 14639篇 |
| 2011年 | 20163篇 |
| 2010年 | 15810篇 |
| 2009年 | 17717篇 |
| 2008年 | 18111篇 |
| 2007年 | 17804篇 |
| 2006年 | 15529篇 |
| 2005年 | 14229篇 |
| 2004年 | 13623篇 |
| 2003年 | 13417篇 |
| 2002年 | 12655篇 |
| 2001年 | 12840篇 |
| 2000年 | 11887篇 |
| 1999年 | 12614篇 |
| 1998年 | 32952篇 |
| 1997年 | 22978篇 |
| 1996年 | 17511篇 |
| 1995年 | 13071篇 |
| 1994年 | 11316篇 |
| 1993年 | 10999篇 |
| 1992年 | 7925篇 |
| 1991年 | 7420篇 |
| 1990年 | 7278篇 |
| 1989年 | 7021篇 |
| 1988年 | 6485篇 |
| 1987年 | 5773篇 |
| 1986年 | 5666篇 |
| 1985年 | 6282篇 |
| 1984年 | 5909篇 |
| 1983年 | 5179篇 |
| 1982年 | 4911篇 |
| 1981年 | 4975篇 |
| 1980年 | 4708篇 |
| 1979年 | 4613篇 |
| 1978年 | 4421篇 |
| 1977年 | 5354篇 |
| 1976年 | 7008篇 |
| 1975年 | 3801篇 |
| 1974年 | 3554篇 |
| 1973年 | 3671篇 |
排序方式： 共有10000条查询结果，搜索用时 125 毫秒
101.
102.
Bochkareva N. I. Ivanov A. M. Klochkov A. V. Kogotkov V. S. Rebane Yu. T. Virko M. V. Shreter Y. G. 《Semiconductors》2015,49(6):827-835
Semiconductors - It is shown that the emission efficiency and the 1/f noise level in light-emitting diodes with InGaN/GaN quantum wells correlate with how the differential resistance of a diode... 相似文献
103.
104.
105.
106.
107.
108.
109.
110.
Semiconductors - We found bulk n-GaAs layers grown by liquid phase epitaxy to be irregularly stressed. Deformation created by this stress causes a small but detectable quadrupole splitting of... 相似文献