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991.
在网络发展和业务应用需求的双重驱动下,电信级IPQoS作为实现多业务网络的关键技术得到了越来越多的关注。本文针对电信级IPQoS的相关问题,包括电信级IPQoS的必要性、研究和应用的现状、电信级IPQoS的框架模型进行了思考和研究,并对IPQoS的发展趋势进行了展望。  相似文献   
992.
NGN中SIP与MGCP的互通实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨丰瑞 《电信科学》2003,19(12):21-24
下一代网络(NGN)体系采用开放的网络架构,而媒体网关控制协议(MGCP)和会话起始协议(SIP)作为NGN的关键协议,在其体系结构中占有极其重要的位置。由于两均可在分组交换网络上实现语音、多媒体等通信业务,因此研究两间的互通对于实现在NGN中更方便地提供多媒体业务有着重要的实际意义。本分别从基于MGCP和SIP的呼叫分析出发,对MGCP和SIP互通中需解决的协议映射、寻址、能力协商等问题进行了研究,并以MGCP侧发起呼叫为例模拟了MGCP与SIP的互通实现。  相似文献   
993.
一种用于DVB-C的全数字QAM解调器结构   总被引:2,自引:0,他引:2  
该文提出了一种适用于数字有线电视的全数字QAM解调器结构,对解调器的载波恢复、符号同步、自动增益控制和自适应均衡等进行研究分析,通过仿真给出了相应的参数,最后给出整个解调器在AWGN信道条件下的误码性能,从仿具结果可以看出,该文提出的解调器具有较好的性能,且易于全数字实现。  相似文献   
994.
利用残余点优选InSAR干涉相位条纹图的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
该文基于相位展开中残余点的概念,深入研究了残余点发生概率与配准精度间的内在联系,根据所得出的模型,提出以残余点的数目作为衡量不同配准结果的准则。挑选出最佳的条纹图,从而最大程度地减小数字高程图中因配准所引起的误差.实际数据的研究表明,该方法简便精确、行之有效.  相似文献   
995.
该文利用相邻滑动窗数据之间的关系以及傅氏变换的平移性质,提出一种二维滑动矩形窗傅氏变换的快速递推算法。文中分析了该快速递推算法的复杂度和传统直接计算法的复杂度,证明了新的快速递推法可以大大降低计算复杂性,尤其是在图像尺寸和窗口尺寸较大的场合中。该算法可以改善滑窗傅氏变换或Gabor变换的计算效率。  相似文献   
996.
脉冲波形对其轴线能量传播特性影响的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
在相同平面圆形辐射器条件下,对具有相同中心频率的几种典型脉冲,根据电磁场理论,给出了它们轴线能量传播特性的解析计算公式和数字模拟结果。研究表明:当脉冲的上升时间小于有效脉冲宽度的1/20时,在脉冲传播的慢衰减区,等腰梯形脉冲的传播特性优于目前普遍应用的正弦脉冲。  相似文献   
997.
该文对Sarabandi的分布目标定标算法作了改进。然后利用SIR-C系统的L波段的未定标的和经过SIR-C定标组定标过的同一场景数据,采用修正的Sarabandi算法进行定标实验。最后比较该算法结果与SIR-C定标组定标结果。检验该算法的性能。  相似文献   
998.
本文首次提出了同步泵浦声光调Q全固态脉冲激光器,分析了其基本理论,设计并实现了这种新型激光器。它克服了现有小型全固态脉冲激光器存在寄生多脉冲和峰值功率还不够高的缺点,用2W LD的泵浦时,得到了重复频率为4.5kHz、峰值功率为6kW、脉宽为18ns、无寄生脉冲的连续脉冲激光输出,可以较好地满足激光测距和激光雷达对此类激光器性能的要求。本文对实验方案、设备和结果进行了详细的描述。  相似文献   
999.
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 .  相似文献   
1000.
应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨荣  罗晋生 《半导体学报》2003,24(9):966-971
以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGepMOS同SipMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGepMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGepMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于SipMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同SipMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGepMOS呈现穿通击穿机制  相似文献   
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