Research and Development of a Network—Based Intelligent Maintenance Information System

A maintenance information system is an important part of equipment management.An intelli-gent maintenance information system(IMIS)is a synthesis of network technology,information technology and intelligent technology.The IMIS in used to finish flexible maintenance decision-making and fast main-tenance planning,which helps enterprises to effectively reduce maintenance cost and increase working effi-ciency.Because the IMIS integrates advanced technologies,its performance is better than a traditional one.The difference between an IMIS and a traditional maintenance information system,and the functions,struc-ture,important realizations,and application of an IMIS are discussed in this paper.     

一种新的基于快速功控的多普勒估计

针对采用快速功控的移动通信系统提出了一种简便的多普勒估计方法。该方法利用功控后的接收信号电平的平稳性与最大多普勒频移有密切关系这一特点，通过测量接收信号电平的平稳性估计多普勒频移。文中在单径瑞利衰落信道条件下对这一方法进行了仿真验证，并同文献中提出的COV方法进行了比较，仿真结果表明在信道变化不是太快时本方案有较好的估计精度。     

一种新的SDH开销处理方法

文章提出了一种较为实用的SDH系统方案，并在系统中采用了一种新型的、便于系统升级的开销处理方法，该系统已通过了电路实现和硬件的测试，     

引进监理机制搞好信息系统开发

介绍了在常规模式下开发信息系统项目的不利因素，提出了在信息系统工程项目开发中引入工程监理的信息系统开发模式，对信息系统工程监理的概念、主要工作任务进行了说明，中心论述了在引入了信息系统工程监理机制的开发中的建设方、承建方和监理方的三者关系。     

气调库及气调库设备

分析果蔬贮藏保鲜期的生理变化，介绍气调保鲜库设计施工验收中的技术要求，保鲜工艺和主要设备。     

多跨简支曲线轨道折线梁桥空间振动分析模型

提出了一种多跨简支曲线轨道折线梁桥的空间振动分析模型,采用20自由度的梁段单元,可方便考虑T型梁横向与竖向弯曲、自由扭转、约束扭转等变形,选取正交流动坐标,建立了曲线轨道折线梁桥的动力特性矩阵,特别适用于曲线轨道折线梁桥与列车的空间振动分析。在实例研究中,计算了提速列车通过32m曲线轨道折线梁桥时的空间振动响应,并检算该桥是否具有足够的刚度及良好的运营平稳性,可供有关部门参考。     

延长鄂式破碎机破碎板使用寿命的方法

鄂式破碎机工作时,破碎板直接与物料接触,承受着巨大的破碎力和物料的摩擦作用,破碎板的使用寿命直接关系到鄂式破碎机的工作效率和生产成本。从设计、选材、组装、使用过程中的改进等方面,论述了延长鄂式破碎机破碎板使用寿命的方法。     

一种基于数字电路的纳秒级脉冲产生方法

介绍了超宽带无线电的基本概念和技术特点,对几种典型的超宽带窄脉冲产生方法进行了描述和比较,提出了一种采用数字电路实现超宽带纳秒级窄脉冲的新方法,叙述了电路的基本原理和核心器件的主要性能,给出了电路结构,并对试验电路进行了测试。最后给出了测试结果并对测试结果进行了分析,得出了相关的结论。     

NSA-500-1型氩弧焊机VD9不同接法对引弧和稳弧的影响

从一起NSA－500－1型氩弧焊机故障，分析其高压脉冲旁路二极管VD9不同接法对引弧、稳弧及设备安全的影响。     

GaN and AlGaN high-voltage rectifiers grown by metal-organic chemical-vapor deposition

In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm² are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm², and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm². It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.