基于AT89C51和BH1417F芯片的数字化调率发射机设计

文章介绍的调频发射机设计是将单片机AT89C51和调频发射机相结合,用单片机P3.0、P3.1、P3.2、P3、3作为与BH1417F的通讯端口,通过改变P3.0、P3.1、P3.2、P3、3传送的高低电平从而改变BH1417F发射频率.同时又用单片机去控制四个数码管动态的去显示调频发射机所发送频率.     

连续衰落信道下适用于酉空时调制的最大似然多符号差分检测算法

为酉空时调制系统设计的多符号差分球形译码(MSDSD)能以较低复杂度获得最大似然(ML)检测性能。但是,该算法基于准静态信道假设,当将它用于快衰落信道时会出现严重的误码平层现象。本文基于连续衰落信道假设,推导了一种ML度量的递推形式,并将其嵌入自动球形译码算法中,得到了的多符号差分自动球形译码(MSDASD)算法。该算法适用于一般酉空时星座,克服了MSDSD的误码平层现象,可达到ML检测的性能,其平均复杂度在大多数情况下低于相同假设下的判决反馈检测算法。     

基于主向量分析重建的人脸识别算法研究

提出一种基于主向量分析(PCA)重建的人脸识别方法.传统的特征脸方法是根据PCA投影变换后,利用特征空间的总体散布矩阵最大化的特点进行分类;而本文方法则根据PCA重建误差最小的特点,利用重建误差最小进行人脸的分类.在ORL标准人脸库上的实验结果表明,本文方法优于传统方法,并且具有在增加类别以及增加样本时运算量小的特点,因此具有较好的识别效果及较高的实用性.     

CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变

采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜.薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台阶仪、X射线荧光光谱仪(XRF)和X射线衍射仪(XRD)来表征.在(In,Ga)2Se3预制层-富Cu相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)5Se8、Cu(In,Ga)3Se5、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe).在富Cu相-富In(Ga)相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)3Se5、Cu(In,Ga)5Se8.对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构特性进行了讨论.     

手机信令数据在地质灾害预警中的应用

本文是在地质灾害监测预警项目的实践基础上,结合移动运营商对手机信令数据的侦测应用,提出了基于手机信令数据的地质灾害预警发布的解决方案。该方案可实现地质灾害隐患点威胁区域的人员实时统计、预警信息发布、预警效果判断等功能,弥补了现有基于短信和大喇叭预警发布解决方案的不足。它能有效降低地质灾害发生时造成的人员伤亡,并且适用于我国所有的地质灾害影响区域。     

长线列红外探测器真空密封结构设计

针对长线列碲镉汞红外焦平面探测器封装的特点,文章设计分析相对应的探测器真空密封结构。在用于封装3000元及5000元碲镉汞焦平面红外组件研制中,详细阐明了其真空密封结构的设计和工艺实现。符合航天空间应用的高可靠性真空结构,是长线列探测器组件正常工作并完成地面相关试验验证的关键。     

高分辨率时间数字转换电路的PLD实现

高分辨率时间数字转换系统(TDC)采用环形延时门单元(RGDS)高分辨率系统,在可编程器件(PLD)上实现,解决了延时门的综合、延时时间的离散性等问题.由于设计、实现和集成电路工艺无关,所以可以方便地移植到其他系统和PLD芯片中.本设计在Altera公司的CPLD芯片上的仿真测试表明,时间分辨率最高可达3.5ns.本实验通过了时序仿真和硬件测试.     

用磁控溅射和退火方法制备AlSb多晶薄膜

采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备Al/Sb预制多层薄膜,然后将Al/Sb预制多层薄膜在退火炉中退火得到AlSb多晶薄膜.用X射线衍射(XRD)法测薄膜结构;用扫描电镜(SEM)测薄膜Al/Sb成分比,结果表明AlSb多晶薄膜具有单一的晶相、均匀的结构,以及粒径大约20nm的晶粒.根据电导率(lnσ)与温度(T)的关系得到电导激活能为0.21和0.321eV,为制备出适用于太阳电池的AlSb多晶薄膜奠定了一定的技术基础.     

Status and Trends in Advanced SOI Devices and Materials

提供了一种用于安德鲁反射测量样品制备新方法.该方法采用聚焦粒子束刻蚀和磁控溅射,可以获得可控的、干净的、无应力的纳米接触用于自旋极化探测.所制备的样品中,磁性和非磁性材料样品的反射谱都表现出复杂的峰和谷结构,这些结构可能源于与界面相关的零偏压反常以及与激发态相关的准离子相互作用.对另一个Co40Fe40B20合金样品采用简单的钕针尖压针方法进行了对比性测量,反射谱中没有观察到谷结构,但谱结构出现较明显的热扩展,这种热扩展可能来源于界面处的非弹性输运.所有的反射谱目前还不能由现有的理论给出令人满意的解释.利用点接触反射方法获得可靠的自旋极化信息还有赖于接触界面特征的进一步分析.而一个更切合实际的、更完善的理论成为迫切的需要.     

Parameter Extraction for 2-π Equivalent Circuit Modelof RF CMOS Spiral Inductors

从有理分式拟合方法出发，提出了用于射频CMOS平面螺旋电感2-π等效电路模型参数提取的新方法. 通过比较提参后等效电路给出的S参数和实验测量的S参数，证明该方法的精度很高. 此外，提参的策略非常直接，因此容易在CAD里面编程实现. 提参得到的等效电路模型对于射频电路设计者来说也是非常有用的.