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991.
嵌入式控制系统在CPT系统中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
对非接触式电能传输系统(简称CPT系统)的总体设计、功能设计和决策控制层硬件架构设计进行了介绍.提出了一种在CPT系统中应用ARM作为决策层,利用DSP实现实时控制的体系架构.在此基础上建立起硬件架构,并给出了系统的程序流程. 相似文献
992.
太阳能光伏发电是新能源和可再生能源的重要组成部分,被认为是当前世界上最具发展前景的新能源技术.针对太阳能利用和建筑一体化这一新的课题,简述了太阳能光伏发电的工作原理,详细阐述了太阳能光伏与建筑集成系统的组成结构及其功能,并对太阳能光伏发电与建筑一体化的优点和存在的问题进行了详尽的分析.同时,根据目前我国太阳能光伏发电和太阳能光热利用技术日趋成熟的现实,提出了太阳能光伏发电与建筑一体化的发展方向,并预测了其未来的发展. 相似文献
993.
介绍了Schllkopf手性试剂的合成工艺,以D-缬氨酸为原料,经保护,氯甲酸叔丁酯活化后,与甘氨酸甲酯盐酸盐反应得甲基-N-(叔丁氧基羰基)-D-缬氨酸甘氨酯;酯加热成环后,与三甲氧嗡四氟化硼盐反应得Schllkopf醚,总收率为51.8%。 相似文献
994.
A 1 kbit antifuse one time programmable (OTP) memory IP, which is one of the non-volatile memory IPs, was designed and used
for power management integrated circuits (ICs). A conventional antifuse OTP cell using a single positive program voltage (V
PP) has a problem when applying a higher voltage than the breakdown voltage of the thin gate oxides and at the same time, securing
the reliability of medium voltage (V
M) devices that are thick gate transistors. A new antifuse OTP cell using a dual program voltage was proposed to prevent the
possibility for failures in a qualification test or the yield drop. For the newly proposed cell, a stable sensing is secured
from the post-program resistances of several ten thousand ohms or below due to the voltage higher than the hard breakdown
voltage applied to the terminals of the antifuse. The layout size of the designed 1 kbit antifuse OTP memory IP with Dongbu
HiTek’s 0.18 μm Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) process is 567.9 μm×205.135 μm and the post-program resistance of an antifuse is predicted
to be several ten thousand ohms. 相似文献
995.
The electronic structure and optical properties of the tetragonal phase quaternary arsenide oxides YZnAsO and LaZnAsO were studied using density-functional theory(DFT) within generalized gradient approximation(GGA).The band structure along the higher symmetry axes in the Brillouin zone,the density of states(DOS) and the partial density of states(PDOS) were presented.The calculated energy band structures show that both YZnAsO and LaZnAsO are indirect gap semiconductors with band gap of 1.173 1 eV and 1.166 5... 相似文献
996.
高压输电线路覆冰问题研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了高压输电线路覆冰的形成机理、覆冰的种类及影响覆冰的因素,分析了输电线路冰害事故的成因,论述了线路覆冰所造成的主要危害,介绍了融冰技术的研究现状以及防冰除冰的主要方法,并对该项技术的应用前景进行了展望. 相似文献
997.
In order to describe the time-headway distribution more precisely in urban traffic network,the mixed distribution model was introduced which has been widely used in mathematical statistics,and a capaci... 相似文献
998.
999.
1000.