应用10mm薄板铸锭制备的NdFeB烧结磁体

NdFeB薄板铸锭具有晶粒细，富钕相分布均匀及在稀土含量较低时可以防止α－Fe相出现的特点，是一种适合制备高性能烧磁体的合金铸锭，本文介绍了一种用10mm薄板铸锭和球磨制粉方法制备烧结磁体的工艺，在设备要求较低的情况下制备得到了Br=1.37T,(BH)max=320kJ/m^3(40MGOe)的烧结磁体，同时比较了使用常规铸锭和常规工艺的结果，强调了氢爆法在该工艺中的重要作用，最后对该工艺的改进方向和10mm铸锭的应用前景进行了阐述。     

电火花铣削钛合金电极损耗在线补偿研究

根据电火花铣削等损耗理论，对用电火花铣削钛合金的加工中电极损耗补偿作了分析阐述。并根据正交试验的数据对理论分析结果进行对比，同时给出了一定的结论和建议。     

基于Agent的分布式查询优化研究

Internet上异构的软硬件环境以及多种并行机制对分布式查询优化技术提出了新的挑战，文章将分布式人工智能与数据库管理系统两个研究领域相结合，给出了基于Agent的分布式查询优化系统模型，在该系统中，Agent采用了典型的慎思型体系结构，即BDI模.Agent具有信念库，目标库并在此基础上进行学习和推理，多个Agent之间通过协调，协作以及协商以支持分布式数据库系统的动态查询优化和规划的执行，提高系统的查询效率。     

光隔离器及其相关的磁光材料

本文简要介绍了磁光隔离器的理论、结构和分类 ,并提出了该器件今后发展的几个问题 ,最后介绍了几种磁光材料     

半导体量子点自组织生长的计算机模拟研究

采用平均场模型和非平均场模型对半导体量子点的自组织生长过程进行了计算机模拟研究。结果表明两种模型给出了相似的量子点的大小分布,但在平均尺寸、数量以及覆盖面积随时间的变化上存在着差别,针对这些差别给出了解释。     

瓦楞纸板用抗水淀粉胶配方及性能研究

简要分析了玉米淀粉胶的组成及对其质量的影响，重点对粘合剂的防水性进行了研究，叙述了瓦楞纸板用抗水粘合剂的配制及工艺过程，并与常规方法制备的粘合剂进行了性能比较，测定了抗水时间，得出了瓦楞纸板用抗水粘合剂的最佳配制比例。     

Electrorheological Fluids Based on Titania Particles Coated with Silica and Their Application in Smart Windows

The electrorheological (ER) fluids are colloidal suspension of highly polarizable particles in a non-conducting solvent.Chains of submicron-sized particles formed along an applied DC electric field by the so-called electrorheological effect.According to the obvious change of transmittance of the ER fluids in a DC electric field when the polarized particles arranged along the field,the model of smart window was proposed by sandwiching the ER fluids based on titania particles coated with silica between a pair of In-Sn oxide (ITO) coated glasses.The solar transmittance change as much as 48.0% was obtained with the wavelength of 500 nm at the maximum on applying and removing the electric field of 500V/mm.     

电火花铣削钛合金加工工艺研究

在全面试验的基础上，对电火花铣削钛合金进行了初步研究，给出了电火花铣削钛合金的影响因素及其指标的关系曲线。并对其进行了数据分析。试验表明，冲油电火花铣削是加工钛合金的有效方法。     

横流均匀环境中三维线源型正负浮力射流特性研究

本文利用混合有限分析法及交错网格。对横流均匀环境中三维线源型正负浮力射流及负浮力射流的特性进行研究，分析了不同工况下流速，温度和湍动能在断面上的分布及影响射流轨迹线的因素，讨论了轨迹线上温度的变化及浮力射流的贴壁现象。对三维长线源型负浮力射流，分析了流速比，喷口弗汝德数对负浮力射流的影响。     

Ion implantation doping of OMCVD grown GaN

Doping by ion implantation using Si, O, Mg, and Ca has been studied in single crystal semi-insulating and n-type GaN grown on a-sapphire substrates. The n-and p-type dopants used in this study are Si and O; Mg and Ca, respectively. Room temperature activation of Si and O donors has been achieved after 1150°C annealing for 120 s. The activation of Mg and Ca acceptors is too low to measure at both room temperature and 300°C. Using higher doses to achieve a measurable p-type conduction increases the amount of damage created by the implantation. Rutherford back scattering measurements on this material indicate that the damage is still present even after the maximum possible heat treatment. Secondary ion mass spectrometry measurements have indicated a redistribution in the measured profiles of Mg due to annealing.