利用补充分组编码降低MIMO-OFDM系统峰均比

多输入多输出正交频分复用（MIMO—OH）M）系统已成为第四代移动通信系统研究中的热点，而OFDM系统产生的高峰均功率比（PAPR）是限制MIMO—OFDM技术实用化的主要障碍之一。详细介绍了补充分组编码技术的基本原理，并通过仿真与测试的结论与其他编码技术进行了比较，验证了此编码技术对降低峰均功率比确实具有很好的效果。     

单元串联式多电平高压变频器的起源、现状和展望

本文对单元串联式多电平高压变频器的起源和现状进行了总结,同时从无速度传感器矢量控制、大容量化、冗余设计等方面对该技术未来的发展趋势进行了展望。     

我国IC产业发展状况分析

本文分析了集成电路及其相关技术的现状和发展趋势。分析了国内集成电路产业状况和面临的课题。     

电力系统谐波检测的现状与发展

准确、实时地对电力系统谐波进行检测有着重要的意义。本文根据电力系统谐波测量的基本方法，对近年来电力系统谐波检测的新方法进行了分析和评述。最后对电力系统的谐波测量进行了总结并提出了看法。     

Effect of Stoichiometry on Properties of Rare-Earth-Based Hydrogen Storage Alloy for Nickel-Metal Hydride Secondary Battery

Effect of stoichiometry on microstructures, electrochemical properties and PCT characteristics of the alloys MI(Ni0.71Co0.15-Al0.06Mn0.08)x (MI=Lanthanum-rich Michmetal, x=4.6~5.2) have been investigated. The lattice constants a, c, and cellvolumes of non-stoichiometric alloys are bigger than those of the stoichiometric alloy. With the increasing stoichiometry x,the value of a decreases, and the value of c and cell volume increases except for those of the stoichiometric alloy; the plateaupressure of PCT curve, discharge capacity and cycling stability all increase. The alloy with x=5.2 shows the highest dischargecapacity and the best cycling stability among the studied alloys.     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

Magnetotransport Calculations for Two-Dimensional Electrons with Spin-Orbit Interaction

We present calculations of the magnetoconductivity in a two-dimensional electron system including the Rashba spin-orbit interaction. Essential for these calculations is an extension of the self-consistent Born approximation which takes into account the electron spin degree of freedom. The calculated magnetoconductivity exhibits, besides the beating in the Shubnikov-de Haas oscillations, a modulation related to the spin-orbit induced crossings of Landau levels, as a consequence of spin-conserving scattering between spin-orbit coupled states.     

材料钎焊对杜瓦固有频率的影响

采用拉伸实验法,对金属杜瓦所用材料在钎焊前后的杨氏模量进行了深入的分析,并通过实验数据的计算分析,得出了钎焊对杜瓦结构固有频率没有大的影响的结果.     

高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

介绍有源电力滤波器设计中EXB841型绝缘栅场效应晶体管(IGBT)驱动器的驱动原理和电路特点,对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨,给出过流保护和过压吸收的有效办法。样机试运行证明此种设计方案可靠、有效。