运行电站爆破震动控制研究

结合大渡河龚咀水电站下游河床整治爆破开挖拓宽，重点研究了爆破震动对运行电站机组及其仪表的影响，探讨了爆破震动安全判据和控制标准，用了若干实际工程采用的经验指标进行对比分析，所得结论意见可供同类工程作为爆震安全控制参考。     

类胡萝卜素的命名

本根据国际理论与应用化学协会(IUPAC)所制定的命名规则和国际上认可的习惯名称，对类胡萝卜素的命名进行了详细的说明。     

卟啉类光电功能材料的研究进展

卟啉及其衍生物是一类具有优良的光电性能的有机半导体材料．引起人们广泛的关注。本文对卟啉类光电材料在模拟生物光合作用中心的光致电荷转移和能量转移，有机太阳能电池．分子光电器件。有机电致发光和光存储等领域的研究进展做一简要介绍。     

深层搅拌桩防渗墙质量通病及防治

深层搅拌桩防渗漏墙技术可靠,工序简单、易于操作和控制,造价低廉,因而在堤防工程建设中得到了广泛的应用。文章简述了该技术的施工过程,并分析了该技术的质量通病,提出了防治措施,得出实际应用效果。     

基于电源、地桥的电源网络布线后优化

随着集成电路规模的不断增大,电源网络的重要性日趋显著,电源网络的分布直接影响芯片的电压降(IR-drop)。一种布线后通过在空闲处插入电源桥和地桥的方法,可以在不增加芯片面积的情况下,改善IR-drop效应。实验结果表明在芯片布局利用率不高的情况下(70~75%),该方法可以使IR-drop得到明显的优化。     

现场总线系统控制网络的检查和调试

现场总线控制系统是计算机、网络与自动控制三项技术相互结合的一门新技术。文章介绍了现场总线控制系统仪表网络的典型结构,对现场总线控制系统与集散控制系统进行了比较,论述了现场总线控制系统检查和调试的程序、内容与操作方法。     

宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

高功率脉冲水中放电的应用及其发展

首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理，然后综合论述了其应用和研究的状况，从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术，以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究，最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。     

石油化工可燃气体或蒸气排放系统的消防安全设计

石油化工生产装置大多是通过火炬燃烧排放易燃易爆气体或通过放空管将易爆气体直接排入大气中。文章分析了火炬系统和放空管的火灾危险因素,并从火炬的布置、高度、排放能力、自动监控装置以及放空管的气体排放浓度、安装位置、安全装置等方面,重点论述了火炬系统和放空管的消防安全设计要点。     

流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响

使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3／C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加，成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大，而刻蚀基团F的密度也会增加，从而使得a—C：F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明，在高CHF3流量下沉积的a—C：F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C：F薄膜的制备中CHF3／(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。