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81.
黄艳容 《广州建筑》2008,36(4):14-18
分析了中山纪念堂屋面的构造和渗漏的原因,介绍了屋面的维修原则和具体的整治方法。  相似文献   
82.
为进一步提升异构云数据中心网络(DCN)动态管理的科学性,在总结当前主流研究局限性的基础上构思一种基于全局相对最优化的绿色虚拟算法.算法综合考虑虚拟机迁移过程中可能涉及到的诸多客观因素,通过科学地规划时间门限、主机筛选策略、以及精度比较机制对虚拟机实施高效的迁移.数据考察表明,所部署的算法不仅可快速精确地物色到最适宜的...  相似文献   
83.
黄晓河 《包装工程》2004,25(3):69-70,82
提出了一种新型的机液集成变速器,介绍了其结构、工作原理和结构特点,总参数选择及系统设计方法,可指导新产品的研究开发,满足众多领域对低转速、大扭矩、高效率、低能耗变速器的需要.  相似文献   
84.
刘伟  王二东  黄继亮 《煤矿安全》2006,37(11):23-25
丁56-19110工作面是四矿丁九采区的高突综采工作面。为了多回收煤炭资源,但又受上下相邻的已采工作面的限制,该采面设计成不等采长工作面,中间还有一段为渐变采长。回采时采长由长到短,采面上段呈三角形的煤体应力叠加,使发生煤与瓦斯突出的危险性增加;同时风流更加不易吹散上隅角的瓦斯,致使上隅角聚集高浓度瓦斯,但又必须从上隅角抽撤综采支架,给安全生产带来了很大隐患。通过采取卸压区浅孔抽放、迎面斜交孔抽放和埋管抽放等多种瓦斯抽放方法和上封下堵等综合瓦斯治理手段,使上隅角瓦斯聚积和采面防突难题均得到有效解决,保证了安全回采。  相似文献   
85.
熊友泉 《材料保护》2004,37(3):12-13
为了降低电解制氢的电耗,提高经济效益.作者对枪黑色Sn-Ni合金在NaOH溶液中的析氢电流化性能进行了研究.试验测出的电化学参数表明,在NaOH溶液中电解制氢时,枪黑色Sn-Ni合金的析氢电催化性能比45钢和高硫镍的强很多,而且具有很高的电化学稳定性.用它取代目前工业上使用的45钢和高硫镍作为电解制氢的阴极,可显著降低制氢的生产成本.  相似文献   
86.
钢渗铬层上金刚石薄膜的表面、界面结构及附着性   总被引:1,自引:0,他引:1  
在钢渗铬层表面用化学气相沉积(CVD))法制备了金刚石薄膜.使用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和压痕法研究了金刚石膜的表面、界面结构及附着力.用拉曼光谱分析了金刚石膜的纯度及非金刚石碳相.甲烷含量超过0.6%(体积分数)后,金刚石膜为球形纳米晶,形核密度>107cm-2.用甲烷含量为0.6%(体积分数)沉积的金刚石膜表面的残余压应力为1.22 Gpa,而膜背面的残余压应力更高,达2.61 Gpa.压痕显示在19.6 N载荷下膜发生开裂.TEM观察发现,膜/基界面为微观非平面,有利于提高金刚石膜的附着力.  相似文献   
87.
钛酸锶作为一种典型的钙钛矿型结构物质,具有介电损耗低、热稳定性好和光催化性能优良等特点,是一种用途广泛的功能陶瓷材料。综述了近年来以钛酸锶为基体各种功能陶瓷材料的合成方法与重要应用,并探讨了其今后的主要发展方向。  相似文献   
88.
89.
90.
In the present report, cadmium sulfide (CdS) colloidal quantum dots (CQDs) with average diameter of 6 nm were synthesized by using oleylamine as ligand and solvent. The insulating oleylamine ligands form barriers around the CdS CQDs to decrease carrier mobility. In order to remove the ligands and improve the photoelectrical properties of the closed-packed film, ethanedithiol, mercaptopropionic acid and cetyltrimethylammonium bromide (CTAB) were applied for solid state ligand exchange. CTAB treated film had the fastest 3 dB bandwidth of 144.7 Hz and yielded the highest detectivity of 1.37 × 108 Jones. The excellent properties of ligand passivation have important application in nanocrystals based electronic and optoelectronic devices.  相似文献   
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