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71.
从文献分类的实践出发,提出了对计算机技术图书分类标引工作存在的问题,分析了问题的原因,提出了解决问题的方法。 相似文献
72.
本文阐述了时间压缩信号及其频谱、各种差分信号的产生方法及频带压缩过程.最后对图象带宽为4.2MHz的TV系统用8.4MHz带宽传送三个TV信号的具体执行力式作了介绍. 相似文献
73.
74.
新建微波干线电路采用高质量的数字微波设备是广电部科技工作会议的精神之一。本文介绍了江苏苏南数字微波线路,并从方案确定、技术实现、设备选型等方面进行分析比较,从而得到一个合理的整体方案。本文还着重阐述了数字传输的关键设备-编码器的现状与发展趋势,提出广播电视专用网多功能应用的设想。 相似文献
75.
短毫米波和亚毫米波接收机的发展现状 总被引:1,自引:0,他引:1
本文概述了短毫米和亚毫米波接收机的发展现状,介绍了接收机的重要组成部件:混频器、振荡器和放大器的发展水平以及毫米波单片集成电路的现状,给出了接收机的最新性能指标。 相似文献
76.
Ma Z.J. Chen J.C. Liu Z.H. Krick J.T. Cheng Y.C. Hu C. Ko P.K. 《Electron Device Letters, IEEE》1994,15(3):109-111
It has been reported that high-temperature (~1100°C) N2 O-annealed oxide can block boron penetration from poly-Si gates to the silicon substrate. However, this high-temperature step may be inappropriate for the low thermal budgets required of deep-submicron ULSI MOSFETs. Low-temperature (900~950°C) N2O-annealed gate oxide is also a good barrier to boron penetration. For the first time, the change in channel doping profile due to compensation of arsenic and boron ionized impurities was resolved using MOS C-V measurement techniques. It was found that the higher the nitrogen concentration incorporated at Si/SiO2 interface, the more effective is the suppression of boron penetration. The experimental results also suggest that, for 60~110 Å gate oxides, a certain amount of nitrogen (~2.2%) incorporated near the Si/SiO2 interface is essential to effectively prevent boron diffusing into the underlying silicon substrate 相似文献
77.
胡才雄 《有色金属材料与工程》1994,15(1):31-36
本文介绍了硅片背面的三种主要损伤吸除技术:机械损伤、激光辐照和离子注入技术。对这三种吸除技术的机理、工艺条件、应用情况和近来进展,作了详细的评述。 相似文献
78.
SUN工作站生产测井解释系统(PLASYS) 总被引:1,自引:0,他引:1
吕永军,胡亚兵,毕卓新.SUN 工作站生产测井解释系统(PLASYS).测井技术,1993;17(2):114~120Sun 工作站生产测井解释系统,是以 SUN GKS 为基本软环境支持,在 SUN 工作站上开发完成的一套生产测井资料解释与处理系统。本文详细叙述了该系统的构成、解释原理、输入输出等,并通过实例说明了该系统的解释结果。 相似文献
79.
研究了采用(准)中粘度级尼龙做基体树脂,加入成核剂改善尼龙的结晶过程,提高结晶速率和初始熔融温度;添加光、热氧稳定剂,防止尼龙在成型加工和使用过程中产生降解与老化,提高塑料制品的质量和减少性能的分散性;采用合理的工艺条件,确保添加剂的均匀分散与减少玻纤的磨损,得到适于军工、航空和机电等领域需要的高性能的受力结构工程塑料。 相似文献
80.
An electromigration failure model which can be used to project the electromigration lifetime under pulsed DC and AC current stressing has been reported. The experimental results indicate that different metallization systems (Al-2%Si, Al4%Cu/TiW, and Cu) show similar failure behaviors, which can be explained and predicted by this model. The pulsed DC lifetime is found to be longer than DC lifetime, and the AC lifetime is found to be very much longer. This recognition can provide significant relief to circuit designs involving metals carrying pulsed DC and AC currents, and allow a more aggressive design to improve circuit density and speed 相似文献