全光纤对接损耗调Q激光器

激光器调Q技术是产生高峰值功率、窄脉冲的最有效方法之一。提出并初步验证了全光纤对接损耗调Q方法,分析了调Q原理以及影响因素,实现调Q脉冲的输出。激光腔内加入两段光纤,两段光纤间相互靠近的一端紧密对接,其中一段粘结在压电陶瓷(PZT)上。通过外部电压变化驱动压电陶瓷,使两光纤端面间出现轴向间隙、径向错位或旋转夹角,改变两段光纤之间的耦合连接损耗,进而调节激光腔的损耗,输出调Q脉冲。采用径向错位方式,可以有效改变光纤之间的耦合连接损耗,重复频率可达10 kHz。该方法实现简单,成本低廉,通过外部条件控制,可进一步提高输出脉冲的稳定性。     

Be掺杂对ZnO电子结构和光学性质的影响

基于密度泛函理论（DFT）第一性原理计算了Zn1-xBexO化合物的电子结构和光学性质. 计算结果表明Zn1-xBexO带隙随掺杂浓度的增加而变大. 这种现象主要是由于价带顶O2p随掺杂量x的增加几乎保持不变,而Zn4s随掺杂量x的增加向高能端移动. 光学介电函数虚部计算结果表明：在2.0, 6.76eV位置随掺杂浓度的增加峰形逐渐消失,是由于Be替代Zn导致Zn3d电子态逐渐减少所致;而9.9eV峰形逐渐增强,是由于逐渐形成的纤锌矿结构BeO的价带O2p到导带Be2s的跃迁增加所致.     

小芯径折射率引导型光子晶体光纤的制备和研究

介绍一种小芯径折射率引导型光子晶体光纤(PCF)的拉制方法.制备出的光纤纤芯周围第一层空气孔发生形变,呈柚子形,其芯径为1.7μm,孔间距A和空气孔直径d分别为3.4 μm和2.8μm.由于光纤结构的特殊性,采用有限元法在200～1600 nm波段对其基模有效折射率、色散系数、有效模场面积以及非线性系数进行了数值模拟计算.经过理论计算,这种光纤在所研究的波段具有极高的非线性系数且表现为反常色散,这些特性十分有利于超连续谱的产生.在测量了光纤的损耗、色散等基本特性后,选取损耗较小凡位于光纤反常色散区域,中心波长为800 nm的飞秒激光作为光源,将不同功率的超短激光脉冲耦合入光纤,对这种小芯径折射率引导型光子晶体光纤产生超连续谱的过程进行了测量和分析.     

周期极化掺镁铌酸锂光参量振荡器的输出光谱特性

实验研究了基于多周期的掺镁铌酸锂晶体光参量振荡器(OPO),分析了光学参量振荡器的输出光谱特性.实验中,采用激光二极管(LD)端面抽运的声光调Q Nd:YVO4激光器作为光参量振荡器的抽运源,谐振腔采用双凹腔结构.在调Q开关重复频率为10 kHz,周期极化掺镁铌酸锂(PPMgLN)晶体的温度为25.4℃的条件下,实验测得光学参量振荡器的振荡阈值为110 mW.当输入的抽运光的平均功率为325 mW时,获得了平均功率为84 mW的信号光输出,其光-光转换效率为25.8%.通过改变周期极化掺镁铌酸锂晶体的温度(25.4～120℃)和极化周期(28.5～30.5 μm),实现了信号光在1449.6～1635 nm范围内的可调谐输出.在室温25.4℃时,观测到了抽运光与信号光的和频光的光谱.实验结果表明.光参量振荡器输出光谱的半峰全宽(FWHM)小于0.5 nm.     

短采样宽带信号方位估计快速算法

该文针对短采样宽带信号近似最大似然(AML)方位估计计算量大的问题,将马尔可夫蒙特卡罗方法与近似最大似然方位估计相结合,提出一种基于Gibbs抽样的近似最大似然方位估计新方法(Approximated Maximum Likelihood DOA estimator based on Gibbs Sampling, AMLGS)。研究结果表明,AMLGS方法不但保持了原近似最大似然方位估计方法的优良性能,而且显著减小了计算量。把原方法的计算复杂度从O(LK)减少到O(KJNs)。     

MoS2势垒层磁性隧道结的温度-偏压特性研究

MoS₂是一种具有特殊能带结构的二维半导体材料,当层数较少时,其带隙会随层数显著减小。因此,基于MoS₂势垒层的磁性隧道结会展现出更丰富的物理特性。文章通过理论计算分别得到了单层、双层、三层以及五层MoS₂势垒层磁性隧道结的温度-偏压相图,研究了铁磁电极半交换劈裂能对相图特性的影响。计算结果表明：单层和三层MoS₂势垒层磁性隧道结适合应用于低温器件中。其中,单层MoS₂势垒层磁性隧道结在高功率工作环境下具有优异的性能。双层MoS₂势垒层磁性隧道结的优化区域位于室温和低偏压区,因此适用于信息存储领域。五层MoS₂势垒层磁性隧道结可通过调节铁磁电极参数使其工作在较宽的功率范围内。上述研究结果为MoS₂势垒层磁性隧道结的应用奠定了坚实的理论基础。     

基于日盲紫外成像探测器的光子计数算法研究

为了完成对日盲紫外电晕信号的定量分析,本文设计了基于时间域的弥散圆斑光子计数算法来对成像系统所采集的图像进行量化分析.首先阐述了单光子探测的原理以及光子计数原理;然后设计了基于日盲紫外ICMOS的成像探测系统,为了满足荧光屏的余晖响应,优化了CMOS驱动,使得帧频可达390 fps;然后通过分析传统的连通域光子计数算法...     

GNSS快速驯服高稳晶振的设计与实现

基于各个领域对高精度时间频率信号的需求,实现了一种利用GNSS信号驯服高稳晶振的方法.采用3σ法则剔除测量相位差数据中的奇异值,并利用Kalman滤波对相位差数据进行滤波以抑制测量噪声.通过改变压控晶振的电压控制字对频率初始准确度为5×10-8的恒温晶振进行驯服,经过约600 s的快速驯服,使得晶振的频率准确度优于4....     

Poly-Si TFTs integrated gate driver circuit with charge-sharing structure

A p-type low-temperature poly-Si thin film transistors (LTPS TFTs) integrated gate driver using 2 non-overlapped clocks is proposed. This gate driver features charge-sharing structure to turn off buffer TFT and suppresses voltage feed-through effects. It is analyzed that the conventional gate driver suffers from waveform distortions due to voltage uncertainty of internal nodes for the initial period. The proposed charge-sharing structure also helps to suppress the unexpected pulses during the initialization phases. The proposed gate driver shows a simple circuit, as only 6 TFTs and 1 capacitor are used for single-stage, and the buffer TFT is used for both pulling-down and pulling-up of output electrode. Feasibility of the proposed gate driver is proven through detailed analyses. Investigations show that voltage bootrapping can be maintained once the bootrapping capacitance is larger than 0.8 pF, and pulse of gate driver outputs can be reduced to 5 μs. The proposed gate driver can still function properly with positive V_TH shift within 0.4 V and negative V_TH shift within-1.2 V and it is robust and promising for high-resolution display.     

Electromagnetically induced transparency in terahertz metamaterial based on two-bright-mode resonator

An electromagnetically induced transparency (EIT) in metamaterial resonator with two bright modes and one dark mode at the terahertz (THz) band is numerically and experimentally demonstrated. Different from two kinds of the traditional passive modulations, our design can realize the passive modulation of EIT phenomenon by adding another bright mode resonator. Simulated and experimental results show that the transmission peak varies for incident THz waves with different polarization directions due to its asymmetric structure, which provides a novel way to realize high efficiency switch and modulation.