基于PCI总线的CMOS图像传感器OV6620的驱动设计

设计了一种基于PCI总线的CMOS图像传感器OV6620的驱动系统,详细介绍了PCI总线及其芯片PCI9054的特点及应用,给出了PCI总线的驱动程序和应用程序的设计方法。讨论了CMOS图像传感器OV6620的驱动研究,给出了FPGA对OV6620的驱动设计和时序。实验结果表明,基于PCI总线的图像采集系统可以大幅提高图像数据的传输速度,解决了图像采集的瓶颈问题。     

内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)与PT-IGBT、FS-IGBT的性能比较

首次对600 V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较.ITC-IGBT是在PT-IGBT结构中的p+型衬底与n型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于p+衬底的p型内透明集电区,并且在集电区之内、集电结附近设置具有很低过剩载流子寿命的载流子局域寿命控制层,从而实现透明集电极的效果.仿真结果表明,ITC-IGBT具有优良的综合性能,采用缓冲层浓度最优值的ITC-IGBT的折中曲线明显优于PT-IGBT与FS-IGBT.说明ITC-IGBT结构不仅能解决现有透明集电极IGBT超薄片加工工艺难度大的问题,还为进一步改善IGBT器件综合性能提供了新途径.     

磁电复合材料的研究现状及展望

介绍了国内外磁电复合材料的研究历史和制备方法,如混相法,铁电/铁磁材料层状复合法。探讨了磁电复合材料应用研究中亟待解决的问题,指出了今后的发展趋势是改进复合材料的设计方法、制备工艺和集成器件应用。     

基于差分进化的非规则LDPC码分布对优化

讨论了基于差分进化的非规则LDPC码分布对优化方法。在分布对的优化搜索过程当中,联合使用了差分进化算法(EA)与密度进化算法,并对这种联合技术的实现方法和约束条件处理做了研究。用密度进化算法作为差分进化算法的目标函数,优化搜索出了一组AWGN信道下好的非规则LDPC码分布对,且计算出了各分布对的近似门限值。该方法充分利用差分进化算法的健壮性、有效性以及搜索结果全局最优的特点,是一种有效的好LDPC码搜索技术。     

用于压磁传感器的精密程控恒流源设计

目前很多由分立元件构成的恒流源电流有限,稳定度较差,容易受到元器件参数变化和环境变化的干扰,并难以调节。在此采用闭环控制原理,利用单片机控制ADC和DAC转换模块,达到恒流的目的,并可以根据需要,通过代码改写实现电流的预置。克服了以往分立元件构成的恒流源不稳定的缺点,在实际应用中,达到了良好的供电效果,在多次实地测量中圆满完成任务。     

基于FPGA的记忆多项式数字预失真器的实现

介绍了一种基于FPGA的记忆多项式数字预失真器的实现。首先,通过间接学习结构采用LMS算法提取记忆多项式系数;其次,变换记忆多项式的形式,构造易于FPGA实现的基于查找表（LUT）的预失真单元;最后给出了顶层模块图及实验结果,结果充分表明了该预失真器的有效性。     

基于加权合成核与三重Markov场的极化SAR图像分类方法

马尔可夫随机场(Markov Random Field,MRF)广泛用于处理遥感图像的分类问题,然而MRF在构建极化合成孔径雷达(Synthetic Aperture Radar,SAR)图像模型时未考虑其非平稳特性且对初始分类较为敏感,为此本文提出了一种基于加权合成核与三重马尔可夫随机场(Triplet Markov Field,TMF)的极化SAR图像分类方法.该方法依据训练样本在特征空间上的距离,提出了加权合成核函数权重系数的自适应确定方法以提高初始分类的精度和普适性;为充分考虑极化SAR图像的非平稳统计特性,利用TMF对极化SAR图像进行统计建模以实现贝叶斯分类.实验结果表明,与基于MRF的极化SAR图像分类方法相比,本文所提方法可获得更高的分类精度和更平滑的同质区域分类结果,而且本文方法能更好地保持图像边缘信息.     

电子管前级放大器中的电子管倒相电路分析

电子管功率放大器中,为了驱动互补推挽结构的功率输出电路,其前级放大电器需使用倒相电路。以电子管微变等效电路分析为基础．针对共阴武、分负载式、分压式、自平衡式4种常见倒相电路进行了理论计算,得出了单臂电压增益和双臂净输出电压增益的解析表达武,并利用仿真软件对这些结果进行了验证,为电子管前级放大器的设计提供了理论依据。     

电解液浓度对双槽法腐蚀多孔硅的影响

设计了一种电化学双槽腐蚀装置,研究了不同电解液的浓度对制备多孔硅形貌和光学特性的影响.研究结果表明采用此装置制备的多孔硅孔洞均匀性好,并且随NaCl电解液浓度的增加,制备的多孔硅孔径呈减小的趋势,发光强度有所增强.     

端面抽运板条放大器抽运均匀性和热效应模拟

为了使激光二极管抽运的全固态激光器能够得到高光束质量、高功率的激光输出,对激光介质的温度分布和热透镜效应的研究很重要。利用ZEMAX软件的非序列模块,根据光束追迹的方法模拟了端面抽运结构下,高功率二极管抽运激光放大器的抽运光在增益介质中的光场分布情况。结果表明,此抽运方式下光场分布均匀。将激光介质中吸收的抽运光体功率密度分布结果代入LAS-CAD软件,计算出在种子光未注入和注入情况下,抽运功率为2400W时,增益介质最大温差分别为68℃,54.7℃以及最大热应力分别为90N/mm2,67N/mm2,因此当抽运功率小于2400W,运转的全过程对于激光增益介质是没有威胁的。该模拟结果对于高功率二极管抽运板条激光放大器的设计具有一定参考价值。