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高速连续数据记录系统中双页缓存的设计和实现 总被引:2,自引:0,他引:2
在高速连续数据记录系统中,存储设备需要速度匹配单元来实现高速连续数据记录,文章讨论了双页缓存在高速连续记录系统中的作用,并以实际开发的记录系统为例,详细介绍了双页缓存的设计和实现。 相似文献
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为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。 相似文献