杀虫植物的研究新进展及应用发展前景

介绍了近几年杀虫植物研究的新进展，主要包括楝科、卫矛科、豆科、菊科、胡椒科、百部科、瑞香科等科杀虫植物的作用方式和部分植物的有效成分与作用机制及杀虫植物的应用概况，并分析了其应用发展前景。     

环氧稀释剂十二烷基缩水甘油醚的合成

对稀释剂十二烷基缩水甘油醚的合成及影响产品质量的因素进行了研究,并以十二、十四混醇为原料进行了对比试验。     

用于光纤并带的UV固化胶粘剂性能的研究

研究了用于光纤带的紫外光固化胶粘剂的剥离性、柔韧性、拉伸强度和延伸率的影响因素。     

A THEORETICAL STUDY OF MASS AND HEAT TRANSFER IN FILM FLOW OF NONNEWTONIAN POWER LAW FLUIDS

The exact expressions of concentration and local or average Sherwood number,Sh or Sh for non-Newtonian fluids which obey the famous power law:τ={K|1/2(1/2)~(1/2)|~(n=1)}in which the flow index n takes any positive rational value,have been obtained by solving the differen-tial equation of diffusion together with the velocity distribution in the falling film flow.The use of Fourth-order Runge-Kutta method and Wegstien's iteration method by means of thecomputer yields results which are a series of values of dimensionless concentration O,local and averageSherwood number for n equal to 1/4,1/3,1/2,1/1.4,1/1.2,1,1.25,2.5,and ∞.When the flow indexn=1,i.e.for Newtonian fluids,the result agrees well with the data from the literature.     

F离子掺杂TiO2的性能研究

以NH4F为掺杂剂，采用溶胶-凝胶法制备F离子掺杂型TiO2光催化剂，对其进行XRD、XPS和PL表征，结果表明，F离子掺杂ToO2由于Ti—F配位体的形成而能抑制金红石相的生成，同时F离子掺杂能增加TiO2表面缺陷浓度并降低Ti2P键的结合能，另外，由于F离子能取代Ti—OH配位体而降低了表面羟基氧浓度．光催化研究结果表明，F离子掺杂提高了TiO2光催化活性近1．5倍．     

不锈钢转化器在中小型硫酸装置上的应用前景

分析了传统碳钢转化器存在的缺点。相对于碳钢转化器，不锈钢转化器具有结构简单、安装方便、耐高温、不易漏气、维护工作量小等优点。通过碳钢转化器和不锈钢转化器结构和造价的比较，表明不锈钢转化器在中小型硫酸装置中也有良好的应用前景。     

分光光度法测定饱和盐水中微量杂质

详细描述了用分光光度计测定饱和盐水中的微量铝、硅、铁、碘等杂质的分析方法，利用该方法对饱和盐水进行测定，证明该检测方法简便、快速、实用，能够满足生产需要。     

层次型IPv4网络QoS算法

网络服务质量Qo S在层次型网络中要求更高.从OSI参考模型的第二层与第三层出发,分析了传统的Qo S体系结构和三种Qo S模型的工作原理、优缺点以及网络应用环境.设计了将Int Serv与Diff Serv模型相结合的互补算法来保证层次型网络的服务质量.仿真结果表明,此模型能够从传输延迟、丢包率、延时抖动和网络吞吐量等多个方面提升网络的Qo S.     

改善轮胎性能的钕系高顺式BR

概述BR生产现状，重点介绍3种不同牌号的钕系BR的分子结构参数、基本性能、胶料混炼特性、硫化胶性能以及在载重斜交轮胎胎冠和胎侧以及全钢子午线轮胎胎侧中的应用情况，并与镍系BR进行对比。试验表明，在载重斜交轮胎中应用钕系BR，胶料的混炼工艺性能可达到镍系BR胶料的水平，且轮胎的耐久性和速度性能比镍系BR轮胎高，胎冠和胎侧温度比镍系BR轮胎低；在全钢子午线轮胎胎侧中应用钕系BR，可提高轮胎的耐久性。     

Analysis of junction temperatures in high-power GaN-based LEDs

We presented the analysis of the incomplete conduction in bonding medium in high power GaN-based light-emitting diode (LED) packages. A numerical study was carried out with parametric model to understand the junction temperature variation due to bonding medium defects. Transient thermal measurement was performed to evaluate LED’s junction temperature. Thermal resistance from chip to lead frame was 20 K/W in our sample LED. It was suggested that only 60% of the surface area of the bonding medium was involved...