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101.
新一代银行大型机网络接入技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
银行大型机网络接入技术的转型是当前一个非常重要的研究与应用课题。文章在成功实现银行大型机网络接入技术转型的基础上,分析了相关新技术,解决了转型中的关键问题,提出并实现了一种稳定高效的银行大型机网络接入技术方案,对银行大型机网络接入技术的转型具有指导意义,对银行信息化技术研究具有重要参考价值。 相似文献
102.
中国的主要水问题及水文学的机遇 总被引:13,自引:3,他引:10
芮孝芳 《水利水电科技进展》1999,19(3):18-21
从水资源开发利用与保护、水旱灾害防治等方面论述中国当前存在的主要水问题:水危机和水浪费同时存在、水污染日趋严重、防洪减灾任重道远、生态环境破坏严重、全球气候变暖产生不利影响;进而论述水文学研究面临的新课题:水文现象的不确定性、人类活动对水文的影响、水位频率计算、水资源开发利用的最佳效应、水资源供需分析、农业节水灌溉机理及水旱灾害的防治,并指出必须加强对这些新课题的研究 相似文献
103.
104.
针对吊箱围堰施工中,混凝土与钢板间的粘结力无详实数据的现象,介绍了确定数据的实验模型、实验步骤,并分析了实验结果,以方便施工,指导施工。 相似文献
105.
106.
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
107.
采用了TSMC0.35μm CMOS工艺实现了可用于SONET/SDH2.5Gb/s和3.125Gb/s速率级光纤通信系统的限幅放大器。通过在芯片测试其最小输入动态范围可达8mVp—p,单端输出摆幅为400mVp-p,功耗250mW,含信号丢失检测功能,可以满足商用化光纤通信系统的使用标准。 相似文献
108.
109.
Rui Morimoto Chisato Yokomori Akiko Kikkawa Akira Izumi Hideki Matsumura 《Thin solid films》2003,430(1-2):230-235
In this paper, bulk-Si metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are fabricated using the catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method as an alternative technology to the conventional high-temperature thermal chemical vapor deposition. Particularly, formation of low-resistivity phosphorus (P)-doped poly-Si films is attempted by using Cat-CVD-deposited amorphous silicon (a-Si) films and successive rapid thermal annealing (RTA) of them. Even after RTA processes, neither peeling nor bubbling are observed, since hydrogen contents in Cat-CVD a-Si films can be as low as 1.1%. Both the crystallization and low resistivity of 0.004 Ω·cm are realized by RTA at 1000 °C for only 5 s. It is also revealed that Cat-CVD SiNx films prepared at 250 °C show excellent oxidation resistance, when the thickness of films is larger than approximately 10 nm for wet O2 oxidation at 1100 °C. It is found that the thickness required to stop oxygen penetration is equivalent to that for thermal CVD SiNx prepared at 750 °C. Finally, complementary MOSFETs (CMOSs) of single-crystalline Si were fabricated by using Cat-CVD poly-Si for gate electrodes and SiNx films for masks of local oxidation of silicon (LOCOS). At 3.3 V operation, less than 1.0 pA μm−1 of OFF leakage current and ON/OFF ratio of 107–108 are realized, i.e. the devices can operate similarly to conventional thermal CVD process. 相似文献
110.