高低频不同电压条件下腔室内CCP冷等离子体源的仿真分析

等离子体的状态的变化特征,特别是在双频情况下,是PECVD工艺设备的一项重要指标,这促使人们用不同的方法对它们进行研究。本文使用CFD-ACE 商业软件建立了二维流体模型对N2等离子体进行仿真。首先在高频13.56MHz,高频电压300V,低频电压0V的条件下描述了等离子体,特别是在鞘层部位的电势、电子数量密度、氮自由基和电子温度,分布的基本特征。在此基础上,讨论了高频电压分别是200V,300V,400V时及低频0.3MHz,低频电压分别是500V,600V,700V时对等离子体密度的影响。结论表明,在电极表面形成了约3mm厚的鞘层,在鞘层内电势和电子温度随时间和空间变化较大,而在非鞘层区域内电势跟随电极电压的变化而变化,但几乎不随空间变化,电子温度也只在很小的范围内变化。氮自由基的数量密度也受射频电压的调制,但相对变化很小。等离子体密度仅在鞘层区域内随时间发生变化,所以通过比较主等离子体区参数可以看出,等离子体的密度随着高频电压升高,随低频电压的升高略有下降,同时x方向和y方向的均匀性将会发生变化。因此,在其他条件不变的情况下需要选择合适的高低频电压来获得高密度和均匀性均合乎要求的等离子体。     

Nanostructure effect of V2O5 buffer layer on performance of polymer-fullerene devices

Nanostructure of solar cell materials is often essential for the device performance. V₂O₅ nanobelt structure is synthesized with a solution process and further used as an anode buffer layer in polymer solar cells, resulting insignificantly improved power conversion efficiency (PCE of 2.71%) much higher than that of devices without the buffer layer (PCE of 0.14%) or with V₂O₅ powder as the buffer layer (1.08%). X-ray diffraction (XRD) results indicate that the V₂O₅ nanobelt structure has better phase separation while providing higher surface area for the P3HT:PCBM active layer to enhance photocurrent. The measured impedance spectrums show that the V₂O₅ nanobelt structure has faster charge transport than the powder material. This work clearly demonstrates that V₂O₅ nanobelt has great potential as a substitute of the conventionally used PEDOT-PSS buffer layer for high performance devices.     

(英) 基于石英基片工艺的D频段平衡式二倍频器设计

设计了一款D频段基于商用平面肖特基二极管DBES105a以及石英基片的二倍频器.通过对传统的用于平衡式混频器及倍频器的鳍线/悬置微带线巴伦耦合器进行改进,提出了一种方便为肖特基二极管外加偏置的平衡式倍频结构.首先,提出了一种适用于石英基片的波导/鳍线过渡结构,并且通过仿真及实验对该结构进行了验证,测试结果表明,这种过渡结构的损耗只有0.15 dB.在驱动功率为26.3 mW、外加反偏电压为0.4 V时,倍频器的测试最大输出功率为3.39 mW,对应倍频效率为12.9%.在外加偏置电压偏离最佳偏置点时,倍频器的输出功率从3.1mW降低到2.0 mW.这也说明:为了达到最大倍频输出功率,也需要为肖特基变阻二极管倍频器提供外加直流偏置.     

航空遥感器光学窗口光机热一体化设计

为减小光学窗口对航空光学遥感器成像质量的影响,对光学窗口的窗口玻璃厚度进行了优化设计。根据强度理论确定了窗口玻璃最小厚度。依据纵掠平壁理论计算出光学窗口外表面的平均对流换热系数;以热光学为基础,仿真了航摄时光学窗口的瞬态温度场分布;计算了光学窗口在热-力耦合作用下不同窗口玻璃厚度时的波像差(PV和RMS),最终确定了矩形光学窗口(290 mm×140 mm)的玻璃厚度为17 mm。试验结果表明:特征频率为60 lp/mm时光学系统传递函数为0.304,并获得了稳定、清晰的航摄图像。成功实现了光学窗口的光机热一体化设计,可为其他航空光学窗口设计提供参考。     

Nakagami-m水声信道中HARQ的性能分析

水声信道的多径扩展严重、环境噪声高、带宽受限、传输时延大等特点,极大地制约了水声通信系统的可靠性和有效性。以水声信道为研究对象,从理论上分析了Nakagami-m信道衰落模型下基于HARQ的期望吞吐率,并就给定的调制编码方案,给出了链路吞吐率的仿真。仿真结果表明,随着m值的增大,链路的期望吞吐率增大;但是,当m>2时,相同信干噪比条件下链路的吞吐率比较接近。同时,水声信道中节点相对移动速度对链路吞吐率没有显著影响。     

RFID标签芯片验证平台

RFID(Radio Frequency Identification)标签芯片命令及其帧格式多样,增加了验证的复杂性,而且验证充分性难以得到保障.为了能够高效地验证RFID标签芯片以及解决验证充分性的问题,提出了一种基于覆盖率和受约束的随机激励的面向对象的功能验证平台设计方法.验证平台不仅能对单条命令进行验证,也能对特定的和随机的命令流进行验证,并自动检查验证结果.实践表明,该验证平台大大提高了验证生产率,保证了流片后芯片功能的正确性.     

多任务载荷中共用接收射频前端设计

介绍了机载载荷的现状与发展趋势,特别是多任务载荷的发展方向.提出了多任务载荷中接收前端方案,描述了共用接收射频前端的系统构成,对接收分系统的性能及关键技术进行了分析与仿真,结果表明接收射频前端可同时满足通信与通信情报侦察的需求.     

共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性

制作了发射极面积为1μm×15μm×4指的InP DHBT器件,器件拓扑使用了共基极和共发射极两种结构,通过负载牵引测试系统对器件功率特性进行测试。在功率优化匹配条件下,所测得最大输出功率密度和相应的功率附加效率(PAE)在10GHz下为1.24W/mm和50%,在18GHz下的数据为0.82W/mm和26%。测试同时表明,共发射极结构相对稳定和易于匹配,共基极模式具有更大的输出功率潜力,但需要进一步解决难于匹配、容易振荡和寄生参量影响等问题。在功放电路设计中,可以根据不同需求选择合适的电路拓扑结构。     

机器学习系统毒化攻击综述

自机器学习被应用到许多关键性领域以来,机器学习系统的脆弱性也引起了人们的高度重视。其中,针对机器学习系统的毒化攻击得到了研究者的广泛关注,呈现了一些研究成果。因此,将系统地介绍当前机器学习系统毒化攻击的研究进展,对机器学习系统毒化攻击算法进行分类和总结,包括针对机器学习中的线性分类器、支持向量机、贝叶斯分类器和深度神经网络等几类常见模型的毒化攻击等攻击算法,目标是使现有的关于机器学习系统毒化攻击的研究成果更加清晰,为相关研究者的研究工作提供启发。     

Conception of Stretchable Resistive Memory Devices Based on Nanostructure‐Controlled Carbohydrate‐block‐Polyisoprene Block Copolymers

It is discovered that the memory‐type behaviors of novel carbohydrate‐block ‐polyisoprene (MH‐b ‐PI) block copolymers‐based devices, including write‐once‐read‐many‐times, Flash, and dynamic‐random‐access‐memory, can be easily controlled by the self‐assembly nanostructures (vertical cylinder, horizontal cylinder, and order‐packed sphere), in which the MH and PI blocks, respectively, provide the charge‐trapping and stretchable function. With increasing the flexible PI block length, the stretchability of the designed copolymers can be significantly improved up to 100% without forming cracks. Thus, intrinsically stretchable resistive memory devices (polydimethylsiloxane(PDMS)/carbon nanotubes(CNTs)/MH‐b ‐PI thin film/Al) using the MH‐b ‐PI thin film as an active layer is successfully fabricated and that using the MH‐b ‐PI_12.6k under 100% strain exhibits an excellent ON/OFF current ratio of over 10⁶ (reading at ?1 V) with stable V _set around ?2 V. Furthermore, the endurance characteristics can be maintained over 500 cycles upon 40% strain. This work establishes and represents a novel avenue for the design of green carbohydrate‐derived and stretchable memory materials.