对一种新型代理签名方案的分析与改进

Gu-Zhang-Yang(2005)提出了一个不需要可信第三方参与的匿名代理签名方案,由于该方案的签名验证数据中没有回避孤悬因子这一现象,因此并不满足强不可伪造性,原始签名人可以伪造一个有效的代理签名通过验证,并成功地在代理签名者身份揭示阶段向公众证明该伪造的代理签名是由合法的代理签名者产生的。本文在分析该方案安全性的基础上提出了改进的匿名代理签名方案,克服了原方案的不足。     

不断探索中的电子战——电子战技术与装备的发展

简述了电子战的发展概况及其在现代信息战中的重要地位和作用,着重介绍了在未来电子战中所应用的两大关键技术,即电子侦察和电子进攻。通过分析目前外军电子侦察和电子进攻在技术、装备方面的升级改进情况及未来电子战系统的发展趋势,提出了我方电子战建设的对策措施。从高新技术、作战理念入手,在作战方式上进行全新的调整和转型,以适应未来电子战的高要求,从而全面提高对敌的纵深打击能力,为打赢信息化战争奠定坚实基础。     

光探测器芯片小信号等效电路模型的建立

提出了一种光探测器芯片小信号等效电路模型及其建立方法.首先根据光探测器的物理结构确定其等效电路模型,模型考虑了影响光探测器高频性能的主要因素.然后精确测量了光探测器芯片的S参数,通过遗传算法对测量的S参数进行拟合,最终计算出模型的各个参量.在130MHz～20GHz范围内的实验结果表明,模型仿真结果与测量结果相吻合,证明了建模方法的可靠性.该模型有效地模拟了光探测器芯片的高频特性,利用该模型可以对光探测器及相应光电集成器件进行电路级仿真和优化.     

GaN HEMT开关器件小信号模型

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义.为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路模型.利用不同的方法提取开关器件的寄生电容、寄生电感以及寄生电阻.对于栅极附加有千欧姆量级偏置电阻的开关器件提出了一种新的本征参数提取方法.最后通过引入误差因子来评估该模型的准确性和应用在单刀双掷(SPDT)开关电路中检验模型的正确性.结果表明,误差因子E11 =E22＜2.96％,E12 =E21 ＜1.27％,开关电路拟合S参数与实测S参数结果基本吻合.所设计的小信号模型对未来GaN基电路设计提供了一定的理论指导.     

多用户多载波无线携能通信系统的上下行联合资源分配

无线携能通信(SWIPT)技术是解决无线网络能量受限问题的有效方法,该文研究一个由基站(BS)和多用户组成的多载波SWIPT系统,其上行和下行链路均采用正交频分复用(OFDM)技术。在下行链路中,基站向用户同时进行信息与能量传输;在上行链路中,用户利用从基站接收的能量向基站回传信息。该文以最大化上下行加权和速率为目标,联合优化上行和下行的子载波分配和功率分配,提出基于拉格朗日对偶法和椭球法的最优联合资源分配算法。计算机仿真结果证实了该算法的有效性。     

气驱技术对油套管性能的新要求

为有效补充地层能量、大幅提高采收率,保持油田高效开发和持续稳产,国内外油田陆续开展了气驱试验。气驱技术在保持油田高效开发和持续稳产的同时,也延长了油田生命周期,但井筒完整性是制约气驱技术发展的关键因素之一。通过分析气驱井油套管失效情况,从全生命周期角度,提出了保证井筒完整性措施以及气驱工艺下油套管选材思路,并指出在注气井或采出井采用耐蚀合金连续油管和非金属连续油管,可兼顾防腐和气密封功能,将是气驱工艺的发展方向。     

低温固化阻水透油防砂材料的室内研究

针对浅层低温地层出砂和油井采出液高含水的问题,开展低温固化阻水透油防砂材料室内研究。将石英砂、环氧树脂、相对渗透率调节剂等通过共混工艺制备了一种低温固化阻水透油防砂材料,利用FT-IR、热重、扫描电子显微镜等分析了防砂材料及其人造岩心的固化机理、热稳定性、微观形貌等,通过岩心驱替装置考察了人造岩心的抗压强度和水/油相渗透率。实验结果表明,含有30%相对渗透率调节剂的防砂材料在低温(30～70℃)条件下,固化形成的人造岩心抗压强度达到4.22 MPa以上;同时,相对渗透率调节剂加量为30%的人造岩心的水相渗透率和油相渗透率分别为963×10^-3和5513×10^-3μm²,表现出优异的阻水透油性。所合成的防砂材料在低温(30～70℃)条件下能满足低温浅层井的防砂阻水的要求。     

Fabrication of thick, high-quality strained SiGe layer on ultra-thin silicon-on-insulator and modeling of film strain

Fabrication of a thick strained SiGe layer on bulk silicon is hampered by the lattice mismatch and difference in the thermal expansion coefficients between Si and SiGe, and a high Ge content leads to severe strain in the SiGe film. When the thickness of the SiGe film is above a critical value (90 nm for 18% Ge), drastic deterioration of the film properties as well as dislocations will result. In comparison, a silicon-on-insulator (SOI) substrate with a thin top Si layer can mitigate the problems and so a thick SiGe layer with high Ge concentration can conceivably be synthesized. In the work reported here, a 110 nm thick high-quality strained Si_0.82Ge_0.18 layer was fabricated on an ultra-thin SOI substrate with a 30 nm top silicon layer using ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD). The thickness of the SiGe layer is larger than the critical thickness on bulk Si. Cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) reveals that the SiGe layer is dislocation-free and the atoms at the SiGe/Si interface are well aligned, even though X-ray diffraction (XRD) data indicate that the SiGe film is highly strained. The strain factors determined from the XRD and Raman results agree well.     

利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法

提出了一种解决大高宽比SU8结构的新方法.该方法是将SU8胶涂在一块掩模上,紫外光从掩模的背面照射,这样SU8胶的曝光将从底部开始,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量,从而很容易控制曝光剂量和SU8胶结构的内应力.实验结果表明,该方法能够得到高宽比为32的SU8结构,而文献报道的SU8胶结构的高宽比最大仅为18.     

一个DC-32GHz两位微机械移相器

采用分布式微机械传输线结构实现了两位移相器,并且为了减小传输线负载电容和驱动电压首次提出了用共面波导传输线来驱动微机械桥的结构(共面波导驱动结构).结果显示驱动电压小于20V,20GHz时两位移相器的相移为0°/20.1°/41.9°/68.2°,插入损耗为-1.2dB.在DC到32GHz的范围内相移具有良好的线性,插入损耗小于-1.8dB,反射损耗好于-11dB.实验结果表明了该结构在高介电常数衬底上制造低插损、宽带数字微机械射频移相器的潜力.