高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟

建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型，由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响，因而能较为正确地反映开关的电容特性。用数值方法计算了影响开关电容比的因素，并对计算结果进行了分析和讨论。提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜gj的厚度减少到50nm，从而使开关的电容比增加到3800。最后，讨论了实现高电容比MEMS膜开关的可行性。     

硅衬底上射频无源低通滤波器的设计及版图实现

文章系统地研究了微波无源低通滤波器的设计原理及其设计方法。根据网络综合法，设计出了一个—3dB截止频率为1．2GHz的2阶低通无源滤波器，其器件参数C1、L1、C2分别为2．56pF、13．252nH和2．56pF。采用自行设计的算法，编制了相应的Matlab程序，计算出滤波嚣的版图结构参数。最后，用ADS软件对该滤波器进行了版图级的模拟验证。结果表明，该微波无源滤波器的散射参数曲线与理想元件所组成的滤波器的散射曲线相吻合，且性能好，能够满足实际应用的需要。     

基于自适应射频预失真的多载波功率放大器线性化技术

用高功率放大器放大线性调制信号 (包络波动变化 ) ,必然会产生失真和互调成分。而基于扩频技术的第三代无线通信系统中的功率放大器必须要有很好的线性性能。本文提出一种线性化射频多载波高功率放大器的自适应射频预失真器。     

基于神经网络的红外焦平面非均匀性自适应校正算法

由于材料、工艺等原因,红外焦平面阵列(IRFPA)各单元普遍存在响应不一致的现象,从而导致IRFPA都存在非均匀性.非均匀性校正(NUC)是红外图像处理系统中的重要环节.本文在研究了传统的基于神经网络的NUC算法的基础上,提出了一种改进的基于神经网络的非均匀性自适应校正算法,并对比了传统的基于神经网络的算法和本文算法的校正效果和收敛速度,实验表明本文提出的算法校正效果好,收敛速度快.     

W波段回旋行波管放大器速度零散的分析

通过包含速度零散影响的回旋行波管放大器的非线性理论模型,以W波段两段结构回旋行波管放大器为例,详细分析了速度零散对放大器电子注—波互作用的影响.模拟结果表明,通过合理地调整互作用长度,减小电子横纵速度比、调节工作磁场等方法可以有效地减小速度零散的影响,对回旋行波管放大器的优化设计提供了理论依据.     

建立湖州广电网络信息业务平台的设想

叙述在数字电视平台上建立广电网络信息业务平台的设想,并提出建立湖州广电网络信息业务平台的几点看法。     

金属零件选区激光熔化快速成型技术的现状及发展

选区激光熔化(SLM)是为了直接获得致密的金属零件而发展起来的一种新型快速成型工艺.该方法利用直径30～50 μm的聚焦激光束,把金属或合金粉末逐层选区熔化,堆积成一个冶金结合、组织致密的实体.其外形不需进一步加工,经抛光或简单表面处理就可直接作模具或工具使用.阐述了目前SLM设备、工艺、软件等方面的现状、发展及应用.     

Ge/Si(100)量子点生长与形态分布的研究

利用超高真空化学气相淀积系统,通过控制淀积量、温度、流量等生长参数,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品,用原子力显微镜进行了表征与分析.系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛的生长机理.结果表明,从二维向三维岛跃迁后,最初形成的高宽比(高度与底宽的比值)在0.04～0.06之间的小岛是一种在低温下可以与圆顶岛共存的稳定岛,两种岛的分布随淀积参数的变化而变化.在高温下小岛几乎消失,流量的变化对小岛的密度影响较小.实验中获得小岛的密度最高为2.6×1010cm-2,圆顶岛的密度最高为4.2×109cm-2.     

一个基于扫描方法的DFT设计与实现

DFT技术已经成为集成电路设计的一个重要组成部分.详细介绍了基于扫描测试的DFT原理和实现步骤,并对一个32位FIFO存储器电路实例进行扫描设计.根据扫描链的特点和电路多时钟域问题,采用了三种设计方案,整个流程包括了行为级Verilog代码的修改、扫描设计综合以及自动测试模板产生(ATPG).对不同的设计方案给出了相应的故障覆盖率,并对生成的模板进行压缩优化,减少了测试仿真时间.最后分析了导致故障覆盖率不同的一些因素和设计中的综合考虑.     

驱动死区时间控制及其对D类音频功率放大器稳定性的影响

在D类音频功率放大器中,驱动死区时间控制是一个很流行的术语。它被用来防止击穿的发生。在当今的D类音频功率放大器的设计中,随着开关频率的不断提高,死区时间间隔相对于开关周期也变得足够的长,以至于影响了系统的性能。然而,短而有效的死区时间设置对于在D类转换端口获得更好的线性总是有益的。本文将详细阐述驱动死区时间控制对D类音频功率放大器的影响。通过采用内置的死区时间产生模块的驱动集成电路芯片来降低D类音频功率放大器外部端口器件的数量。仅通过两个额外的电阻来设置DT引脚电压就很容易地得到可选择的预编程死区时间。这种设置死区时间的方式可以阻止外部噪声对系统转换时间的影响,这对于音频的性能是至关重要的。