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131.
采电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明:最佳的沉积电位范围为-0.6~0.8V(vsSCE);硒化退火是获得高质量CuInSe,薄膜的必要过程,硒化退火温度应控制在440~610℃范围内;在不同沉积电位和不同电解质浓度组成溶液中,通过电沉积并在500℃下硒化退火均可获得黄铜矿结构CuInSe2多晶薄膜;沉积电位的负移会使膜层中CuInSe2的相对含量增加,晶型完善,且杂相减少;随着电解质浓度的增加,电沉积CuInSe2退火后结晶程度变好,颗粒变得粗壮,致密性也有所改善;电沉积并硒化退火后薄膜中的铜铟摩尔比受沉积电位和电解质浓度影响较大,当沉积电位为-0.7和-0.8V时,铜铟摩尔比约为1较为理想,且铜铟摩尔比的变化与电解液中CuCl2和InCl3的摩尔比变化一致。 相似文献
132.
在实验室制备各类AlF3掺杂试验阳极,在测试其基本物理化学性能的基础上,采用“改进断电流法”进行阳极过电位测试,研究AlF3添加剂和阳极焙烧温度对阳极过电位的影响。结果表明:在一定条件下,阳极中添加AlF3既可降低阳极的空气/CO2反应活性,也可降低阳极过电位;受高温脱S等因素的影响,阳极的电化学活性及其空气/CO2反应活性并未随着焙烧温度的提高相应降低。 相似文献
133.
目的优化钴基合金等离子熔覆工艺参数,提高熔覆层的成形质量。方法以熔覆于Q235钢表面的多道钴基合金耐磨涂层为研究对象,开展正交试验,利用MIRA3X-MHX型扫描电子显微镜分析涂层组织结构及不同区域的物相成分,采用KEYENCE VHX-5000超景深显微镜和HXD-1000TMC/LCD维氏显微硬度计对熔覆层表面平整度和横断面的显微硬度进行测量分析,并结合灰关联分析法和极差分析法,探究工作电流、扫描速度和送粉速度对熔覆层表面平整度和显微硬度的综合影响,优化出最佳工艺参数组合。结果工作电流对熔覆层成形质量的影响最为显著,其次是扫描速度、送粉速度。各组熔覆层横断面纵向显微硬度的波动情况大致相同,且最大显微硬度均出现在距离上表层约0.4 mm处,熔覆层平均显微硬度是基体材料的3倍多。熔覆层中上部的组织结构分布均匀且致密,随着熔覆层深度的增加,熔覆层稀释率呈增大趋势,显微硬度逐渐降低。在工作电流为95 A、扫描速度为90 mm/min、送粉速度为12r/min的工艺参数下,熔覆层与基板结合良好,无气孔和空隙,横断面平均显微硬度较高,且熔覆层表面较为平整。结论经等离子熔覆成形质量工艺参数优化后,熔覆层表面性能有效提高,该结果可为等离子熔覆技术应用于易磨损工件的耐磨性研究提供参考。 相似文献
134.
135.
136.
137.
138.
PLC在DU型多功能组合机床电控系统改造中的应用 总被引:2,自引:1,他引:2
从机床自动控制的实际需要出发,以DU型多功能组合机床为例,介绍了一种利用PLC的顺序编程控制功能来改造机床电控系统的具体方法。 相似文献
139.
140.
对筛分技术应用于城市河道污泥进行探索研究,在对城市河道污泥的工程特性分析的基础上,对不同的筛分设备用于城市河道污泥进行全面分析,并将筛分技术应用于工程实践中,取得了良好的效果,为城市河道污泥预处置中遇到的难题提供了良好借鉴。 相似文献