有源光纤环脉冲复制器工作特性分析

为了研究向全光等效时间采样系统提供被采样一致脉冲序列的技术,讨论了使用有源光纤环脉冲复制器进行脉冲复制的方法。分析了利用环内注入直流光实现对复制器非线性增益与放大自发辐射噪声所导致误差的抑制。通过实验得到了复制器误差随环内注入直流光的变化趋势、复制器复制稳定性和误差分布的测量结果。结果表明,利用有源光纤环脉冲复制器可以有效地产生被采样等效时间周期脉冲序列。     

用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析

用氧化多孔硅的方法来制备厚的 Si O2 成本低 ,省时 .氧化硅膜的厚度 ,表面粗糙度和组分这三个参数 ,对波导器件的性能有重要影响 ,扫描电子显微镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和俄歇分析得到 :氧化的多孔硅的膜厚已达 2 1 .2μm;表面粗糙度在 1 nm以内 ,Si和 O的组分比为 1∶ 1 .90 6.这些结果表明 ,用氧化多孔硅方法制备的厚 Si O2 膜满足低损耗光波导器件的要求     

阵列波导光栅复用/解复用器光栅孔径对器件性能影响的数值分析

阵列波导光栅复用 /解复用器中波导光栅孔径是器件重要的结构参数 .波导光栅孔径数值有限 ,部分光场将因未被耦合进而损失掉 .同时引起输出波导接收端焦场变形 ,增加了器件串扰 .本文详细分析和计算了由于波导光栅孔径有限引起的光场损耗和信号串扰 ,选择适当孔径参数可使其引入的信号损耗和串扰降到足够低 ,以优化设计器件     

平面阵列光学波导模式特性及其光强传输分析

分析了平面阵列波导的模式特性.其导波模式为周期性调幅的平面波(Bloch波).阵列波导输入/输出波导结构是影响其传输特性的重要因素.采用扇形过渡波导结构以提高阵列波导输入/输出端口芯区宽度与波导周期宽度的比值,可降低阵列波导光强的传递损耗.并可改善布里渊区入射/出射波的损耗非均匀性.采用低折射率差的波导芯区/包层结构可降低波导对光波的限制,提高光强的传输效率     

硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响

研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原子层时 ,获得了底部直径为 60± 5nm,面密度为 6× 1 0 9cm- 2 ,且均匀性很好的 Ge量子点 .另外 ,还简单讨论了硼原子对 Ge量子点自组织生长影响的机制 .     

PTC电极浆料用超细银粉制备过程中的消泡方法探究

研究了PTC(正温度系数陶瓷热敏电阻)电极浆料用超细银粉制备过程中温度和分散剂对泡沫高度的影响,探讨了几种消泡方法的优劣。结果表明,高温时,反应热聚集会造成液体局部沸腾,使泡沫高度增加;添加分散剂可增加泡沫液膜厚度和泡沫高度,高温高分散剂浓度使得银粉制备过程中必须进行消泡。消泡剂对生成银粉的粒径、灼烧失重等的影响较大,冷水降温消泡法用水量较大,负压消泡法效果显著。酒精、冷水消泡法可用于小批量生产,负压消泡法是提高生产量的好方法。     

一种新型VPN网络设计及QoS性能仿真

通过对现有各专网方案所存在问题及未来数据网络演进趋势的分析,以ATM- MPLS重叠网络的方式设计了一种新型VPN方案,并提出在现网的具体构建策略,证明了该方案具有现实部署的可行性.通过OPNET实现语音、数据及视频等多业务的仿真模拟,其中以数据业务响应时间作为量化指标,仿真结果表明该新型网络在高负载下响应时间在0.6s以内,且不累积拥塞,具有类似ATM的技术优势,为宽带网络演进提供了一种解决思路.     

岸船卫星双向时间比对及其误差分析

详细介绍了岸船卫星双向时间比对原理,从原理得出,影响卫星双向时间比对精度的因素主要有2项:TA和TB的测量精度和双向比对链当中的不一致性。分析各误差源对岸船时间比对精度的影响,表明主要误差源为两站设备时延,它是由岸船通信系统时钟和时统时钟不同源引起的采样误差,误差最大达到0.104 ms;而测量误差和由于卫星和地面站运动引起的误差较小,一般不超过ns级。     

基于无线公网的工业通信技术开发与应用

提出了应用无线公用网络进行工业测控系统远程通信的技术方案,包括利用GSM网络的短信息服务进行报警和少量数据传输,利用GPRS网络的多媒体信息服务传榆工业现场图像,利用CDMA网络的数据传输服务进行实时监控;开发了相应的工业通信设备.设备基于嵌入式计算技术,核心部件采用MSP 430单片机和ARM 9等微处理器,集数据采集、信号调理、分析报警、过程控制和远程通信功能于一体.     

用固相外延方法制备Si1-x-yGexCy三元材料

分析了Si1-x-yGexCy三元系材料外延生长的特点,指出原子性质上的巨大差异使Si1-x-yGexCy材料的制备比较困难.固相外延生长是制备Si1-x-y的有效方法,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择.通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系.指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应,影响以后的再结晶过程.采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区.在此基础上优化得出了固相外延方法制备Si1-x-yGexCy/Si材料的最佳条件.