用化学腐蚀制备多孔硅太阳电池减反射膜的研究

采用HF HNO3溶液化学腐蚀 ,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜 ,借助原子力显微镜 (AFM)和X光电子谱 (XPS)对其表面形貌和成分进行观察 ,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性 ,其主要成分为非化学配比的硅的氧化物SiOx(X <2 )。采用带积分球的光度分光计 ,测得形成多孔硅减反射膜后 ,硅片表面反射率大大下降 ,,在波长 330～ 80 0nm范围反射率只有 1 5～ 2 9%。研究指出这种强减反射作用 ,与多孔硅具有合适的折射率及其多孔特性的光陷阱作用有关     

机载相控阵天线辐射方向图的分析

采用一致性几何绕射理论分析了某型预警机机体对其上安装的大型相控阵天线辐射方向图的影响，计算了天线经机体散射后的场，优化了大型相控阵天线安装的最佳位置，为天线装机后辐射性能预测与布局优化提供了理论依据。     

特细砂混凝土的应用及其经济性

通过介绍特细砂混凝土在嘉陵江流域的马回、东西关、桐子壕等水电站建设中的应用情况 ,分析了特细砂混凝土的特性和配合比等特点 ,并闸明了在施工中使用特细砂混凝土的经济效益。     

橡胶卷材挤出连续硫化生产线的结构特色与工作原理

介绍了橡胶防水防腐卷材挤出连续硫化生产线的结构、特点和工作原理;指出在目前国内同类设备中,该生产设备具有先进性,并可替代引进设备。     

多变量自回归模型在三江平原井灌水稻需水量预测中的应用

应用多变量自回归模型ARV(n), 利用三江平原腹地-富锦市1985～1999年气象资料, 按水稻生育期划分6个生育阶段, 建立了井灌水稻生育期内需水量预测模型. 经模型拟合与预测, 效果良好, 可以为该地区开展节水灌溉、灌溉用水管理、合理开发利用地下水资源, 缓解地下水危机提供参考依据.     

数字电视传输流的实时码率变换系统

数字视频压缩后通常是打包成传输流的形式进行传送，年个传输流有其固定的发送码率，在某些应用场合，比如信道调制前端，需要对输入传输流码率进行改变以适应该信道要求，描述了一种全硬件实现，双路输出，实时，节目可选择的码率变换系统的原理及具体实现。     

大长径比自旋弹箭横向自振特性的有限元计算方法与结果分析

本文研究大长径比自旋弹箭在飞行时横向振动的自振特性。本文将转子动力学应用于弹道学 ,采用有限元法 ,建立自旋弹箭横向振动自振特性方程。同时给出了计算方法。利用该方程和该方法 ,开发了相应的计算程序。通过数值计算 ,可给出细长旋转弹箭飞行时的进动转速和临界转速 ,以及相应的位移和角度振型。利用该程序 ,进行了实例计算和分析。     

Dy3+激活的几种硼酸盐在VUV-VIS范围的光谱性质

本文报道了SrAl2B2o7:Dy^3 、BaAl2B2O7:Dy^3 、SrAl3BO7:Dy^3 、La2CaB10O19:Dy^3 的紫外－真空紫外（UV－VUV）激发光谱和UV激发下的发射光谱。根据发射光谱讨论了Dy^3 离子在这几种基质中发光的黄蓝比（Y／B）。在VUV激发光谱中推测了Dy^3 的f-d跃迁及电荷迁移态（CTS）和基质吸收的位置。     

硼酸铝晶须增强环氧树脂和双马来酰亚胺树脂体系的研究

本文以硼酸铝晶须为增强剂，以4，5-环氧环己烷-1，2-二甲酸二缩水甘油酯(TDE-85)，甲基纳狄克酸酐(MNA)、N，N’-二胺基二苯甲烷型双马来酰亚胺(BMI)/O，O′-二烯丙基双酚A(BA)体系分别作为基体制备晶须增强复合材料。研究了晶须对树脂的尺寸、表面处理方法、含量对树脂体系力学性能和热性能的影响；通过扫描电子显微镜(SEM)分析了浇注体的弯曲、冲击断口，研究晶须的增强机理。     

An experimental study of carrier heating on channel noise in deep-submicrometer NMOSFETs via body bias

In this paper, RF noise in 0.18-mum NMOSFETs concerning the contribution of carrier heating and hot carrier effect is characterized and analyzed in detail via a novel approach that modulates the channel carrier heating and number of hot carriers using body bias. We confirm qualitatively a negligible role of hot carrier effect on the channel noise in deep-submicrometer MOSFETs. For a device under reverse body bias (V_b), even though the increase in hot carrier population is clearly characterized by dc measurements, the device high-frequency noise is found to be irrelevant to the increase in the channel hot carriers. Experimental results show that the high-frequency noise is slightly reduced with the increase in |V_b|, and can be qualitatively explained by secondary effects such as the suppression of nonequilibrium channel noise and substrate induced noise. The reduction of NF_min and R_n with the increase in |V_b| may provide a possible methodology to finely adjust the device high-frequency noise performance for circuit design