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31.
基于图像处理的炮管轴线直线度检测方法   总被引:6,自引:0,他引:6  
在分析国内外直线度检测现状和比较了直线度测量的激光准直法、圆度法、杠杆法优缺点的基础上,提出了一种基于图像处理的炮管轴线直线度检测激光反射法.该方法通过激光器发出激光,经准直后射向分光镜,部分反射后射向测量元件.测量元件在炮管内移动并感知炮管实际轴线位置的变化.激光经反射后透射过分光镜到光靶上,CCD摄像机摄得光靶上被测信息的图像.经过图像处理及数据处理得出对应被测截面图像中的激光束中心,按照角度积累的公式计算出轴线直线度误差.同时论述了在Win98和VC++6.0环境下软件实现的步骤.实验结果表明该方法具有灵敏度高、测量速度快,对被测对象尺寸要求较低,适合在工厂内使用等优点.  相似文献   
32.
廖桂生  黄晖  史学鹏 《电子学报》2002,30(3):447-449
针对传统单用户检测器存在远近效应和性能下界问题,近年来提出的一系列最大SINR准则盲空时RAKE接收机,可以较好地合并期望用户的多径分量,同时抑制多址干扰用户能量.本文对这类接收机进行了进一步的研究,提出了一种自干扰抵消方法,更有效地克服了单用户检测器存在的性能下界以及远近效应问题.仿真结果验证了本文方法的有效性.  相似文献   
33.
供应链管理的研究综述   总被引:31,自引:0,他引:31  
首先阐述了供应链管理的概念,在此基础之上提出目前供应链的研究框架,并指出供应链管理实践中存在的问题,最后提出未来研究方向。  相似文献   
34.
王力臻  谷书华  陈水标  商景鹏  廖奭 《电池》2002,32(4):207-210
利用滴定分析、热失重分析以及XRD方法研究了EMD和KOH溶液混合后的变化。结果表明:碱与MnO2可以相互作用并导致体系温度的升高,碱浓度的下降,EMD中形成Mn3O4以及MnO2中结合水的损失。相互作用的结果与所加KOH溶液的浓度、EMD中的水含量、二者用量的比例关系以及体系的温度有关。  相似文献   
35.
超强吸水树脂的吸水性能研究   总被引:15,自引:0,他引:15  
对自制的超强吸水树脂的吸收性能进行了研究,分别考察了吸水树脂的粒径,溶液的pH值,几种离子如Na^ ,K^ ,Ca^2 ,Mg^2 等的水溶液对吸水树脂吸收性能的影响。实验结果表明,在pH为6-8,树脂粒径为100mesh-120mesh时,树脂的吸水性能最好,各种离子对吸水树脂吸收性能的影响大小顺序为:Na^ <K^ <Mg^2 <Ca^2 。  相似文献   
36.
本文根据涂胶设备在加工制品过程中所遇到的制品背面沾污问题,提出改进措施,并根据设备的具体情况,增加了涂胶设备的背面冲洗功能。使制品在涂胶过程中,及时地对制品背面进行冲洗,从而保证了制品背面的洁净度,对提高产品质量和提高产品的成品率有非常重要的意义,同时对开发一些技术要求较高的新品也有深远的影响。  相似文献   
37.
正交异性矩形薄板的稳定性分析   总被引:6,自引:3,他引:3  
杨端生  廖瑛  黄炎 《工程力学》2002,19(3):55-58
本文求得了正交异性矩形薄板屈曲位移函数微分方程的一般解。可用以求解任意边界矩形板的稳定问题。以两邻边简支,另两边自由的正方形板为例进行了计算。  相似文献   
38.
超临界CO2萃取技术及成套装备   总被引:11,自引:0,他引:11  
介绍了超临界CO2 萃取这一新兴分离技术在工业化装置的工艺流程、化工过程、设备及过程控制系统等方面的内容  相似文献   
39.
康明  廖其龙  尹光福  孙蓉 《材料导报》2006,20(Z1):169-171
将汉白玉废料通过高温煅烧分解得到氧化钙,再用氯化铵循环液溶解氧化钙制得碱性氯化钙溶液,除去其中的Mg、Fe等杂质得到氯化钙精制溶液,利用化学方法合成得到碳酸钙粉体.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及激光粒度分析仪、白度仪对碳酸钙产品的晶相组成、形貌、粒度分布、白度及化学组成进行了分析,所得产品为纯度达98.5%以上、白度达97%以上、平均粒度为80nm左右的球形纳米级碳酸钙.并对碳化反应速率及合成球形纳米碳酸钙的影响因素进行了分析.实验中循环使用NH4Cl,氨的排放量小,减少了环境污染.  相似文献   
40.
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作   总被引:2,自引:1,他引:1  
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。  相似文献   
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