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51.
单轴-平面W型复合锶铁氧体的制备及其吸波特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
姚学标  胡国光  尹萍  方庆清  吕庆荣 《功能材料》2002,33(6):633-634,637
用草酸盐共沉淀和微量掺杂法研制六角晶系W型Ni,Zn,Co,Al多元复合锶铁氧体,通过调节Ni2W同Co2W的摩尔比例,可使该种铁氧体易磁化方向从C单轴型向垂于C轴的平面型转化,控制置换锶铁氧体中部分Fe3 的微量掺杂Al3 ,可以调整4πMs值,提高磁晶各向异性场,测试分析了5种不同含Co量的W型复合锶铁氧体粉料涂层的吸波特性,发现其自然共振吸收峰随Co含量增加向低频方向偏移,最高吸收峰可达32.8dB,是适用于电子隐形技术的高品位的微波吸收剂。  相似文献   
52.
Double-crystal x-ray rocking curve (DCRC) and secondary-ion mass-spectroscopy (SIMS) measurements have been performed to investigate the effect of rapid thermal annealing on the interdiffusion behavior of Hg in HgTe/CdTe superlattices grown on Cd0.96Zn0.04Te (211)B substrates by molecular beam epitaxy. The sharp satellite peaks of the DCRC measurements on a 100-period HgTe/CdTe (100Å/100Å) superlattice show a periodic arrangement of the superlattice with high-quality interfaces. The negative direction of the entropy change obtained from the diffusion coefficients as a function of the reciprocal of the temperature after RTA indicates that the Hg diffusion for the annealed HgTe/CdTe superlattice is caused by an interstitial mechanism. The Cd and the Hg concentration profiles near the annealed HgTe/CdTe superlattice interfaces, as measured by SIMS, show a nonlinear behavior for Hg, originating from the interstitial diffusion mechanism of the Hg composition. These results indicate that a nonlinear interdiffusion behavior is dominant for HgTe/CdTe superlattices annealed at 190°C and that the rectangular shape of HgTe/CdTe superlattices may change to a parabolic shape because of the intermixing of Hg and Cd due to the thermal treatment.  相似文献   
53.
徐红艳  韩军 《真空与低温》1997,3(4):207-212
介绍了二级抛物面型辐射制冷器的热物理模型及用蒙特卡罗方法数值模拟解决其热流理论和辐射热耦合表面(漫发射、镜反射)辐射热交换的处理方法。  相似文献   
54.
The incidence of stress fractures is increasing among competitive and recreational athletes as well as among children and the elderly. By understanding the continuum of bone's response to stress and maintaining an appropriate index of suspicion, the health care provider can diagnose these injuries appropriately. An accurate history and examination is essential and will differentiate stress fractures from other stress reactions. The more common stress fractures are discussed.  相似文献   
55.
PC/PET共混物的非等温结晶动力学   总被引:9,自引:0,他引:9  
采用等速变温DSC法对PC/PET共混体系的非等温结晶动力学进行了研究,结果表明,从玻璃态结晶时,随着PC含量的增加,PET组分的结晶速率先增加后降低。耐从熔体结晶时,体系的结晶速率随着PC含量的增加而增加,讨论了PC对PET组分结晶过程的影响。  相似文献   
56.
We have fabricated a self-aligned offset-gated poly-Si thin film transistor (TFT) by employing a novel photoresist reflow process. The gate structure of the new device is consisted of two unique patterns: A main-gate and a sub-gate. The new fabrication method extends the gate-oxide over the offset region. With the assistance of the sub-gate and reflowed photoresist a self-aligned offset region is successfully obtained due to the offset oxide acting as an implantation mask. The poly-Si TFT with symmetrical offsets is easily fabricated and the new method does not require any additional offset mask step. Compared with the misaligned offset gated poly-Si TFTs, excellent symmetric electrical characteristics are obtained  相似文献   
57.
There is no good method to measure the shape and the strain distributions of a structure changing with time. We have previously proposed the Fourier transform grid method (FTGM) to measure the three-dimensional shape and surface strain distributions of stationary objects by analysing the two-dimensional grating images recorded with two cameras. In the stereoscopic method, it is very important to determine the accurate geometric parameters of the camera system. In this paper, the positions and the directions of cameras are accurately determined using the FTGM applied to images of a reference object on which a two-dimensional grating is drawn. Applications for analysing shape and strain distributions of vibrating rubber plates and a moving human skin are shown.  相似文献   
58.
CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。  相似文献   
59.
径向非均匀磁场成形计算的解析—数值综合方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
韩守真  尹兆升 《核技术》1989,12(6):360-364
  相似文献   
60.
UV-LIGA深度光刻机平滑衍射技术研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
UV-LIGA深度光刻技术是加工微型机电系统的一项重要的微细加工技术。介绍了一种平滑衍射效应的位错强度叠加原理,它采用了蝇眼积分透镜去平滑衍射,并模拟数值计算了硅片表面的光强分布,最后给出了光刻结果。  相似文献   
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