Synthesis of Millimeter‐Scale Transition Metal Dichalcogenides Single Crystals

The emergence of semiconducting transition metal dichalcogenide (TMD) atomic layers has opened up unprecedented opportunities in atomically thin electronics. Yet the scalable growth of TMD layers with large grain sizes and uniformity has remained very challenging. Here is reported a simple, scalable chemical vapor deposition approach for the growth of MoSe₂ layers is reported, in which the nucleation density can be reduced from 10⁵ to 25 nuclei cm^?2, leading to millimeter‐scale MoSe₂ single crystals as well as continuous macrocrystalline films with millimeter size grains. The selective growth of monolayers and multilayered MoSe₂ films with well‐defined stacking orientation can also be controlled via tuning the growth temperature. In addition, periodic defects, such as nanoscale triangular holes, can be engineered into these layers by controlling the growth conditions. The low density of grain boundaries in the films results in high average mobilities, around ≈42 cm² V^?1 s^?1, for back‐gated MoSe₂ transistors. This generic synthesis approach is also demonstrated for other TMD layers such as millimeter‐scale WSe₂ single crystals.     

WFS 3D全息声技术在后期制作室中的设计应用研究——以上海交响音乐厅全息声后期制作室设计为例

通过阐述波场合成(WFS)的原理,提出了基于波场合成技术设计的“WFS 3D全息声”技术,将其与传统的立体声、环绕声等声音回放制式进行对比,论证了WFS技术在声音重放还原时独到的优势.在此基础上,以上海交响乐团音乐厅3D全息声后期制作室的音频系统设计为例,展开对“WFS 3D全息声”技术在后期制作室中的实际设计应用研究,涉及系统的组成、扬声器的布局、兼容性以及创新性等,为该技术在听音室、后期制作室等环境的应用为后人提供相关专业参考依据,并以此进一步启发相关行业标准的正式制定和形成.     

新型集成压力与温度MEMS传感器

本文提出一种MEMS传感器,单片集成温度和气压的检测单元。该传感器采用SOI硅片的上层硅作为压阻薄膜,因此各管芯的薄膜厚度有良好的一致性。传统的背面体硅腐蚀方法未被采用,因为碱性溶液腐蚀体硅会在<111>面自停止,形成57.4°的斜坡,从而增大管芯面积,取而代之的是ICP深硅刻蚀。片上集成两个PN结,结区面积呈比例,可以实现温度检测功能。测试表明在-40-100℃之间都有良好的线性度,PN结的离子注入工艺与压阻注入工艺完全兼容,减少了工艺成本。     

基于全局最优的被动多传感器多目标轨迹关联算法

多目标轨迹关联问题是天基光学跟踪系统的核心和难点之一。传统的分布式轨迹关联方法基于目标的3维轨迹信息,不适用于被动传感器的2维轨迹关联问题。为此,该文以倾角差为统计检验量,建立轨迹统计检验模型,提出基于全局最优思想的轨迹关联算法,并用密集多目标场景进行算法的蒙特卡罗仿真。结果表明,该轨迹关联算法性能优良,可以有效完成密集目标环境下的被动多传感器多目标轨迹关联任务。     

CCD组件靶面脏斑成因分析及解决方法

通过三项试验,找到了CCD摄像机组件靶面脏斑形成的原因。潮湿的自然环境、温度变化和运输振动三个因素促成CCD组件机壳内的水汽吸附灰尘,凝聚到芯片靶面上形成脏斑。提出了解决脏斑问题的具体方法。通过在CCD组件的装配、包装过程中采取针对性措施来保证密封性能,这样就能在存储和运输过程中避开空气中的灰尘、水汽等脏斑源,靶面上就不会因受潮而产生脏斑。采取这些措施后,在后续产品中脏斑问题得到了彻底解决。     

Au线键合中"塌线"问题的研究

目前,在半导体闪存多芯片的金线键合工艺中,为满足堆叠芯片不断增加等结构需要,键合线弧要求更低、更长,制造工艺变得相对更加复杂。针对生产过程中常遇到的塌线问题,通过对金线键合工艺中线弧形成动作的过程分析,以金线弹动现象为线索,探究了生产过程中塌线问题产生的原因,并给出了相应解决方案。经过此研究,长线键合的生产工艺能力得到加强,其成果对新封装产品的研发及基板设计具有有益的参考价值。     

670nm发光二极管材料的MOCVD外延生长

重点介绍了670nm LED材料的结构与制备方法,用MOCVD方法生长了较高压应变的670nm多量子阱。分析比较了670nm量子阱室温光荧光谱线宽度的影响因素,指出室温光荧光主要来源于带-带复合,荧光谱线宽度的减小是应变量子阱轻重空穴能级分离的结果,并不意味着量子阱界面质量的改进。同时介绍了二乙基锌(DEZn)的掺杂技术和掺杂浓度,通过优化掺杂条件和退火条件,p型AlInP材料获得了0.9×1018/cm3的空穴密度。外延材料制作成200μm×200μm尺寸的LED管芯,在20mA工作电流下亮度为22～24mcd。器件结果表明,用5个压应变量子阱的有源区并且采用DEZn掺杂可以制作出高亮度的670nm LED外延材料。     

光通信系统级联码的仿真研究

随着光通信技术向更长距离、更大容量和更高速度的进一步发展,有必要深入研究性能更好的FEC码型方案。在光通信应用的众多FEC码型中,级联码具有短码的复杂度和长码的性能,具有极强的纠突发和纠随机错误的能力,是光通信系统中高效编码的主要研究对象。文中主要对RS-BCH型级联码进行了理论分析及建模仿真,与一般循环码相比该级联码纠错性能优良、冗余度适中、易于实现,更适用于高速光通信系统。     

基于ARM的嵌入式站间自动闭塞控制器硬件设计

针对铁路信号的高可靠性要求,设计了嵌入式站问自动闭塞系统的体系结构、嵌入式闭塞控制器和控制锁.详细设计了具有冗余特性的控制器硬件、比较电路和安全锁.同时,对本控制器构成的自动站间闭塞系统进行Petri网建模及分析.     

发射机高压变压器温度自动监测控制系统

介绍了发射机高压变压器温度自动监测控制系统的构成和设备配置、系统的软件设计、功能和特点。该系统实现了数据的采集、实时显示、存储、查询、手机报警、冷却控制和远程实时监控等功能,以及发射机房设备的自动实时监控和智能化管理,提高了工作效率和管理水平。经实际应用表明该系统具有成本低、可靠性高、扩展性好等特点。