一种新型的高噪声抑制比及高温度稳定性的基准电压产生器

基准电压源 (或基准电流源 )在CMOS模拟电路中被非常广泛地采用 ,因其在一定的温度范围内随温度的变化很小。本文介绍一种新型的CMOS基准电压产生器 ,采用CSMC6 0工艺和5 0V的工作电压 ,在 - 10℃到 +85℃的温度范围内 ,它能够产生约为 95 8± 3 5mV的基准电压 ,而且此基准电压在低频时的电源噪声抑制比PSRR达 15 5dB ,可以为各种中低功耗的CMOS集成电路提供稳定的工作电压     

光纤拉曼放大器的优化设计

文章介绍了一种设计多波长泵浦光纤拉曼放大器（FRA）的方法以及怎样用此方法实现需要的增益曲线。利用这种方法仿真实现了增益接近20dB、平坦度小于0.2dB的拉曼放大器，它与现有的拉曼放大器相比具有更平坦的增益曲线。     

多站远程无线控制信号系统通信软件的开发

多站远程无线控制系统是以计算机为中心控制 ,用多个信号源作为下位机通过无线模块进行通信 ,文中介绍了通过无线数传模块实现无线通讯以及ActiveX控件的使用方法 ,提出了使系统应用程序更安全可靠 ,效率更高 ,维护更加方便的几种措施。     

硅基HgCdTe面阵焦平面器件结构热应力分析

红外焦平面器件是一个多层结构,包含外延衬底、HgCdTe芯片、Si读出电路、互连In柱、粘结胶以及引线基板等,由于各层材料之间的热膨胀系数不同导致焦平面器件在工作中承受很大的热应力,热应力是导致红外焦平面器件失效的重要因素之一。本文运用一维模型以及有限元分析方法对硅基HgCdTe320×240焦平面器件结构进行热应力分析,结果表明,改变Si衬底厚度、粘结胶的杨氏模量以及基板的热膨胀系数,都会不同程度地影响HgCdTe薄膜上的受力,其中基板的热膨胀系数对HgCdTe薄膜所受的应力影响最大。通过选用合适的基板可以有效降低HgCdTe薄膜所受的应力,从而降低器件失效率。     

同向泵浦拉曼放大器中泵浦-信号间四波混频研究

研究了同向泵浦分布式拉曼放大器(DRA)中泵浦-信号间的四波混频(FWM)效应.基于分段求和法,导出了不同零色散波长光纤组成的前向泵浦DRA中FWM功率的计算公式.考虑受激拉曼放大的情况下,数值模拟了DRA中FWM引起的信道串扰随光纤传输距离的演变,以及FWM与光纤零色散波长之间的关系.理论分析了色散补偿光纤(DCF)对FWM串扰的抑制效应.计算结果表明,在采用非零色散位移光纤(NZDSF)作为传输介质的DRA中,泵浦-信号间存在着较强的FWM效应,严重影响了密集波分复用(DWDM)系统的传输性能.引入适量DCF,不仅能降低DRA中FWM引起的信道串扰,还可有效消除色散导致的波形失真.     

矩形波导窄边倾斜缝隙天线阵的设计

介绍了一种矩形波导窄边斜缝泰勒线阵设计的方法.简要阐述了矩形波导窄边缝隙天线阵列的相关理论,并使用HFSS软件对单个缝隙结构,无限阵列环境下缝隙单元的导纳参数进行数值仿真.然后按照仿真获得的等效谐振电导曲线,运用泰勒线元法综合求出非谐振式48元波导窄边缝隙线阵,并对整个线阵进行了仿真和实测.仿真和实测结果表明,该天线阵列具有低副瓣、宽带宽、高增益等特点,并且实测结果与仿真吻合良好.     

一种低功耗4H-SiC IGBT的仿真研究

针对传统沟槽栅4H-SiC IGBT关断时间长且关断能量损耗高的问题,文中利用Silvaco TCAD设计并仿真了一种新型沟槽栅4H-SiC IGBT结构。通过在传统沟槽栅4H-SiC IGBT结构基础上进行改进,在N ⁺缓冲层中引入两组高掺杂浓度P区和N区,提高了N ⁺缓冲层施主浓度,折中了器件正向压降与关断能量损耗。在器件关断过程中,N ⁺缓冲层中处于反向偏置状态的PN结对N ^-漂移区中电场分布起到优化作用,加速了N ^-漂移区中电子抽取,在缩短器件关断时间和降低关断能量损耗的同时提升了击穿电压。Silvaco TCAD仿真结果显示,新型沟槽栅4H-SiC IGBT击穿电压为16 kV,在15 kV的耐压设计指标下,关断能量损耗低至4.63 mJ,相比传统结构降低了40.41%。     

光电负阻晶体管PNEGIT的电路模型和模拟

给出了光表面控制负阻晶体管 PNEGIT( Photo- Controlled Surface Negative ImpedanceTransistor)的电路模型 ,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型 ,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件 ,模型为研究 PNEGIT和表面控制负阻晶体管 NEGIT( Surface- Controlled Negative Impedance Transistor)以及探讨该类器件的新用途提供了一种手段 ,把模拟结果与实验进行了对比     

互连封装结构电特性分析中的改进PEEC三维建模

本文提出了一种改进的PEEC模型,为便于在大规模互连封装结构分析中利用规模缩减技术,它以描述系统的状态方程代替了具体的等效电路.为此它以矢量磁位的积分表达式和洛仑兹规范代替了矢量磁位和标量电位的积分表达式,对积分方程进行展开.这样做可以避免复杂介质结构中的电容矩阵提取,大大节省了计算时间.这一模型可方便地嵌入更大的系统进行分层次的综合分析和利用PVL等规模缩减技术.数值计算的结果与其他文献吻合较好,表明该方法有较高的可靠性.     

泵浦功率对有源环形微腔滤波器特性的影响

研究泵浦功率对Er-Yb共掺磷酸盐玻璃有源环形腔滤波器滤波特性的影响。利用重叠积分方法求解Er-Yb共掺系统的速率方程与功率传输方程,讨论了泵浦功率对滤波器的传输特性、带宽和精细度的影响。数值计算结果表明:泵浦功率的改变不会改变环形腔滤波器的谐振特性,泵浦功率的提高对滤波器输出光谱特性具有重大的影响。一方面压缩了滤波器的带宽,另一方面又提高了滤波器的精细度。