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91.
利用靶试及数值计算研究钨丝增强锆基非晶弹芯侵彻弹坑形貌及直径,并进行理论分析.结果表明:钨丝增强锆基非晶弹芯侵彻弹坑较93W合金弹坑细长,且弹坑底部更尖锐.在稳定侵彻阶段,钨丝增强锆基非晶弹芯侵彻弹坑平均直径为10.1 mm,较93W合金弹坑小8.2%,这归因于钨丝增强锆基非晶动态压缩强度更高,侵彻过程具有"自锐"特性. 相似文献
92.
通过研究GaAs衬底上不同厚度InAs层光致发光的退火效应,发现它和应变量子阱结构退火效应相类似,InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强,量子点发光峰蓝移.量子点中或其附近一旦形成位错,其中的应变得到释放,互扩散现象就不明显了,退火倾向于产生更多的位错,量子点的发光峰位置不变,但强度减弱. 相似文献
93.
注聚末期颗粒调剖技术应用效果分析 总被引:2,自引:0,他引:2
注聚末期如何突破现有的技术和工艺,提高聚合物的利用率,改善聚合物驱开发效果,是聚合物驱油田开发亟待解决的瓶颈问题.预交联颗粒调剖剂具有较好的体膨性能,调剖粒径、强度和膨胀倍数等可调,可有效地调整吸入剖面,改善聚合物驱开发效果,提高聚合物驱最终采收率.研究了注聚末期颗粒调剖技术的特点及选井选层方法,详细分析了萨北开发区注聚末期颗粒调剖后聚合物驱动态指标变化规律. 相似文献
94.
95.
基于双窗全相位FFT的激光多普勒频率提取与校正方法 总被引:1,自引:0,他引:1
针对于激光多普勒信号解算中存在的频谱泄露以及栅栏效应等问题,将性能更优异的汉宁自卷积窗(HSCW)以及全相位频谱分析(apFFT)运用于多普勒信号的短时傅里叶变换(STFT)中,并且通过双谱线法对所获得的频谱进行了校正。理论与仿真表明,双汉宁自卷积窗(HSCW)apFFT比传统apFFT更能抑制旁谱泄露,并且相对于传统FFT,双HSCW窗apFFT所提供的的频谱位置与幅值能够更好的满足双谱线校正法频率校正的要求。通过将该种算法应用于高冲击下加速度传感器的校准系统中,实测结果表明,其解算结果与标准传感器的加速度峰值误差在1 %左右。 相似文献
96.
为了研究金黄色葡萄球菌在凉皮中的生长规律,通过测定5℃、10℃、15℃、20℃、25℃下金黄色葡萄球菌在凉皮中的生长数据,采用Baranyi模型、Modified Gompertz和Huang模型拟合金黄色葡萄球菌的生长曲线。比较3种模型的相关系数和参数,将一级模型得到的最大比生长速率(μmax)与迟滞期(λ)建立与温度相关的二级模型。实验表明,Modified Gompertz模型建立的一级模型的偏差因子(B_f)和准确因子(A_f)均在合理范围内。采用Modified Gompertz模型拟合的μmax和λ建立其与温度的平方根模型,拟合得到的R2为0.80和0.88,说明Modified Gompertz模型最适合拟合生长曲线,二级模型经方差分析显示方程显著,表明所建模型能有效预测金黄色葡萄球菌在凉皮中的生长情况。本研究为凉皮中金黄色葡萄球菌的定量风险评估提供理论依据。 相似文献
97.
98.
该文研制了一款频率3.4 GHz的S波段声表面波(SAW)滤波器。该滤波器采用一种由新型谐振器构成的阻抗元结构,能提升抗热释电静电损伤能力,用时可在一定程度上提升器件的功率承受能力。同时研制了尺寸为2.0 mm×1.6 mm的芯片级封装(CSP)基板。采用倒装焊工艺实现了芯片与CSP基板的电连接,降低了电磁寄生影响。结果表明,研制的SAW滤波器频率为3.408 GHz,插损为2.23 dB,8 GHz远端阻带大于30 dB,且实测的功率承受能力达到30 dBm。 相似文献
99.
为了提高传统风能最大功率点跟踪控制的鲁棒性,提出了新的滑模自适应最大功率点跟踪控制策略。由于实际无速度传感器的风电系统变量难以测量,为此构造了滑模状态观测器来估计系统的转速跟踪误差,并基于估计值设计了滑模自适应最大功率点跟踪控制器。最后,基于MATLAB/Simulink仿真平台搭建了完整的风电系统仿真模型。仿真结果表明,在不同风速扰动作用下,所提出的控制策略均能实现良好的跟踪和控制效果,提高了风电系统的鲁棒性,保证了风电系统的最大功率输出。 相似文献
100.
Bi2O3蒸汽掺杂的Ba1—xSixTiO3半导化陶瓷的PTCR效应 总被引:1,自引:2,他引:1
施主掺杂的钛酸钡陶瓷的PTCR效应来源于晶界上的钡空位。在Bi2O3蒸汽两次掺杂的样品中发现了大于8个量级的PTCR效应。在烧成过程中的Bi2O3蒸汽掺杂时,高氧分压下可以产生更高的钡空位浓度,因而样品具有更高的PTCR效应。 相似文献