生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌和结晶质量的影响

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上外延生长In0.82Ga0.18As.研究生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌、结晶质量和Ⅲ族源铟镓比的影响.扫描电子显微镜观察样品的表面形貌.X射线衍射用于表征材料的组分和结晶质量.结果表明,生长温度强烈地影响In0.82Ga0.18As材料的表面形貌和结晶质量.样品的表面形貌随生长温度的增加由典型的2D生长模式过渡到3D生长模式.X射线衍射曲线半峰全宽为1224、1454、2221、2527 S,分别对应于生长温度为410、430、450、470℃四个样品.此外,Ⅲ族源铟镓比值也随生长温度的增加从0.42增大到4.62.     

模板匹配算法的两种实现方法比较

模板匹配算法是图像配准和视频跟踪等系统中常用的一种算法,首先对它进行了详细的分析研究,在此基础上比较了它在VS2010和System Generator两种环境下实现的性能指标。实验结果表明,基于System Generator环境的模板匹配算法效率更高,开发周期更短。     

用EPON技术建设有线电视宽带接入示范小区

EPON技术是一种新型的光纤接入网技术,对EPON的网络结构和技术本质作了详细的介绍,分析和比较EPON在住宅小区的组网方式,选择EPON＋LAN和兀TH两种组网方式在示范小区进行建设。     

四星时差定位中的卫星构型及其定位性能

针对目前多星联合定位研究中对卫星覆盖区域无法长时间高精度定位的问题,提出了一种新型的四星星座构型,并在STK软件中得到了实现。推导了在地球约束情况下基于四星时差定位的误差模型,对卫星全球飞行过程中星座构型变化时的定位性能进行了仿真。仿真结果表明,新型四星星座可以实现在卫星全球飞行过程中对覆盖区域保持高精度定位,在时差测量误差为50 ns且不考虑卫星位置误差的情况下,定位误差在依45毅波束范围内优于1.5 km,对多星联合定位技术在工程设计应用上具有重要意义。     

星载AIS混合信号的混叠位置估计

针对AIS混合信号的混合位置估计问题,改进了 传统双窗检测法。混合 信号混合部位和未混合部位在幅度和频率上存在明显差异,通过混合部分与未混 合部分到达窗内的能量比值来估计重叠段与未重叠段的始末位置,对传统估计信 号起始位置的判决函数进行了改进,估计精度更高。仿真表明,相较于传统双窗 检测法,本文能够准确估计出混合信号的重叠始末位置。     

光纤耦合器结构的红外光谱研究

为获得性能优良的熔锥型光纤耦合器．利用740FT-IR显微红外光谱仪,研究了不同制作工艺条件下耦合器中石英玻璃结构的差异。测定了在不同拉伸速度时制作的光纤耦合器,石英玻璃在650．2000cm^-1波数范围内的红外吸收光谱．观察到了石英光纤玻璃的两个特征峰,由Si-O-Si反对称伸缩振动引起的特征峰940．950cm^-1和由Si-O-Si对称伸缩振动引起的特征峰770—780cm^-1。由于工艺条件的不同,特征峰的强度和位置都发生了变化,并测量了其变化的大小。拉制速度越快,石英玻璃中Si-O-Si键的不对称伸缩振动越强．且波数的移动与光纤耦合器的性能密切相关。     

基于PC104的低空测试仪测控程序设计与实现

低空测试仪试验需要把整个测试仪作为吊舱挂在直升机下工作,能适应各种恶劣的自然条件,用于某飞行部件地海杂波环境下的测试。以PC104嵌入式计算机为硬件平台,标准C＋＋为开发工具,针对低空测试仪数据采集需求开发了测控程序。通过电平I＼O控制电源板给各信号加电时序,A＼D卡实时采集信号,高度表通过串口回传高度数据。着重介绍了低空测试仪的软硬系统设计方案,给出了一组测试数据,验证了测控程序的有效性。现场应用表明,该系统具有设计合理,操作简便,测试准确的特点,达到了设计要求。     

基于ZigBee和GPRS的嵌入式家庭智能控制系统

为了解决传统家庭控制网络中的布线复杂、通讯盲区和高功耗问题,设计并实现了基于ZigBee和GPRS的嵌入式家庭智能控制系统。系统以ARM11微处理器S3C6410为控制核心,以ARM-Linux为实时操作系统,采用ZigBee技术组建家庭无线网络,实现控制器与各家庭智能模块的无线连接,通过GPRS网络实现控制器与用户手机的无线连接。测试表明,系统实时性好、可靠性高,并且扩展方便、易行,具有广阔的市场应用价值。     

300W全固态调频发射机电路分析及使用维护

以FM301S-IV 300 W调频发射机为例,分析调频发射机的工作过程,重点介绍同轴电缆线射频平衡转换、线绕阻抗变换以及BLF278功放管等功放组成部件的工作原理特点以及使用维护经验。     

无掩模光刻技术的前景

介绍了无掩模光刻技术的现状、存在的问题和前景展望;说明了无掩模光刻技术的最大优点即是降低掩模成本;同时还介绍了电子束光刻技术及其改进。