薄相屏闪烁的数值分析

本文在弱闪烁条件下，利用广泛适用于星际闪烁、行星际闪烁和电离层闪烁的薄相屏理论，以行星际闪烁为算例，对薄相屏闪烁进行了数值分析。结果表明：垂直于介质运动方向上的不规则结构的大小对闪烁有着重要的影响，直接表现在频谱的变化趋势和振荡幅度的不同。尤其是当小于Ｆｒｅｓｎｅｌ尺度时，数值计算表明此时没有闪烁发生。     

高质量的一级光栅1．55μmDFB激光器

本文详细叙述了ＤＦＢ激光器的设计要点和新的工艺。采用一级全息光栅和二步液相外延法批量研制出高稳定单纵模工作的１．５５μｍ分布反馈激光器（ＤＦＢ—ＬＤ）。外延片成品率＞４０％。器件特性：２５℃时阈值电流２０ｍＡ，单面光功率＞１０ｍｗ，主边模抑制比ＳＭＳＲ达４３ｄＢ（λ／４相移光栅），谱线宽度△ν－２０ｄＢ＝０．３ｎｍ，调制速率＞１．８ＧＨｚ。可靠性测试显示：高温监测光谱稳定，２５°Ｃ时阈值退化率△Ｉｔｈ／ｔ＜０．３ｍＡ／ｋｈ，对应器件预估寿命将超过１０万ｈ。     

Suppression of boron penetration in p+ polysilicon gateP-MOSFETs using low-temperature gate-oxide N2O anneal

It has been reported that high-temperature (~1100°C) N₂ O-annealed oxide can block boron penetration from poly-Si gates to the silicon substrate. However, this high-temperature step may be inappropriate for the low thermal budgets required of deep-submicron ULSI MOSFETs. Low-temperature (900~950°C) N₂O-annealed gate oxide is also a good barrier to boron penetration. For the first time, the change in channel doping profile due to compensation of arsenic and boron ionized impurities was resolved using MOS C-V measurement techniques. It was found that the higher the nitrogen concentration incorporated at Si/SiO₂ interface, the more effective is the suppression of boron penetration. The experimental results also suggest that, for 60~110 Å gate oxides, a certain amount of nitrogen (~2.2%) incorporated near the Si/SiO₂ interface is essential to effectively prevent boron diffusing into the underlying silicon substrate     

基于CAN总线的多点温湿度检测系统

本文介绍了基于CAN总线的多点温湿度检测系统的整体设计,详细介绍了各部分的组成.经过现场应用表明,设计合理,可靠性高.     

钨钼活化烧结机理

主要介绍了添加少量Ｎｉ－Ｃｏ时钨，钼的低温烧结特性，对比了纯钨，Ｗ－Ｃｏ，Ｗ－Ｎｉ，Ｗ－Ｎｉ－Ｃｏ，纯钼，Ｍｏ－Ｃｏ，Ｍｏ－Ｎｉ，Ｍｏ－Ｎｉ－Ｃｏ烧结体系，测算了这些体系的烧结活化能，研究了其低温烧结机理，发现Ｎｉ－Ｃｏ对钨，钼的烧结具有最好的活化效果，说明镍与钴的共同加入对钨，钼的烧结具有协同活化作用。     

分流液压转向牵引计算的展开图及其应用

本文论及分流液压转向牵引计算的概念,方法及其展开图,并且提供了计算机绘制的展开图和应用实例。     

核医学成像技术中计算机的应用

由于计算机和核医学的结合,各种成像方法的计算机化医学图像层析技术正在迅速发展,并开始广泛应用。本文介绍各类成像技术中计算机的应用,特别评述其最近进展,并提出了今后的展望。