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InAs channel field-effect transistors of 1-μm gate length were grown by molecular beam epitaxy and observed to operate at channel electric fields (20 kV/cm) higher than previously demonstrated and several times greater than the threshold for impact ionization in bulk InAs. Voltage gains on the order of 10 were observed with transconductances as high as 414 mS/mm and output conductances as low as 33 mS/mm. These voltage gains are comparable to those of GaAs-based devices and are the highest observed for InAs channel devices. The results demonstrate the potential for practical room-temperature operation of InAs FETs 相似文献
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本文研究了浸胶工艺对Nomex蜂窝性能的影响,分析探讨了提高Nomex蜂窝性能及外观质量的途径。研究结果表明:采取新的浸胶工艺制作的Nomex蜂窝,各项性能全面达到法国宇航材料标准。 相似文献
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Direct imaging of a high-power diode laser cavity using a transparent indium-tin-oxide (ITO) contact
We describe a novel "see-through" indium-tin-oxide contact on the n-side of a high power unstable resonator semiconductor laser (URSL) that allows direct observation of the cavity during high power operation. Under optimized annealing conditions this transparent ITO contact has a low enough specific contact resistivity to permit normal high power CW operation of the URSL and allows the observation of filamentation. This contact scheme is applicable to a wide range of semiconductor lasers and is especially appropriate for high power devices. The same structure can also be used to obtain a 2-D thermal map of the laser cavity. 相似文献
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