基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性

利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容.电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.     

纤维素酶固态发酵环境扫描电镜观察

纤维素酶压力脉动固态发酵周期（60h）比传统固态发酵周期缩短1/3，酶活（2036IU/g）比传统酶活（10.82IU/g）提高了一倍。利用环境扫描电镜观察压力脉动固态发酵与传统固态发酵微观动态过程表明，压力脉动固态培养的料层（9.0cm厚）上中下微生物生长状况均匀一致，且疏松；而传统固态发酵的料层中部几乎没有菌体生长。并且发现微生物产孢初期，其产酶即停止，压力脉动固态发酵在72h开始产生孢子，其产酶达到最高峰；而传统发酵在96h才出现大量的孢子。     

硅基1.55μm共振腔增强型探测器

报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术.高反射率的SiO2/Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上,然后键合到InGaAs有源区上,键合温度为350℃,无需特殊表面处理,反射镜的反射率可以高达99.9%以上,制作工艺简单,价格便宜.并获得硅基峰值响应波长为1.54μm,量子效率达22.6%的窄带响应,峰值半高宽为27nm.本方法有望用于工业生产.     

微腔调制常温Ge量子点光致发光特性

报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光致发光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合得很好,变功率实验也进一步证实了该结论.     

B在SiGe中的应变补偿作用

用超高真空化学气相淀积方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.3,即平均掺入1个B原子可以补偿7.3个Ge原子引起的应变.同时获得B的晶格收缩系数为6.23×10-24cm3/atom.     

Sunlight‐Induced Cross‐Linked Luminescent Films Based on Polysiloxanes and d‐Limonene via Thiol–ene “Click” Chemistry

The increasing pursuit of biocontained elastic materials led the investigation of the potential use of the monoterpene limonene in film synthesis via thiol–ene reaction. Poly[(mercaptopropyl)methylsiloxane] (PMMS) is first synthesized. By controlling the molar ratio of PMMS and functional monomers, such as polyethylene glycol allyl methyl ether or rhodamine‐B, PMMS is partially functionalized while leaving spare mercapto groups that could be further used as cross‐linking sites. On the basis of the functionalized PMMS, novel transparent silicone luminescent films with hydrophilic tunable properties are prepared by natural‐sunlight‐triggered thiol–ene “click” chemistry by using d ‐limonene as a cross‐linker. Their structures and properties are thoroughly characterized. Transparent luminescent films are coated on commercially available UV‐light emitting diode (LED) cell from solution medium followed by an in situ cross‐linking step; a colorful LED cell is obtained through this facile and efficient method. The UV‐LED coated by films show very intense photoluminescence under normal visible light or the light is on, and has very high coloric purity.     

单片图像压缩与USB高速传输技术应用

数字图像压缩与高速传输技术已经在工程中得到了广泛应用,然而随着飞行器的小型化,功耗、体积及重量的限制增大,不能直接应用。因此介绍一种实用的低功耗、小体积实时图像压缩与传输技术及其系统构成,并对单片JPEG2000芯片与USB2.0数据流传输技术应用进行分析,对系统配置及软件开发的主要步骤分别说明。采用该技术可以有效解决小型移动目标图像实时传输难题,与计算机接口兼容性好,可靠性高,具有较强的工程实用性。     

具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器

利用表面微机械技术,成功制作了1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器.原型器件在50V的调谐电压下,调谐范围为90nm.该技术可以用于制作1.3μm Si基可调谐光探测器.     

彩色磨粒图像自动分割技术

本文针对彩色显微磨粒图像特征,选择了最大类间方差分割法,并对其进行了推广以应用于彩色图像分割.在详细分析各种彩色特征的前提下,通过选择合适的正交彩色特征量I1、I2和I3,成功地进行了两类彩色磨粒图像分割和目标提取.同时,本文提出了基于彩色特征量直方图三点循环平滑处理的特征量自动选取技术,实现彩色特征量的自动选取,避免了人的主观判断和决定,最终实现了彩色磨粒图像的自动分割.算例表明了本文方法的简洁有效性.     

相位共轭反馈下垂直腔面发射激光器动态分岔特性的理论研究

在传统半导体激光器动力学方程的基础上，突出了垂直腔面发射激光器(VCSELs)的微腔结构特点以及相位共轭反馈(PCF)的时间反演特性，建立起相位共轭反馈条件下的复合腔仿真模型。仿真结果表明：在外部反射率小于0．05的弱反馈条件下，垂直腔面发射激光器的微腔结构导致了它的动态特性与边发射器件有较大的区别，给出两者在混沌带的出现次数、存在范围以及分岔点的出现条件等方面的比较。相对于常规光反馈(COF)而言，相位共轭反馈的累积相位为零，这使得该机制下垂直腔面发射激光器表现出更为丰富的非线性特性。仿真中观察到常规光反馈经历了三个混沌带，相位共轭反馈经历了两个混沌带且稳定区域较宽；并发现在混沌吸引子产生的过程中常规光反馈光场的实虚部相空间轨迹保持对称，而相位共轭反馈的相空间轨迹则表现为对称的‘建立→破坏→再建立’这样的循环过程。