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N. Boukortt  S. Patan&#;  G. Crupi 《SILICON》2020,12(7):1585-1591
The miniaturization has become a key word for advanced integrated circuits over the last few years. It is within this context that the fin field effect tra  相似文献   
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In recent years, there has been an increased interest in the design and use of iron oxide materials with nanoscale dimensions for magnetic, catalytic, biomedical, and electronic applications. The increased manufacture and use of iron oxide nanoparticles (IONPs) in consumer products as well as industrial processes is expected to lead to the unintentional release of IONPs into the environment. The impact of IONPs on the environment and on biological species is not well understood but remains a concern due to the increased chemical reactivity of nanoparticles relative to their bulk counterparts. This review article describes the impact of IONPs on cellular genetic components. The mutagenic impact of IONPs may damage an organism’s ability to develop or reproduce. To date, there has been experimental evidence of IONPs having mutagenic interactions on human cell lines including lymphoblastoids, fibroblasts, microvascular endothelial cells, bone marrow cells, lung epithelial cells, alveolar type II like epithelial cells, bronchial fibroblasts, skin epithelial cells, hepatocytes, cerebral endothelial cells, fibrosarcoma cells, breast carcinoma cells, lung carcinoma cells, and cervix carcinoma cells. Other cell lines including the Chinese hamster ovary cells, mouse fibroblast cells, murine fibroblast cells, Mytilus galloprovincialis sperm cells, mice lung cells, murine alveolar macrophages, mice hepatic and renal tissue cells, and vero cells have also shown mutagenic effects upon exposure to IONPs. We further show the influence of IONPs on microorganisms in the presence and absence of dissolved organic carbon. The results shed light on the transformations IONPs undergo in the environment and the nature of the potential mutagenic impact on biological cells.  相似文献   
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An automated system for integrated electrophysical and optical studies of semiconductor nanoheterostructures, which operates in a wide temperature range from 15 to 475 K, is designed. The setup is intended to measure the temperature and frequency admittance and electroluminescence spectra of light-emitting diode and laser chips formed on substrates of diameter up to 50.2 mm, and the distribution of parameters over the wafer. The setup includes the closed-cycle helium cryogenic station, LCR meter, and temperature controller. The characterization results of nanoheterostructures with InGaN/GaN multiple quantum wells, which are used for creating highly efficient white and blue light-emitting diodes, are presented.  相似文献   
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