基于多特征的语音端点检测技术研究

针对传统的端点检测技术,如基于能量、过零率等方法,在低信噪比噪声环境下检测性能急剧下降的问题,根据汉语语音发音的特点,提出了一种新的检测方法,该方法结合了Mel频率倒谱系数（MFCC）和能量、过零率、频带方差等多个语音特征。基于多特征融合的模糊判决二次搜索端点检测方法,能有效减少清音、拖尾音的截断,提高端点检测的精度,并对噪声环境具有一定的自适应性。实验结果表明,即使在低信噪比条件下,该方法仍具有较高的准确性。     

钛合金表面激光重熔镍包石墨涂层的研究

为了提高钛合金的表面耐磨性能,以镍包石墨粉末作为预涂材料,先热喷涂到Ti-6A l-4V基底表面,再采用激光技术进行重熔处理,获得了质量良好的增强涂层。通过XRD、SEM和EDS对涂层组织进行分析,结果表明:涂层的微观组织为固熔了少量Ti元素的镍基,含有大量的TiC增强相。这些TiC增强相呈现发达的枝晶状形态,是在激光重熔过程中原位反应生成的。显微维氏硬度测试表明:激光重熔涂层的硬度达到HV1200,是钛合金基底硬度的3倍。     

500kW／380V国产大功率变频器在钻机上的应用

针对国外变频器价格昂贵、调试周期和维修周期长等特点，我公司自主研发了可替代进口机的高性能钻机国产专用变频器。该变频器能够从零开始调速。当钻井卡钻时，能及时断开电动机，在低速提升时，能最大限度地发挥电动机的动力特性，提供220％的转矩输出。变频器具有易安装、调试、维护，性能稳定。应用中据实测数据显示，采用变频改造后，打1口井可节省柴油15t。     

基于概率的单站多目标无源定位算法

机载单站多目标无源定位是现代电：于侦察领域的重点和难点课题。本文提出了一种基于贝叶斯后验概率最大原理的机载单站多目标无源定位算法。该算法只使用干涉仪给出脉冲序列相位差和载频信息,即可完成对多目标的分选识别和高精度定位,具有定位准确、指示清楚、无需对信号进行预分选的优点。仿真结果表明：在工程可实现的测向、测频精度和考虑载机位置、姿态误差情况下,对于载机一侧的多目标可能达到的定位精度约为距离的2％,是一种具有广阔应用前景的机栽单站无源定位方法。     

压电马达驱动控制电路的研究

分析和设计了一种频率可调式小型化压电马达驱动控制电路,能够输出单路和双路信号(相位差为90°),驱动控制驻波型和行波型压电马达,并实现了无线遥控,输出频率范围在0～150 kHz,输出电压可以通过改变变压器的匝数比进行调节.通过实验证实了这种驱动电路能够满足压电马达驱动的要求.     

在影像专业讲授"图像重建"的教学实践

针对影像专业学生的特点,将信息处理、图像重建的理论与X线－CT成像,核磁共振成像的实际应用相结合,激发学生学习的积极性和兴趣,努力提高学生应用理论解决实际问题的能力。     

非标准情况下衰荡光谱的理论分析

本文研究了当激光脉冲线宽远大于被测吸收物质的吸收线宽时,衰荡光谱满足的规律,以及在这种情况下,测量灵敏度的大小。     

The substituent effect on charge transport property of triisopropylsilylethynyl anthracene derivatives

The charge transport property of two triisopropylsilylethynyl anthracene (TIPSAnt) derivatives TIPSAntBt and TIPSAntNa (bithiophene and naphthalene are introduced at the 2, 6-positions of the TIPSAnt core) were explored through quantum chemical method. To gain a better understanding of the substituent effect on the charge transport property, the results of the parent molecule TIPSAnt was also provided here for comparison. The substituent effect on the molecular geometry, reorganization energy, frontier orbitals, ionization potential (IP) and electronic affinity (EA), crystal property, transfer integrals and charge mobility, band structure and effective mass of the two compounds were investigated to establish the relationship between structures and properties. The introduced bulky TIPS groups made the two compounds adopt two-dimensional, face-to-face, π-stacking structures. The efficient overlaps of π-orbital and smaller π-stacking distance are proved to be the main reason for the high charge mobility of TIPSAntBt and TIPSAntNa. The hole mobilities of TIPSAntBt and TIPSAntNa are 0.88 and 3.60 cm² V⁻¹ s⁻¹, respectively, which is well consistent with experiment values (0.2 and 3.7 cm² V⁻¹ s⁻¹, respectively). For TIPSAntBt, the electron mobility (1.29 cm² V⁻¹ s⁻¹) is a little higher than that of hole due to the more effective transfer integrals of electron. On the contrary, the hole mobility of TIPSAntNa is 20 times larger than that of electron because of the smaller reorganization energy and larger transfer integral of hole, indicating that TIPSAntNa could be used as p-type semiconductor. For TIPSAntBt, the transfer integral is smaller than the reorganization energy, so the hopping mechanism plays a key role in the charge transport property. While the bandwidths and effective mass of TIPSAntNa agreed well with the calculated transfer integrals and charge mobility results. The introduced small substituents to TIPSAnt core contributed to the dramatically different charge transport property from an n-type semiconductor of TIPSAntBt to p-type semiconductor of TIPSAntNa, which shed light on molecular design for an n-type semiconductor through simple chemical structural modification.     

引入GaN过渡层对Si（111）衬底上生长GaN外延的影响

本文研究了在Si(111)衬底上生长GaN外延层的方法。相比于直接在AlN缓冲层上生长GaN外延层,引入GaN过渡层显著地提高了外延层的晶体质量并降低了外延层的裂纹密度。使用X射线双晶衍射仪、光学显微镜以及在位监测曲线分析了GaN过渡层对外延层的晶体质量以及裂纹密度的影响。实验发现,直接在AlN缓冲层上生长外延层,晶体质量较差, X射线(0002)面半高宽最优值为0.686°,引入GaN过渡层后,通过调整生长条件,控制岛的长大与合并的过程,从而控制三维生长到二维生长过渡的过程,外延层的晶体质量明显提高, (0002)面半高宽降低为0.206°,并且裂纹明显减少。研究结果证明,通过生长合适厚度的GaN过渡层,可以得到高质量、无裂纹的GaN外延层。     

论高工作温度碲镉汞红外探测器（上）

与用其他材料制备的红外光子探测器相比,碲镉汞红外探测器具有带隙灵活可调、量子效率较高以及R_0A接近理论值等优点。碲镉汞探测器的主要缺点是需要低温制冷,以抑制引起噪声的热生自由载流子。期望碲镉汞探测器在具有高工作温度(High Operating Temperature,HOT)的同时而又无需牺牲性能。HOT碲镉汞探测器的设计目标主要是抑制俄歇过程,从而降低探测器噪声和低温制冷需求。从相关基本概念出发,讨论了对HOT碲镉汞物理机制的理解以及近年来HOT碲镉汞技术的发展状况。