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21.
The Bi-system tapes and coils were prepared by the powder-in-tube method. The effect of processing and heat treatment on the properties of the tapes and coils was studied. It is found that the shearing stress produced by the rolling process may destroy the 2223 phase, and the destroyed 2223 phase cannot be recovered by heat treatment, whereas the pressing stress produced by the uniaxial pressing process only makes the 2223 phase grains break, and the broken 2223 phase can be closed by the heat treatment. TheJ c values of the rolling samples, pressing sample, and the coil with a diameter of 35 mm are over 1.3×104, 2.5×104, and 4×103 A/cm2 (77 K, 0 T), respectively.  相似文献   
22.
23.
A computational test for scalar positive real and strictly positive real functions is proposed in this paper. The input for this algorithm is state space representation, not necessarily minimal. It is derived for the discrete time problem, based on numerical stable eigenvalue computations. The test can be used in the continuous counterpart, which is in fact an improvement of an algorithm posed by Bai and Freund. Differences between the discrete and continuous time problems are also pointed out.  相似文献   
24.
本文通过焊接试验对奥氏体不锈钢绕带容器环板与绕带焊接工艺进行了研究分析,并得出了合理的焊接方法和工艺参数。  相似文献   
25.
26.
本文报道了用双滤膜法对石家庄市室内空气中氡及其子体浓度的调查结果。47个房间室内氡年平均浓度为17.0Bq·m~(-3),氡子体平均浓度是7.14Bq·m~(-3)。氡及其子体浓度的日变化是清晨4—8时出现峰值。季节变化是夏秋季低,冬季高,全年的最低值出现在8月,最高值出现在11月。  相似文献   
27.
当前小区信息网络建设中存在多种实施方案。笔者分析比较了常用的几种典型方案的优劣。讨论了目前建设中的一些解决方法,提出了兼顾现状,适度超前的设计实施原则。  相似文献   
28.
用于重离子核反应实验测量的纵向电场气体电离室   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报道了一种新型的大动态范围,多叠层探测器系统组件之一的纵向电场气体电离室的构造,性能和在中能得离子核反应实验中的应用。  相似文献   
29.
研究了具有低表面能的氟聚合物聚四氟乙烯(PTFE),经60Coγ射线辐照后表面状态的变化,以及其对液体介质蒸馏水的润湿性。较详细地论述了辐照后表面粗糙度、结晶度以及表面化学基因等不同因素对PTFE表面润湿性的影响。通过对PTFE及其表面的红外、X光衍射,表面粗糙度的分析,弄清了辐照后PTFE表面化学基团的改变对有机氟聚合物表加的润湿性影响很大,而粗糙度和结晶度的变化对润湿性影响较小。  相似文献   
30.
本文详细叙述了DFB激光器的设计要点和新的工艺。采用一级全息光栅和二步液相外延法批量研制出高稳定单纵模工作的1.55μm分布反馈激光器(DFB—LD)。外延片成品率>40%。器件特性:25℃时阈值电流20mA,单面光功率>10mw,主边模抑制比SMSR达43dB(λ/4相移光栅),谱线宽度△ν-20dB=0.3nm,调制速率>1.8GHz。可靠性测试显示:高温监测光谱稳定,25°C时阈值退化率△Ith/t<0.3mA/kh,对应器件预估寿命将超过10万h。  相似文献   
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